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Performance Prospects of Fully-Depleted SOI MOSFET-Based Diodes Applied to Schenkel Circuit for RF-ID Chips
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作者 Yasuhisa Omura Yukio Iida 《Circuits and Systems》 2013年第2期173-180,共8页
The feasibility of using the SOI-MOSFET as a quasi-diode to replace the Schottky-barrier diode in the Schenkel circuit is examined by device simulations primarily and experiments partly. Practical expressions of boost... The feasibility of using the SOI-MOSFET as a quasi-diode to replace the Schottky-barrier diode in the Schenkel circuit is examined by device simulations primarily and experiments partly. Practical expressions of boost-up efficiency for d. c. condition and a. c. condition are proposed and are examined by simulations. It is shown that the SOI-MOSFET-based quasi-diode is a promising device for the Schenkel circuit because high boost-up efficiency can be gained easily. An a. c. analysis indicates that the fully-depleted condition should hold to suppress the floating-body effect for GHz-level RF applications of a quasi-diode. 展开更多
关键词 rf-ID Schenkel circuit SOI-MOSFET Quasi-Diode LOW-POWER
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基于RFID的集成电路产品信息溯源系统
2
作者 张冬梅 《信息与电脑》 2023年第3期157-159,共3页
常规的集成电路产品信息溯源系统使用去中心化分布式网络认证溯源节点,易受复杂的节点业务逻辑影响,导致信息溯源系统运行异常。针对上述问题,基于射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)设计了一个全新的集成电路产品信息... 常规的集成电路产品信息溯源系统使用去中心化分布式网络认证溯源节点,易受复杂的节点业务逻辑影响,导致信息溯源系统运行异常。针对上述问题,基于射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)设计了一个全新的集成电路产品信息溯源系统。系统硬件部分设计了远距离无线电(Long Range Radio,LoRa)通信接口及RFID读写器。系统软件部分结合溯源关系,设置了信息溯源共识机制,构建了溯源智能合约。系统测试结果表明,设计的集成电路产品信息溯源系统性能良好,可靠性较高,符合集成电路产品的信息溯源需求,具有一定的应用价值,为后续集成电路智能化加工作出了一定的贡献。 展开更多
关键词 射频识别技术(rfID) 射频(rf) 集成 电路 产品信息 溯源系统
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用于射频能量收集的低阈值CMOS整流电路设计
3
作者 徐雷钧 孙鑫 +1 位作者 白雪 陈建锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期365-372,共8页
基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低... 基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低了整流电路的开启阈值电压,针对较低输入信号功率,提高了整流电路的功率转换效率(PCE)。同时将低阈值整流电路三级级联以提高输出电压。测试结果显示,在输入信号功率为-14 dBm@915 MHz时,三级级联低阈值整流电路实现了升压功能,能稳定输出1.2 V电压,峰值PCE约为71.32%。相较于传统结构,该低阈值整流电路更适合用于射频能量收集。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 射频能量收集 低阈值电压 rf-DC整流电路 差分输入交叉耦合整流电路
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硅基RF平面螺旋电感的圈数对品质因子的影响 被引量:3
4
作者 李小进 石艳玲 +1 位作者 赖宗声 朱自强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期972-976,共5页
从硅衬底RF集成电路中平面螺旋电感的品质因子Q的表达式出发 ,采用ADS软件模拟计算了平面螺旋集成电感L值与品质因子Q值 .通过两组电感Q值的对比 ,发现品质因子Q随着电感圈数的增加而减小 .以电感值为 3 2 8nH的设计为例 ,将电感圈数从 ... 从硅衬底RF集成电路中平面螺旋电感的品质因子Q的表达式出发 ,采用ADS软件模拟计算了平面螺旋集成电感L值与品质因子Q值 .通过两组电感Q值的对比 ,发现品质因子Q随着电感圈数的增加而减小 .以电感值为 3 2 8nH的设计为例 ,将电感圈数从 2增加到 6 ,计算得到的品质因子Q从 4 3(@1 1GHz)降低到 2 7(@1 4GHz) ,模拟计算结果与理论分析相吻合 . 展开更多
关键词 rf集成电路 平面螺旋电感 电感圈数 品质因子
