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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
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作者 马函 孙静 +1 位作者 何承发 荀明珠 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期37-43,共7页
针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中... 针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中带电压法(Mid-gap Technique,MGT)和电荷泵法(Charge Pumping,CP)对器件辐照过程中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷进行了分离,结合Geant4工具包仿真质子在氧化层中初级反冲原子(Primary Knock-on Atom,PKA)的产生过程,对RADFETs质子与(60)^Coγ辐射响应差异的微观机理进行了探讨。研究结果表明:RADFETs对质子的剂量响应较少,但质子辐照会在RADFETs中引入位移损伤,加剧其邻近界面处的陷阱电荷对测量结果的影响。因此RADFETs在空间应用时,有必要使用质子电子的通量模型对测量数据进行修正或设计特定的标定方案。 展开更多
关键词 radfetS 质子辐照 γ剂量标定 陷阱电荷分离
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基于RadFET的宽范围电离总剂量效应监测系统及试验研究
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作者 安恒 杨生胜 +2 位作者 薛玉雄 把得东 张晨光 《计量学报》 CSCD 北大核心 2016年第z1期-,共4页
设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗... 设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗辐射能力,累积剂量可达到1.0 ×105 Gy,同时,在空间应用时需重点考虑阈值电压、环境温度以及击穿电压等敏感参数. 展开更多
关键词 计量学 辐射剂量传感器 电离总剂量效应 实时监测 空间辐射
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400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究 被引量:1
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作者 宫辉 李金 +4 位作者 杨世明 邵贝贝 龚光华 李裕熊 谢小希 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2007年第3期283-287,共5页
RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量.探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握.本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道... RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量.探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握.本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等,同时也讨论了测量数据的拟合方法,为该类型RADFET剂量计在RADFET多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础. 展开更多
关键词 BESⅢ radfet剂量计 累积剂量测量 辐照强度相关性 退火
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Online measurement of the BEPCⅡ background using RadFET dosimeters
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作者 宫辉 李金 +3 位作者 龚光华 李裕熊 侯磊 邵贝贝 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2009年第9期774-776,共3页
To monitor the integral dose deposited in the BESⅢ electromagnetic calorimeter whose performance degrades due to exposure to the BEPC Ⅱ background, a 400 nm IMPL RadFET dosimeter-based integral dose online monitor s... To monitor the integral dose deposited in the BESⅢ electromagnetic calorimeter whose performance degrades due to exposure to the BEPC Ⅱ background, a 400 nm IMPL RadFET dosimeter-based integral dose online monitor system is built, After calibration with the ^60Co source and verification with TLD in the pulse radiation fields, an experiment was arranged to measure the BEPC Ⅱ background online. The results are presented. 展开更多
关键词 BEPC background BESⅢ EMC 400 nm IMPL radfet dosimeter TLD
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The effect of the boron-ions implantation on the performance of RADFETs
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作者 LIU HongRui WANG ShuaiMin ZHANG JinWen 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第11期1785-1790,共6页
In this work, we studied on the boron-ions implantation, including the implant dose and post-annealing temperature on the performance of PMOS radiation field-effect transistors(RADFETs) in experimental. The possible t... In this work, we studied on the boron-ions implantation, including the implant dose and post-annealing temperature on the performance of PMOS radiation field-effect transistors(RADFETs) in experimental. The possible traps and defects induced by ions implantation in the gate-oxide and their further impacting on the sensitivity and dose range of RADFETs were analyzed qualitatively. Our devices had the dry/wet/dry sandwich gate-oxide of 420 nm thick. Different ion-implanting doses and post-annealing temperatures were carried out during the RADFETs fabrication. We built a real time auto-measurement system to realize the auto-state-switch between irradiation and read-out modes, and in-situ measurement of output voltage for ten devices in turn at once of radiation experiment. The threshold voltage, dose range and sensitivity of RADFETs were extracted and analyzed in detail. The results showed that the highest sensitivity of 229 mV/Gy achieved when the implant dose was2.2×1011 cm.2 and the post-annealing temperature was 1000°C, and the dose range of 34 Gy as well. 