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TFSOIRESURF器件电势和电场分布的解析研究
1
作者
李文宏
罗晋生
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期432-436,共5页
在物理模型的基础上,对TFSOIRESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、埋层SiO2 厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次定量分析了在工艺加工过程中必然引入的场SiO2 界面...
在物理模型的基础上,对TFSOIRESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、埋层SiO2 厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次定量分析了在工艺加工过程中必然引入的场SiO2 界面电荷密度的影响。
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关键词
SOI
resurf器件
解析模型
电势
电场
下载PDF
职称材料
TFSOI RESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型(英文)
被引量:
1
2
作者
何进
张兴
+1 位作者
黄如
王阳元
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期402-408,共7页
提出了 TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得最大击穿电压的优化条件。讨论了击穿电压和漂移区长度及临界掺杂...
提出了 TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得最大击穿电压的优化条件。讨论了击穿电压和漂移区长度及临界掺杂浓度和场氧化层、埋氧化层的关系 .解析结果与半导体器件数值分析工具 DESSISE-ISE得到的数值分析基本一致 ,证明了新解析模型的适用性 .
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关键词
TFSOI
resurf器件
表面电场分布
功率
器件
优化设计
解析模型
下载PDF
职称材料
题名
TFSOIRESURF器件电势和电场分布的解析研究
1
作者
李文宏
罗晋生
机构
西安交通大学微电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期432-436,共5页
文摘
在物理模型的基础上,对TFSOIRESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、埋层SiO2 厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次定量分析了在工艺加工过程中必然引入的场SiO2 界面电荷密度的影响。
关键词
SOI
resurf器件
解析模型
电势
电场
Keywords
SOI
resurf
device
Analytical model
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
TFSOI RESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型(英文)
被引量:
1
2
作者
何进
张兴
黄如
王阳元
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期402-408,共7页
基金
国家基础研究项目!"系统芯片中新器件新工艺的基础研究"的资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 36 5 )
文摘
提出了 TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得最大击穿电压的优化条件。讨论了击穿电压和漂移区长度及临界掺杂浓度和场氧化层、埋氧化层的关系 .解析结果与半导体器件数值分析工具 DESSISE-ISE得到的数值分析基本一致 ,证明了新解析模型的适用性 .
关键词
TFSOI
resurf器件
表面电场分布
功率
器件
优化设计
解析模型
Keywords
TFSOI
resurf
devices
surface electric field distribution
potential profile
breakdown voltage
optimum design
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
TFSOIRESURF器件电势和电场分布的解析研究
李文宏
罗晋生
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
下载PDF
职称材料
2
TFSOI RESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型(英文)
何进
张兴
黄如
王阳元
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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职称材料
已选择
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参考文献
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