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一种带有背电极的高耐压AlGaN/GaN RESURF HEMT
被引量:
4
1
作者
赵子奇
杜江锋
杨谟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期855-858,共4页
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构。该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道...
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构。该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道横向电场分布更加均匀,从而提升器件击穿电压。仿真结果表明,对于栅漏间距为6μm的器件,背电极的引入使器件击穿电压得到显著提升(从1 118V增至1 670V),同时对器件导通电阻几乎没有影响(从0.87mΩ·cm2增至0.88mΩ·cm2)。研究结果为高耐压大功率AlGaN/GaN HEMT设计提供了一种新思路。
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关键词
A1GaN
GaN
高电子迁移率晶体管
resurf背电极
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职称材料
题名
一种带有背电极的高耐压AlGaN/GaN RESURF HEMT
被引量:
4
1
作者
赵子奇
杜江锋
杨谟华
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期855-858,共4页
文摘
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构。该背电极通过感应诱生负电荷调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道横向电场分布更加均匀,从而提升器件击穿电压。仿真结果表明,对于栅漏间距为6μm的器件,背电极的引入使器件击穿电压得到显著提升(从1 118V增至1 670V),同时对器件导通电阻几乎没有影响(从0.87mΩ·cm2增至0.88mΩ·cm2)。研究结果为高耐压大功率AlGaN/GaN HEMT设计提供了一种新思路。
关键词
A1GaN
GaN
高电子迁移率晶体管
resurf背电极
Keywords
AIGaN/GaN
HEMT
resurf
Back electrode
分类号
TN45 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种带有背电极的高耐压AlGaN/GaN RESURF HEMT
赵子奇
杜江锋
杨谟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
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