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TFSOIRESURF器件电势和电场分布的解析研究
1
作者 李文宏 罗晋生 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期432-436,共5页
在物理模型的基础上,对TFSOIRESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、埋层SiO2 厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次定量分析了在工艺加工过程中必然引入的场SiO2 界面... 在物理模型的基础上,对TFSOIRESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、埋层SiO2 厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次定量分析了在工艺加工过程中必然引入的场SiO2 界面电荷密度的影响。 展开更多
关键词 SOI resurf器件 解析模型 电势 电场
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TFSOI RESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型(英文) 被引量：1
2
作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期402-408,共7页
提出了 TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得最大击穿电压的优化条件。讨论了击穿电压和漂移区长度及临界掺杂... 提出了 TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得最大击穿电压的优化条件。讨论了击穿电压和漂移区长度及临界掺杂浓度和场氧化层、埋氧化层的关系 .解析结果与半导体器件数值分析工具 DESSISE-ISE得到的数值分析基本一致 ,证明了新解析模型的适用性 . 展开更多
关键词 TFSOI resurf器件 表面电场分布 功率器件 优化设计 解析模型
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