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RESURF 二极管的低温优化模型
1
作者
唐本奇
王晓春
+1 位作者
高玉民
罗晋生
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1997年第4期96-98,共3页
首次建立了RESURF二极管的低温优化模型,推导出77K~300K范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式,给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。该模型可应用于LDMOST和LIGBT等RESURF器件的低温优...
首次建立了RESURF二极管的低温优化模型,推导出77K~300K范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式,给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。该模型可应用于LDMOST和LIGBT等RESURF器件的低温优化设计。
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关键词
二极管
击穿电压
resurf二极管
低温优化模型
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职称材料
题名
RESURF 二极管的低温优化模型
1
作者
唐本奇
王晓春
高玉民
罗晋生
机构
西安交通大学
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1997年第4期96-98,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
首次建立了RESURF二极管的低温优化模型,推导出77K~300K范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式,给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。该模型可应用于LDMOST和LIGBT等RESURF器件的低温优化设计。
关键词
二极管
击穿电压
resurf二极管
低温优化模型
Keywords
cryogenics
breakdown voltage
model/drift region length
分类号
TN310.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
RESURF 二极管的低温优化模型
唐本奇
王晓春
高玉民
罗晋生
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1997
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