用于STATCOM中的改进RCD吸收电路

基于传统的 RCD吸收电路 ,提出了一种改进的 RCD电路。该电路结构简单 ,现在已被新开发的± 50 0 kvar STATCOM所采用。现场试验结果表明它能有效限制三电平逆变器中 GTO的过电压 ,并在

反激开关电源初级侧RCD吸收回路的应用分析

随着电源技术的不断发展进步,辅助电源是所有弱电控制的能量源,鉴于开关电源突出的优点,除某些要求特别高的场合外,将逐渐取代线性电源。其中为控制器提供弱电控制的电源功率一般较小,在目前的应用中普遍采用反激开关电源,为更好的保证电源质量和设计成本,其中初级侧的RCD吸收回路起到很重要的作用。本文从理论计算、元件选型、对比测试等角度出发,给出一定的分析,通过这些对比分析,从而提升产品开发的设计质量。

全控型器件串联IGBT在吸收电路中均压效果分析

针对IGBT串联阀运行过程分压不均衡,从IGBT器件原理上分析了影响串联分压不均衡的因素。采用RCD无源吸收回路减缓关断过程中dv/dt以抑制过电压,从均压效果和IGBT关断时间两方面对均压电容取值进行了分析,并对实验波形从理论上进行了分析。实验结果表明在门极驱动信号同步情况下,RCD吸收回路可有效抑制关断过程过电压。

用于高压电力电子装置的辅助电源的设计

高电压宽范围输入的辅助电源在中大功率电力电子装置中被广泛应用,提出了采用工作在DCM状态下单管反激电路的方案设计高压输入辅助电源,计算了变换器的电路参数;根据输入电压高的特点,优化设计了变压器的变比和二次侧的反射电压,考虑到变压器的绝缘和爬电效应,提出了一种高电压输入变压器的绕制方法;设计了RCD吸收电路,极大地减小了主开关管上关断时的电压尖峰。

基于快充技术的开关电源设计

为提升智能手机充电速度,缩短充电等待时间,改善目前智能手机续航能力低下的问题,设计了一种能满足快充技术标准的反激式开关电源。描述了系统各关键电路模块和器件(如变压器、RCD吸收电路及开关器件)的设计过程,给出了系统电路原理图,制作了实验样机,并对实验样机进行实际测试。测试结果表明:该电源纹波小、环路响应快、稳压性能优良。同时该系统具有体积小、重量轻、使用元器件少、电路结构紧凑等诸多优点。

大功率D类功放的仿真研究

大功率超声波在工业生产中具有重要的作用。功率放大器是超声波发射机的核心单元。由IGBT构成的D类功率放大器,必须采取有效措施抑制电压脉冲尖峰,防止过压击穿大功率器件。分析了D类功放电路的原理以及输出电压尖峰脉冲产生的原因,介绍了几种常用的尖峰抑制吸收电路。重点分析了RCD型的吸收方案,给出了电路元件参数的计算方法。采用Pspice对设计方案进行了仿真验证,结果表明RCD吸收电路可以有效抑制功放的尖峰电压,保护发射机核心器件IGBT。

ZnO压敏电阻测试控制及装置的实现

本文介绍了ZnO压敏电阻能量测试装置和一些控制思想,该装置由两部分组成:主电路部分和控制部分。主电路部分力一个buck-boost电路,主控开关选用IGBT,蓄能元件为一个线性电感。控制部分包括单片机和AD组成的现场控制电路,还有上位机部分(电脑)。该装置已经投入使用,运行稳定。

特种机器人的低电压大功率电机驱动系统设计

针对核辐射应急处理机器人驱动系统体积小、驱动能力强且操控灵活的需求,基于IR2184驱动并联MOS管H桥电路,设计了一种适用于特种机器人的低电压大功率电机驱动系统。系统针对驱动中的尖峰问题设计了RCD吸收回路,并针对MOS并联中的局部过流问题设计了均流保护电路。实验表明,驱动电压为24 V时,驱动电流最大可达100 A,最终实现了对特种机器人的可靠控制。

