1.3μm Ga In NAs量子阱 RCE光探测器(英文)

采用配有 dc- N plasma N源的分子束外延 (MBE)技术在 Ga As衬底上生长制作了工作波长为 1 ,3 μm的 Ga In NAs量子阱 RCE探测器 .采用传输矩阵法对器件结构进行优化 .吸收区由三个 Ga In NAs量子阱构成 ,并用湿法刻蚀和聚酰亚胺对器件进行隔离 .在零偏压下 ,器件最大的量子效率为 1 2 %,半峰值全宽 (FWHM)为 5 .8nm,3 d B带宽为 3 0 MHz,暗电流为 2× 1 0 - 11A.通过对 MBE生长条件和器件结构的优化 ,将进一步提高该器件的性能 .

谐振腔增强型光探测器的优化设计

在光通信系统中,量子效率和响应速率是光电探测器的2个重要的参数,要获得高的量子效率就必须增大吸收层的厚度,而增大吸收层的厚度将导致载流子渡越时间的延长,从而使响应速率下降.谐振腔增强型光探测器(Resonant Cavity Enhanced Photo Detector,简称REC)可以有效地解决量子效率与响应速率之间相互制约关系.笔者从实际的长波长RCE出发,充分考虑器件制备的工艺难度,综合分析其各方面因素,并对器件整体设计进行优化.

基于双吸收结构的谐振腔增强型光探测器

为了实现对传统谐振腔增强型(RCE)光探测器的优化,提出了一种具有双吸收结构的RCE光探测器。首先从理论上分析了它的量子效率和高速响应特性,然后将其与传统的RCE光探测器进行了比较。结果表明,双吸收结构RCE光探测器在保持高速响应特性的基础上,其量子效率较传统RCE光探测器得到了进一步提高。实验上成功制备了双吸收结构的RCE光探测器,其在1 525 nm波长处获得了63%的峰值量子效率。