二次侧附加电容磁复位正激变换器电气性能分析及参数设计

由于二次侧附加电容磁复位正激变换器具有结构简单等优点,因此有着较好的应用前景,但目前尚未见附加电容对电气性能影响及其设计方法的研究报道。为此,该文通过深入分析附加电容C_(b)对变换器工作模式和能量传输过程的影响,指出变换器存在四种组合工作模式,且励磁电感断续导通模式(DCM)/正激电感连续导通模式(CCM)最佳。C_(b)不仅能将励磁能量传输到负载,还可调节开关管电压应力,在负载不太大时实现续流二极管零电流关断(ZCS)和开关管低电压导通。通过分析C_(b)对变换器电气性能的影响,指出开关管电压应力随C_(b)增大而降低,开关管低电压导通性能随C_(b)和正激电感的减小而提升,并提出了一种确保变换器工作于最佳模式且可最大程度提升电气性能的参数设计方法。实例和实验结果验证了理论分析的正确性和设计方法的可行性。

电流互感器抗震性能与隔震试验研究

瓷柱型电气设备是变电站最常见的室外高压电气设备,抗震能力较差,历次震害表明该设备损坏是造成电力系统功能失效的主要原因。对110 kV电流互感器进行振动台试验,原设备与安装滑动自复位隔震支座设备同时进行试验,测定设备在不同地震动强度、不同地震波作用下关键位置加速度、位移和应变响应,分析电流互感器抗震性能和隔震支座隔震效果。研究结果表明,地震动峰值加速度为0.4 g时,电流互感器瓷套管根部最大应力为22.4 MPa,电流互感器加速度放大系数为3~8;滑动自复位隔震支座明显降低了电流互感器自振频率,瓷柱型电气设备瓷套管顶部加速度响应降低了80%以上,瓷套管根部应变响应不同程度地降低,说明滑动自复位隔震支座具有良好的隔震效果。

Ge_2Sb_2Te_5相变存储单元有源区对RESET电流影响的研究

应用透射电子显微镜技术和数值模拟计算,对基于材料Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器单元有源区RESET电流的影响进行了研究,主要包括有源区晶粒结构和晶粒区域大小对RESET电流的影响。综合分析透射电子显微镜、数值模拟和实际测试结果,最终发现通过得到较大的材料晶粒为立方晶相的有源区域,可以有效地降低后续操作的RESET电流。

Effects of Linear Falling Ramp Reset Pulse on Addressing Operation in AC PDP

The effects of linear falling ramp reset pulse related to addressing operation in an alternating current plasma display panel （AC PDP） were studied. The wall charge waveforms were measured by the electrode balance method in a 12-inch coplanar AC PDP. The wall charge waveforms show the relationship between the slope ratio of the falling ramp reset pulse and the wall charges at the end of the falling ramp reset pulse which influences the addressing stability. Then the effects of the slope ratio of the linear falling ramp reset pulse on the addressing voltage and addressing time were investigated. The experimental results show that the minimum addressing voltage increases with the increase of the slope ratio of the falling ramp reset pulse, and so does the minimum addressing time. Based on the experimental results, the optimization of the addressing time and the slope ratio of the falling ramp pulse is discussed.

一种新颖的宽范围双管正激型DC/DC变换器

该文提出了一种RCD复位双管正激型DC／DC变换器。它继承了RCD复位单管正激变换器占空比可以大于50％的优点，克服了RCD复位单管正激变换器开关电压应力大和励磁能量完全消耗在R上而使得变换效率低的缺点。所推荐的RCD复位双管正激型DC／DC变换器的复位电容只起到补偿复位的作用，复位电阻R上消耗的能量只是原来RCD复位单管正激变换器的几分之一。因此该变换器可以应用于高压输入场合或是宽范围、高效率要求的场合，可提高RCD复位方式的可行性和实用性。最后通过实验证实了该拓扑上述的优点。

面阵CCD信号采集系统的噪声抑制

分析了CCD输出噪声及其一般抑制方法,提出了一种基于面阵CCD信号采集系统的噪声抑制方法。设计了CCD信号采集系统的噪声抑制电路和处理电路,应用于CCD442A型面阵CCD;并使用积分球对采集系统进行辐射定标,计算得到系统的信噪比。仿真和辐射定标实验表明,该面阵CCD信号采集系统具有相关双采样和暗电平校正功能,抑制了CCD输出信号的复位噪声和暗电流噪声;在中等照度条件下,系统信噪比达到40dB。

