LPE碲镉汞薄膜的显微Raman谱与显微荧光谱分析

利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd0 96Zn0 04Te衬底上生长的Hg0 8Cd0 2Te外延薄膜样品,在100～5000cm-1光谱范围进行测量,在实验曲线中除了观察到与碲镉汞材料晶格振动相符的类 HgTe的光学振动横模(TO1模)和纵模(LO1模)的Raman散射峰、类 CdTe光学振动横模(TO2模)和纵模(LO2模)混合的Raman散射峰以及来源于TO1+LO1的二级Raman散射峰外,在1000～5000cm-1光谱范围首次发现了LPE碲镉汞薄膜的显微荧光峰,该显微荧光的发光范围换算为电子伏特标度为1 34～1 83eV,发光中心位于2750cm-1即1 62eV,发光峰的半高宽(FWHM)约为0 25eV。通过分析指出,该显微荧光来源于碲镉汞外延层中阴性离子空位与材料导带底的共振能级的发光。

准同型相界附近PLZT铁电陶瓷相变的原位Raman谱观测

对Zr与Ti的原子比约为52/48,掺杂了少量La、Mn和Nb的PLZT铁电陶瓷进行了不同温度下的原位Raman谱观测,对所获得的谱图进行温度分布修正,再利用阻尼-谐振-振荡器模型的光谱响应函数及Gauss分布函数对所得结果进行分峰拟合,得到了各Raman峰的波数和峰强随温度的变化规律.结果表明,准同型相界附近的PLZT铁电陶瓷在47—600℃升温过程中,于240和360℃分别发生两次相变,表明样品中可能存在混合相;通过比较未极化和极化样品的Raman谱峰的变化结果,分析了预极化处理对相变的影响.

超短超强激光与稀薄等离子体相互作用背向受激Raman谱特性模拟

利用LPIC++程序模拟了超短超强脉冲与稀薄等离子体相互作用产生的背向受激Raman谱。结果证明:在极端相对论条件下,背向受激Raman谱不再是通常所指的弱耦合模式,而进入强耦合模式。频谱加宽,并融合在一起;各谱峰之间的频移不再以等离子体波的频率为间隔,而是小于电子等离子体波的频率。模拟了各种条件下的背向散射Raman谱特性,结果显示:随着密度的提高,背向受激Raman谱的强度也将提高,这与理论结果符合得较好。

Si/SiGe异质结构的硅盖层中应变对Raman谱特征的影响

应变Si/SiGe异质结构通过大剂量Ge离子注入并结合高温快速热退火制备而成。325nm波长的紫外激光被用于调查应变Si盖层的Raman谱特征。实验发现,硅盖层中的张应变导致硅的520cm-1的一级拉曼散射峰向低频方向偏移,峰的偏移程度反映硅盖层中横向张应力的大小约为12.5×108N·m-2。硅盖层中的张应变并未导致1555和2330cm-1的次级拉曼散射峰的变化。

1.23GeV Fe离子在C_(60)薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析

用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应,主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相(HTHP)的形成,和在髙电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径Re,及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。

BaCe_(1-x)Eu_xO_(3-δ)电解质的Raman谱与TG-DTA研究

合成了初始摩尔比为Ba/(Ce+Eu)=1.0和1.1的钙钛矿型氧化物BaCe1-xEuxO3-δ(x=0.05,0.10,0.15,0.20)。XRD分析表明,过量Ba的样品Ba/(Ce+Eu)=1.1已成钙钛矿单相,样品Ba/(Ce+Eu)=1.0有微量CeO2相存在。Raman谱分析表明,微量CeO2相的产生是由于高温烧结时引起一定量BaO的蒸发引起的;样品Ba/(Ce+Eu)=1.1中过量的Ba对高温烧结时BaO的蒸发起到了补偿作用。热重(TGA)和差热分析(DTA)显示,样品长期放置在空气中,会与空气中的CO2发生一定的反应。

激光功率对多孔硅微Raman谱的影响

运用微Raman谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品以研究多孔硅的稳定性。用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度。观察比较不同温度下多孔硅样品的Raman谱趋向,发现在激光功率和样品温度之间的关系曲线上有3个过程,与Raman频移和Raman强度的曲线相一致。所有现象都可以用Si-O键和非晶Si被氧化的机制进行解释。

