H_2三光子共振增强电离光谱中的反常压力效应

在H2和的三光子共振增强多光子电离光谱中观察到反常压力现象，其中有些是首次报导的．线移、线展宽、线分裂和光谱强度的负压效应都可以用三次谐波再吸收的机理解释．用考虑了相位区配条件导出的近似表达式计算的不同压力下线移、线分裂、光谱强度与实验结果一致．用新设计的串联二对电极的气体池得到的光谱直接证明了三次谐波再吸收的机理，圆偏振光实验无信号也支持上述机理．

SiH_4的共振多光子电离光谱

SiH_4是生产半导体材料的重要原料。近年来对该分子的电子能级、解离和电离的研究逐渐深入,成为一个非常活跃的研究课题。SiH_4在可见与近紫外区是透明的,只有用真空紫外光才能研究它的吸收光谱。Y.Harada等首次得到了它的很粗的吸收谱。

四甲基硅多光子电离的光谱研究

本文利用平行板电离池研究了四甲基硅(TMS)的共振多光子电离(REMPI),得到了激光激发波长在371.00～410.00nm范围内的平行板电离池条件下的REMPI谱.首次观察到了激光激发波长在371.00～410.00nm范围内的多光子电离光谱具有明显的共振结构,首次获得了平行板电离池条件下9个波长处相对粒子信号强度与激光能量之间的关系以及396.04nm处TMS气体的压力与相对离子信号强度之间的关系,主要讨论了TMS的REMPI机理,得出了TMS的解离/电离机理主要为B类光化学行为的结论.