微光CCD相机的噪声分析与处理

分析了微光CCD图像传感器的噪声特性 ,针对不同的噪声源 ,根据相应的噪声产生原理 ,设计了实用的噪声抑制电路和处理电路 ,应用于选用ISD0 2 9AP型CCD图像传感器自己开发的微光CCD相机 ,有效地降低了暗电流噪声 ,消除了复位噪声对真正信号的影响 ,使相机具有良好的成像质量 ;为了进一步提高该相机的信噪比 ,提出了相应的校正算法 ,进一步降低了暗电流噪声 ,降低了CCD像素间光响应的不一致性带来的噪声 。

基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统

相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作,目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作,这不仅容易造成器件的损坏,而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同,文章提出一种专门针对相变存储器的电流脉冲测试系统,该系统可以提供准确可控的电流脉冲来对相变存储器器件单元进行操作。

一种具有长复位延时的上电复位电路的设计

为满足大规模So C系统对长复位延时的需求,提出了一种带有掉电检测功能的低功耗新型上电复位(POR)电路.该POR电路采用Charted 0.35μm CMOS工艺,电源电压为3.3 V,稳态工作电流仅为10μA,版图面积为130μm×110μm.仅用一个p F级的片上电容,就可以实现100 ms以上的复位延时,并且使用基准电流源,使得复位延时随温度变化不明显,当温度从-40℃变化到90℃时,复位延时从108.32 ms变到98.95ms,变化小于10%.

科学级CCD相机的噪声分析及处理技术

为了降低科学级CCD相机的噪声,提高相机的成像质量,针对不同的噪声源,根据相应的噪声产生原理,设计了实用的噪声抑制电路和处理电路。应用于选用DALSA IL-E2型TDI-CCD图像传感器自己开发的科学级CCD相机,有效地降低了暗电流噪声,消除了复位噪声对真正信号的影响,使相机的成像质量得到提高。通过实验证明,该科学级CCD相机的输出信噪比能达到50 dB。

单相并联型有源滤波器的鲁棒电流控制方法

有源滤波器与无源滤波器相比有很多优点,是消除或限制电力系统谐波污染的一种有效措 施。电流环的控制是有源滤波器控制的关键部分。传统的并联型有源滤波器需要对多个电流进行 采样,文中提出一种仅采样电源电流的新方法。考虑到对瞬时电流控制时容易引入噪声,影响系统 的稳定性,文中在无差拍控制的基础上,提出了采用可复位积分器作为输入滤波器的平均电流控制 方法,该方法对参数的变化和采样噪声及周期噪声都有很强的鲁棒性。仿真和实验证实了该方法 的有效性。

固态化高功率长脉冲驱动源重频特性

基于固态化磁开关、低阻抗脉冲形成网络和感应电压叠加等关键技术,提出并研制了一台固态化高功率长脉冲驱动源。在前期通过2 GW单次实验验证技术方案的基础上,研制了中等电压等级的重复频率初级电源;改进了两级磁脉冲压缩系统的复位和绝缘特性;优化了系统整体电路结构,利用感应电压叠加器完成充电磁开关和脉冲升压的双重功能;设计了合理的复位路径,实现了各部分磁芯的在线直流复位;并开展了重频运行研究。在电阻负载上获得了输出功率2.1 GW、脉宽约170 ns、重复频率20 Hz及运行时间1 s的实验结果,脉冲波形的重叠一致性好。

新型微型光伏并网逆变器的分析与实验

微型光伏并网逆变器具有高可靠性、可模块化等优点。针对一种新型的微型光伏并网逆变器(T型三电平逆变器)进行研究,分析其在边界电流导通模式(BCM)下的工作原理和中点电位不平衡原因,提出均压调制策略;采用自适应复位电流控制方法,优化了逆变器的效率,同时解决了轻载条件下开关频率过高的问题;搭建了一台300 W实验样机,实验结果验证了控制策略的可行性,提高了逆变器的效率。

