1
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RESURF原理应用于SOI LDMOS晶体管 |
富力文
阎力大
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
7
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2
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有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制 |
方健
张正璠
雷宇
乔明
李肇基
张波
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
6
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3
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改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管 |
何进
张兴
黄如
林晓云
何泽宏
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
2
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4
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RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文) |
何进
张兴
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
1
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5
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双导层结构横向功率器件的导通电阻模型及应用研究 |
胡文嘉
谢晓尧
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《贵州师范大学学报(自然科学版)》
CAS
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2014 |
0 |
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