展开更多
关键词 DOSIMETERS PMOS radfets implant dose post-annealing temperature real time auto-measurement system radiation effects
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一种空间辐射剂量测试系统的设计与试验 被引量:1
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作者 安恒 杨生胜 +2 位作者 薛玉雄 把得东 曹洲 《现代应用物理》 2014年第4期256-259,共4页
设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60 Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明:该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也... 设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60 Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明:该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也可用于其他MOSFET器件阈值电压的测量,尤其适用于辐射剂量的长期测量或者实时测量。 展开更多
关键词 电离总剂量效应 辐射剂量计 radfet 辐射剂量测量 微控制器
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高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究
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作者 马函 孙静 +1 位作者 何承发 荀明珠 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2175-2182,共8页
通过室温和高温条件下的辐照试验,研究了100 nm和400 nm栅氧厚度PMOS剂量计(RADFETs)在高温下的辐照响应。实验剂量率为3 rad(Si)/s和0.098 rad(Si)/s,辐照总剂量达80 krad(Si)。采用中带电压法进行氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的分... 通过室温和高温条件下的辐照试验,研究了100 nm和400 nm栅氧厚度PMOS剂量计(RADFETs)在高温下的辐照响应。实验剂量率为3 rad(Si)/s和0.098 rad(Si)/s,辐照总剂量达80 krad(Si)。采用中带电压法进行氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的分离,对高温下辐照响应的微观机理进行了分析。氧化物陷阱电荷的退火作用是导致非线性响应的主要原因。不同氧化层厚度的氧化物陷阱电荷密度差异很大,高温下100 nm和400 nm RADFETs的界面态陷阱电荷密度差异较小。最后讨论了高温下不同栅氧厚度RADFETs的适用性,为高温环境下RADFETs的应用提供了参考。 展开更多
关键词 高温环境 radfetS 辐照响应
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基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究
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作者 孙静 郭旗 +5 位作者 郑齐文 崔江维 何承发 刘海涛 刘许强 刘梦新 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第12期43-48,共6页
绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide,SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI BOX PMOS的辐照... 绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide,SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI BOX PMOS的辐照响应特性,包括辐照偏置对SOI BOX PMOS的辐射响应灵敏度的影响、不同辐射剂量率环境下的SOI BOX PMOS的灵敏度响应差异、辐照后的SOI BOX PMOS的退火特性及其对辐射响应敏感度影响,以及SOI BOX PMOS沟道宽长比与其灵敏度的关系等,并对试验结果进行了必要的理论分析。实验结果表明:正偏置辐照的器件对电荷的收集响应灵敏度明显高于零偏置辐照的器件;阈值电压的辐照变化几乎不受退火效应影响;相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显。实验研究为新型辐射剂量探测仪的研制打下了基础。 展开更多
关键词 辐照传感器 基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管 剂量计
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BESⅢ晶体量能器累积剂量检测系统电子学设计
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作者 宫辉 李金 +2 位作者 邵贝贝 龚光华 杨世明 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1030-1034,共5页
为了在线测量北京谱仪BESⅢ中的量能器所受到的辐射累积剂量,设计了BESⅢ量能器累积剂量检测系统。讨论了几种RADFET受照电路的优缺点,介绍了RADFET读出电路,并详细叙述了系统电子学的设计及其性能。
关键词 BESⅢ RADEFT剂量计 开端电压 恒流源 MCF5282
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总剂量探测技术的空间应用
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作者 郭东文 杨艳 +4 位作者 郑义 高志强 李军 史青 彭泳卿 《遥测遥控》 2022年第2期120-126,共7页
空间辐射对飞行器可造成辐射损伤甚至失效,对航天员的生命健康安全存在着威胁。随着航天活动的深入,对空间辐射探测技术的发展提出了更高的要求。通过辐射敏感场效应晶体管(RADFET)探测技术设计研制了总剂量探测器,介绍了探测器的设计... 空间辐射对飞行器可造成辐射损伤甚至失效,对航天员的生命健康安全存在着威胁。随着航天活动的深入,对空间辐射探测技术的发展提出了更高的要求。通过辐射敏感场效应晶体管(RADFET)探测技术设计研制了总剂量探测器,介绍了探测器的设计原理和测试数据分析,以及研究发展方向和空间应用展望。 展开更多
关键词 空间辐射 飞行器 总剂量 radfet
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