一种片内电流模比较增强型上电复位电路

介绍了一种片内电流模比较增强型上电复位电路。与传统的片内上电复位电路相比,该上电复位电路避免了二极管复位电路复位信号不彻底和基准增强型上电复位电路较复杂的缺点,利用简单的二极管箝位模块、电流模比较模块和逻辑电平迟滞模块,增强了上电复位信号,有利于后续逻辑单元的翻转。电路采用标准0.35μm CMOS工艺进行设计和流片。芯片样品电路测试结果表明,在3.3V电源电压下,电路工作正常,其上电复位逻辑高电平约2.3V,比普通二极管复位电路高约0.8V,有利于后续逻辑单元的翻转,且电路结构比基准型复位电路简单。

一种具有零稳态电流的新型上电复位电路

为实现具有超低功耗且稳定可靠的上电复位电压输出,提出了基于电平检测的具有零稳态电流的新型上电复位电路,该电路由电平检测电路、状态锁存电路和欠压检测电路组成,通过在上电复位之后切断电平检测电路的电源实现复位稳定后的零稳态电流,其输出复位电压的状态由状态锁存电路锁存.该电路采用0.18μm Bi-CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V.Cadence Spectre的仿真结果表明,该电路在上电复位结束后的稳态仅有数纳安的漏电流,起拉电压和欠压检测电压受温度影响很小,因而适用于集成到超大规模片上系统(SoC)芯片中.

基于双管正激的电容器充电电源控制策略研究

分析了一种变压器二次侧采用二极管全桥不控整流的双管正激型电容器充电电源,其磁复位由直流电源和充电电容共同完成,增加了开关周期内传输的能量。详细分析了电路的工作原理和输出特性,比较了电容器充电过程中传统脉宽调制和开关频率调节两种控制方法。指出在恒流充电要求下,基于开关频率调节的控制策略有助于提高充电速率,并通过Matlab/Simulink仿真和实验验证了理论分析的正确性。

基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源

基于相变单元电压操作的局限性,提出一种电流编程操作的方法。针对纳秒级快速相变的需求,设计了一款高速可编程的脉冲电流源,采用0.35μm标准CMOS工艺。结果显示:在10MHz编程速度的条件下,驱动脉冲电流能够良好地跟随控制信号的脉冲波形;当编程信号频率从500kHz到10 MHz变化时,输出电流变化为4.5%;当编程电阻从200Ω到10kΩ变化时,输出电流精度误差不到3%,芯片面积为0.84mm2。在高速可编程脉冲电流源的测试平台上,对相变单元进行电流编程操作,结果显示,相变电阻能够可靠地进行晶态-非晶态的高速可逆相变。

母线差动保护电流互感器断线闭锁功能存在问题及其改进方法

介绍和分析母线差动(简称母差)保护电流互感器(current transformer,CT)和支路CT的断线情况及断线告警和闭锁功能复归方式存在的问题及改进方法,母差保护支路CT不平衡判据存在的问题及改进方法,母差保护CT断线闭锁相别选择存在的问题及改进方法;目的是提高母差保护的整体性能,保障电力系统的安全稳定运行。

多功能SrTiO_3压敏电阻器及其应用

ＳｒＴｉＯ３多功能陶瓷压敏电阻器具有可克服ＺｎＯ压敏电阻器不足之处的多种电气功能。在低电压下具有较大电容量的电容器功能（电容量大于０．０１μＦ）；在高于电压临界值又具有压敏电阻器功能：电压非线性系数大于１５，耐浪涌电流可达１８００Ａ／ｃｍ２。它所具有的吸收高频噪声、前沿快速上升噪声及自复位功能，使其在电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌电压、保护双向可控硅开关器件、旁路电容器。

一种基于FPGA控制的新型CCD驱动电路设计

设计出一种新型的FPGA编程控制CCD驱动电路方法。通过仿真与实验结果表明,该方法能实现CCD的驱动时序、采样和信号输出。该方法采用VHDL语言,电路设计简单化、直观化、稳定性高,容易修改;采用PCI总线,电路能迅速完成采集和传输。该设计具有较好的性价比和抗噪声性能。