多孔硅的微结构对其Raman谱的影响

用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析。使用高灵敏的共焦显微Raman系统研究了纵向的Raman谱,同时分析了微结构对纵向Raman效应的影响。

非晶纳米过氧聚钨酸的Raman谱、热稳定性及UV-Vis光吸收特性

过氧聚钨酸是通过化学途径合成各种纳米结构氧化钨的重要前驱物之一。本文以双氧水（H_2O_2）、钨粉（W）和无水乙醇为原料合成了过氧聚钨酸溶胶,随后在常温下长时间放置,直至自然凝固,并在120℃干燥3h后得到最终的深黄色胶状固体。利用XRD、SEM、Raman谱、TG/DSC分析和UV-Vis谱等分别考察了样品的成分结构、热稳定性和UV-Vis光吸收特性。宽的XRD峰表明样品是非晶结构,明显峰位的高斯型拟合表明样品是氧化钨与水合氧化钨的复合物。SEM表明样品呈纳米颗粒状（50～100nm）和片层状形貌（厚约50nm）。宽而明显的Raman峰的高斯型拟合进一步表明样品是非晶氧化钨和水合氧化钨的复合物,不仅拥有非常明显的O—W—O对称伸缩、非对称伸缩和WO振动,而且伴有O—W—O对称弯曲、非对称弯曲及吸附水的振动模式。TG/DSC分析表明过氧聚钨酸凝胶固体在120～500℃范围内存在四个不同的热力学过程：（Ⅰ）过氧聚钨酸凝胶固体的缓慢晶化（120～165℃）;（Ⅱ）H_2O_2的分解和H_2O的去吸附（165～236℃）;（Ⅲ）水合氧化钨的快速分解（236～287℃）;（Ⅳ）最终产物WO_3的晶化和相变（287～500℃）。UV-Vis谱表明样品在350～600nm范围存在一个明显的带边吸收,其光学带隙约2.25eV,明显低于当前已报道的WO_3和H_2WO_4的带隙值（2.45～3.50eV）。存留在复合物中的水分子、氧缺陷以及结构性畸变应该是导致其拥有较窄带隙的关键因素。

对氢化非晶硅薄膜Raman谱TA模的观测

对a-Si:H及μC-Si:H膜的Raman散射谱的观测中,出现了类TA 模强度高于类TO模的情况.在非晶硅薄膜晶化过程中,类TA模同样呈现出规则性的变化,并可同C-Si一级声子谱的TA模精细结构对应起来.说明通过分析类TA模精细结构的变化,同样可用来分析研究a-Si:H膜中结构变化及其晶化过程的规律.

多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究

采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法制备的PS,Raman光谱不存在频移,而用直流电化学腐蚀方法制备的PS在多孔层深度为70～90μm处的Raman光谱有向低波数方向约40cm-1的移动,它是由于常规电化学腐蚀方法制备的PS不同深度的尺寸分布对量子效率的影响引起的.

CuAlO_2薄膜的Raman谱表征及介电行为研究

本文研究了铜铁矿结构CuAlO2薄膜的变温Raman谱和介电行为。研究结果表明:体系存在电声子耦合,声子非谐衰减是峰频移动、峰宽展宽的主要原因。介电弛豫频率随温度的上升向高频方向移动,并且弛豫过程的激活能和电输运过程的激活能基本相当,说明两者间存在紧密的关联。该结果对进一步研究铜铁矿型材料的晶体结构和应用性能具有指导意义。

金牛T型星LkH_α120的Raman谱

最近,Raman散射被成功地用来解释某些天体的谱线形成,Raman散射在天体物理中有着广泛的应用。本文考查了金牛T型星LkH_α120的谱线资料,并估算了Raman散射的截面及谱线的强度,发现金牛T型星LkH_α120的未被证认的谱线:λλ4200.9,5098.1 5613.9,5768.0,5859.0,6633.5,6667.0,7500.0A很可能是FeI,FeII线系被H原子、H_2分子和CO分子散射后所产生的Raman谱。

C(膜)/Si(SiO_2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析

X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)样品发现:把400℃退火后的样品继续加热到650℃并退火1h后,样品中除原有的Si晶体外,生成了SiC晶体,同时还出现了SiO2晶体,这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时,氧气的氧化作用占主导地位,把大部分Si氧化成了SiO2.对比分析在650℃和750℃退火后样品的Raman谱发现:随着加热温度的升高,SiC与Si含量增加而SiO2含量减少.这表明:在750℃时,C原子的还原作用继400℃后再次占主导地位,又把一部分SiO2还原成Si.