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内置RF电路对增益开关工作的不利影响 被引量:1
5
作者 刘元山 张建国 赵卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期13-17,共5页
对设有内置式RF电路的分布反馈(DFB)半导体激光器在增益开关工作状态下出现反常光谱的原因进行了分析.分别对该激光器在正常工作(即小信号驱动)和增益开关(即大信号驱动)情况下的时域和频域输出结果进行了对比和分析,研究发现内置式RF... 对设有内置式RF电路的分布反馈(DFB)半导体激光器在增益开关工作状态下出现反常光谱的原因进行了分析.分别对该激光器在正常工作(即小信号驱动)和增益开关(即大信号驱动)情况下的时域和频域输出结果进行了对比和分析,研究发现内置式RF电路的瞬态失效是导致增益开关DFB激光器产生多波长光谱的原因. 展开更多
关键词 增益开关激光器 超短光脉冲 DFB激光器 多波长光谱 rf电路
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发展中的RF MEMS开关技术 被引量:7
6
作者 张永华 丁桂甫 +1 位作者 蔡炳初 蒋振新 《微纳电子技术》 CAS 2003年第5期28-32,共5页
射频MEMS开关是用MEMS技术形成的新的电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大的影响。介绍了射频MEMS开关的工作原理、优化设计,分析了可靠性问题,举例说明... 射频MEMS开关是用MEMS技术形成的新的电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大的影响。介绍了射频MEMS开关的工作原理、优化设计,分析了可靠性问题,举例说明了射频MEMS开关的应用,指出了其发展所面临的问题。 展开更多
关键词 射频MEMS开关 电路元件 半导体开关器件 插入损耗 工作原理 优化设计 可靠性 高频电路
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一种便携式超高频RFID读写器的设计 被引量:9
7
作者 汪大卓 孙玲玲 蔡鹏鹏 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2010年第5期33-36,共4页
该文首先分析了超高频RFID读写器的硬件架构,然后对AS3992芯片的特性进行了介绍,对其关键指标进行了分析,随后对RFID信道中的损耗进行了估算;该设计采用AS3992内部低功率线性输出,设计了对应的射频前端电路,并进行了ADS仿真验证,最后分... 该文首先分析了超高频RFID读写器的硬件架构,然后对AS3992芯片的特性进行了介绍,对其关键指标进行了分析,随后对RFID信道中的损耗进行了估算;该设计采用AS3992内部低功率线性输出,设计了对应的射频前端电路,并进行了ADS仿真验证,最后分析了ISO/IEC 18000-6B数字基带中的清点标签流程,对读写器进行了性能指标测试。 展开更多
关键词 超高频射频识别 信道估算 射频电路匹配 数字基带
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可编程RF收发器CC1100的原理及开发 被引量:28
8
作者 孙维明 石江宏 陈岳林 《国外电子元器件》 2007年第9期40-42,共3页
介绍了Chipcon公司推出的一款具有极低功耗的可编程RF收发器CC1100的功能特点,给出了CC1100的应用电路设计及芯片配置方法,最后讨论了RF开发中常见的问题及解决方案。
关键词 rf CC1100 电路设计 芯片配置
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小型RFCO_2激光器的电路保护 被引量:2
9
作者 王又青 郭振华 +1 位作者 卢益民 许德胜 《激光技术》 EI CAS CSCD 1995年第5期306-308,共3页
本文详细分析研究了小型射频CO_2激光器经常出现的故障现象(过压、负载短路故障),并介绍了相应的保护措施,对实际工作有显著指导意义。
关键词 rf激励 二氧化碳激光器 电路保护
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RF无线射频电路设计中的常见问题及设计原则 被引量:4
10
作者 杨承恩 林永生 杜佳璐 《国外电子元器件》 2006年第4期69-70,74,共3页
详细介绍RF电路设计中的常见问题及其解决方案。
关键词 PCB 无线射频 rf电路 设计
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高频RFID读写器射频模拟前端的实现 被引量:7
11
作者 刘冬生 邹雪城 杨秋平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期669-672,679,共5页
射频识别(RFID)系统主要由RFID读写器和RFID电子标签两部分组成。给出了高频(13.56MHz)RFID系统中读写器射频模拟前端的电路设计,符合ISO/IEC14443typeA/typeB,ISO/IEC15693和ISO/IEC18000-3中任一个标准的读写器芯片设计均可采用,设计... 射频识别(RFID)系统主要由RFID读写器和RFID电子标签两部分组成。给出了高频(13.56MHz)RFID系统中读写器射频模拟前端的电路设计,符合ISO/IEC14443typeA/typeB,ISO/IEC15693和ISO/IEC18000-3中任一个标准的读写器芯片设计均可采用,设计工艺采用了中芯国际0.35μm2P3M混合CMOS技术,并给出了Cadence环境下的仿真结果。 展开更多
关键词 射频识别 读写器 射频模拟前端 调谐电路 接收电路
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UHF RFID读写器射频前端电路设计 被引量:3
12
作者 陈颖 张福洪 陈少杰 《电子器件》 CAS 2008年第6期1857-1859,1863,共4页