数控电源整流二极管换流振荡分析与抑制

分析了采用全波整流方式的移相全桥零电压(ZVS)开关DCDC电源变换器在副边换流过程前后,其整流二极管上流过的反向恢复电流引起电路寄生电感电容间谐振的过程与机理,建立其等效简化电路与振荡幅值数学模型;再运用上述模型分析了电路寄生电感电容参数对振荡的影响;最后讨论了两种振荡抑制措施,着重分析了副边RCD吸收电路的抑制方案;给出了RCD吸收电路参数计算方法并在Saber与搭建的500 W的移相全桥样机上进行了对比实验,证明了合理设计的RCD吸收电路能够有效抑制振荡。

基于SiC MOSFET三电平Buck变换器电压尖峰抑制研究

SiC MOSFET工作频率高,温度稳定性好,应用于三电平Buck变换器中可以减小系统损耗,提高系统效率,但SiC MOSFET的高频特性会使其开关过程中的电压尖峰更为严重。针对该问题,分析了三电平Buck电路SiC MOSFET开关过程及瞬态电压尖峰产生机理;在传统的充放电型RCD吸收电路的基础上加以优化改进,设计了一种低损耗型RCD吸收电路作为电压尖峰抑制方法。首先,对充放电型RCD吸收电路和改进后的低损耗型RCD吸收电路的工作原理及损耗进行对比分析;其次,搭建了三电平Buck变换器实验装置,对吸收电容和电阻进行参数设计;最后,通过实验验证了低损耗型RCD吸收电路的有效性、参数设计的合理性;结合理论分析和实验结果表明,相比于带充放电型RCD吸收电路,带低损耗型RCD吸收电路的三电平Buck变换器具有更低的损耗。

轻轨车应急通风电源设计

介绍轻轨车应急通风电源的工作原理、主电路结构、以及其逆变部分SVPWM的实现方法,给出了软件控制流程,并针对变压器副边出现的整流桥寄生振荡问题,设计了最优的RCD缓冲吸收电路。最后,研制了系统样机并进行了试验验证。

基于阻尼系数的PEF系统输出方波波形特性影响因素

高压脉冲电场技术是一种新型的非热食品加工处理技术,其对输出脉冲参数有着严格的要求。基于IEEE脉冲变压器等值参数模型,研究了双极性脉冲方波脉冲电场技术（PEF）系统的阻尼系数与脉冲输出方波波形特性的关系,重点考察了负载阻抗、回路寄生参数等对系统阻尼系数的影响。理论和试验研究发现：负载阻抗越小,系统阻尼系数越大,脉冲上升时间越大;回路寄生参数影响系统上升阶段阻尼系数σrsys,输出方波上升时间增大;箝位式RCD缓冲吸收电路改变了系统分布参数能量释放通道,系统下降阶段阻尼系数σfsys减小,输出方波下降时间增大。由此可见,系统阻尼系数对PEF系统输出方波波形特性有着重要的影响,因而对于PEF系统输出方波波形优化,需基于系统阻尼系数综合考虑波形特性影响因素的作用。

IGBT控制大电流脉冲放电时的过压保护

IGBT在控制脉冲大电流时,回路杂散电感中存在较高电流变化率所形成的纳秒高尖峰电压,从而产生过压损坏。通过分析3种类型(C型、RC型和RCD型)吸收电路的特点,采用RCD型和C型吸收电路的组合后,可以有效地使尖峰能量向脉冲后沿分散,使高压尖峰转化为低压震荡。最终可将IGBT在关断时的C-E极间电压控制在不超过母线电压的1/3,从而达到保护IGBT的目的。

嵌入PSR与PFC技术的单级LED驱动应用研究

为了提高LED驱动电源的可靠性和功率因数,降低LED驱动电源成本,采用了集成PWM、PFC、原边反馈(PSR)控制的单芯片技术;分析了其工作原理,并对核心电路进行优化设计来提升产品可靠性和效率,降低成本。实验结果表明,优化后的电源功率因数大于0.95,总谐波小于20%,效率达85%以上,成本比次级反馈方案明显降低,产品可靠性得到有效提升。此设计外围电路简单、功率因数高、可靠性高、成本低,有利于推广。

大功率瞬变电磁发射机的仿真与研制

本文主要介绍了大功率瞬变电磁发射机的仿真与研制,本文从各个不同的吸收回路出发,分析各个吸收回路的工作原理,仿真模拟各个吸收回路的关断波形,从中选择最佳吸收回路放电阻止型RCD吸收回路,并进行大量实验进行对比,最终成功研制出大功率瞬变电磁发射机,且经过实际测量,完全满足大功率瞬变电磁发射机的需求。