Ce、Sr共掺杂BiFeO_3的铁电性及Raman谱研究

采用溶胶凝胶法成功制备了Ce_(0.05)Bi_(0.95-x)Sr_xFeO_3(x=0,0.05,0.10,0.15)多铁性样品,并且对样品的XRD图谱、电滞回线、漏电流曲线及Raman光谱进行测量与研究。XRD结果表明,随着Sr离子掺杂浓度的增加,样品由钙钛矿结构转变为四方晶格结构。电滞回线显示随着Sr离子掺杂浓度的增加,样品的室温铁电性得到了改善。漏电流曲线表明Sr离子掺杂浓度的增加并不能很好地抑制漏电流的产生。通过Raman谱分析得出,Sr离子的掺杂导致Bi-O共价键结构发生变化,并且Sr离子浓度的增加使氧八面体扭曲程度加剧,进而引起了漏电机制的改变,使得样品的铁电性能发生了变化。

RAMAN谱研究在退火和镍衬底上金刚石形核中甲烷的影响(英文)

藉助SEM和MICRO RAMAN ,我们研究了在退火和在镍衬底上金刚石形核中甲烷CH4 的影响。CH4 的浓度分别为 0 % ,0 5 % ,1 5 %和 2 5 % ,其中当甲烷浓度为 1 5 %时 ,金刚石在镍衬底上金刚石形核密度为 3× 1 0 8/cm2 ,这个结果高于以前的结果。金刚石膜的质量是好的。

Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响

应用 Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层 Si1- x Gex 层应力弛豫的影响 .Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 .在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex 层中的 Si- Si振动模式相对于衬底的偏移都与 Ge组分成线性关系 .根据实测的 Raman峰位 ,估算了应力弛豫 .结果表明 :对组分渐变缓冲层结构而言 ,超晶格缓冲层中界面间应力更大 ,把位错弯曲成一个封闭的环 ,既减少了表面位错密度 。

Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)体系中顶点氧振动的Raman谱研究

通过 Raman散射声子谱研究了 Pr掺杂对 Bi2 2 12体系顶点氧振动频率的影响 ,发现掺杂导致振动频率向低频方向移动。分析表明体系中 Bi O双层收缩是导致声子发生软化的主要原因。结合体系的结构特征 ,从能量关系角度上讨论了 Bi O双层随掺杂发生收缩的原因。

VMgO催化剂上丙烷氧化脱氢反应的原位Raman谱学研究

应用原位Ｒａｍａｎ谱学方法，考察了反应条件下ＶＭｇＯ催化剂分别与氧、丙烯、丙烷和丙烷／氧混合气等的相互作用．结果表明，ＶＭｇＯ催化剂具有较好的被还原性，而再氧化过程则缓慢得多；丙烷与氧在ＶＭｇＯ催化剂上的反应可能遵循Ｍａｒｓ－ｖａｎＫｒｅｖｅｌｅｎ晶格氧反应机理；丙烷的活化需要表面晶格氧物种，这些氧物种一旦生成就能很快与丙烷作用，而氧的吸附活化并转化为表面晶格氧物种是维持丙烷氧化脱氢反应Ｍａｒｓ－ｖａｎＫｒｅｖｅｌｅｎ催化循环的重要步骤．

Rb(NTO)·(H_2O)的合成,表征,FT-IR和Raman光谱

首次用碳酸铷与NTO在水溶液中直接合成了Rb+ 与NTO- 的配合物。采用元素分析和化学分析确定配合物的组成为Rb(NTO)·(H2 O)。用X 射线粉末衍射谱的测试与分析对该配合物进行了结构和性质的表征。给出了FTIR和Raman光谱 ,分析了各种谱线的归属。从结构角度讨论了配合物中不同键的形成。