RFID近年来发展迅速,广泛应用在物流、交通、军事等领域。在研究RFID读写器设计的基础上,提出了符合EPCClass-1,Generation-2标准的UHF RFID读写器射频前端的电路设计方案,着重设计了射频前端中频滤波模块和低噪声放大模块的电路。电路... RFID近年来发展迅速,广泛应用在物流、交通、军事等领域。在研究RFID读写器设计的基础上,提出了符合EPCClass-1,Generation-2标准的UHF RFID读写器射频前端的电路设计方案,着重设计了射频前端中频滤波模块和低噪声放大模块的电路。电路设计基于0.18μmCMOS工艺标准的单元库,采用EDA工具对电路进行了性能分析。仿真结果表明中频滤波模块和低噪声放大模块性能良好,符合EPC Class-1,Generation-2标准。 展开更多
关键词 UHFrfID 电路设计 EDA 射频前端
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铁氧体磁膜RF集成微电感等效电路分析(英文) 被引量:1
13
作者 任天令 杨晨 +3 位作者 刘锋 刘理天 王自惠 张筱 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期511-515,共5页
针对已制作并发表的一种新型铁氧体磁膜结构射频集成微电感进行了等效电路分析.阐述了磁性铁氧体薄膜对电感的感值(L)和品质因数(Q)的增强作用.对射频测试结果进行了电路元件参数提取.结果表明,与空气芯无磁膜微电感相比,磁膜结构微电感... 针对已制作并发表的一种新型铁氧体磁膜结构射频集成微电感进行了等效电路分析.阐述了磁性铁氧体薄膜对电感的感值(L)和品质因数(Q)的增强作用.对射频测试结果进行了电路元件参数提取.结果表明,与空气芯无磁膜微电感相比,磁膜结构微电感的L和Q在2GHz处分别提高了17 %和40 %.等效电路分析和测试结果均证明了铁氧体薄膜的引入对增强射频集成微电感性能的作用显著. 展开更多
关键词 电感 等效电路 铁氧体薄膜 射频集成电路
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基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术 被引量:2
14
作者 程加力 韩波 +2 位作者 李寿林 翟国华 高建军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期591-594,603,共5页
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻... STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。 展开更多
关键词 等效电路模型 参数提取 射频MOSFET GAAS STATZ模型 直流模型
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基于AS3992的超高频RFID读写器硬件设计 被引量:1
15
作者 徐丽萍 《南京工业职业技术学院学报》 2013年第2期28-30,共3页
分析了读写器在RFID系统中的作用及读写器硬件结构,给出了一款基于AS3992芯片的读写器硬件设计方案。该读写器工作频率的范围为860MHz-960MHz可调,符合ISO18000-6C的主流标准,能完成符合EPC Gen2标准的电子标签的所有读写及控制操作。
关键词 超高频射频识别 读写器 硬件架构 射频电路 基带电路
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RF ID智能卡可靠性预计模型的研究
16
作者 张超 阳辉 +2 位作者 方葛丰 陈洪云 何怡刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期776-778,784,共4页
通过对集成电路可靠性预计模型的理论和RF ID智能卡结构的研究,结合MIL-HDBK-217F,建立了RF ID智能卡可靠性预计模型,使RF ID智能卡研制进程有定量分析结果作为依据,避免了因缺乏实现可靠性、维修性指标所必须采取的技术措施,或因所采... 通过对集成电路可靠性预计模型的理论和RF ID智能卡结构的研究,结合MIL-HDBK-217F,建立了RF ID智能卡可靠性预计模型,使RF ID智能卡研制进程有定量分析结果作为依据,避免了因缺乏实现可靠性、维修性指标所必须采取的技术措施,或因所采取的措施带有很大的盲目性而造成经济上和时间进度上的重大损失。 展开更多
关键词 可靠性预计模型 电路失效 rfID 智能卡
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一种紧凑的射频CMOS放大器LC输出匹配电路
17
作者 赵晓冬 《电讯技术》 北大核心 2024年第4期637-642,共6页
提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件... 提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件下实现较传统L型匹配电路更宽频率范围的输出阻抗匹配。推导了该LC输出匹配电路元件值的计算式,并根据提出的设计方法,采用65 nm CMOS工艺设计了一款K频段放大器,其输出匹配电路尺寸仅98μm×150μm。仿真结果表明,在16.5~22.1 GHz频率范围内放大器的S 22<-10 dB,阻抗匹配带宽相比L型匹配电路增加166%。放大器实测S参数和仿真结果相符,验证了该LC匹配电路可实现紧凑的宽带阻抗匹配。 展开更多
关键词 紧凑匹配电路 射频CMOS放大器 宽带阻抗匹配 LC谐振网络
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浅谈RF电路的设计要点
18
作者 付彬 施国梁 《微处理机》 2006年第4期14-15,19,共3页
主要介绍了RF电路设计中常见的数模器件干扰问题,并提出了解决方案。
关键词 rf电路 数字电路
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基于FPGA与AD/DA的JESD204B协议通信与控制模块设计
19
作者 叶胜衣 宋刚杰 张诚 《电子与封装》 2024年第4期42-48,共7页
为了完成高速射频信号的采集与发射,设计了基于FPGA、模数转换器AD9680与数模转换器AD9144电路的通信与控制模块。硬件设计主要包含前端设计、时钟设计、控制部分设计。软件部分则详细阐述了程序结构、模块设计以及程序执行流程。为兼... 为了完成高速射频信号的采集与发射,设计了基于FPGA、模数转换器AD9680与数模转换器AD9144电路的通信与控制模块。硬件设计主要包含前端设计、时钟设计、控制部分设计。软件部分则详细阐述了程序结构、模块设计以及程序执行流程。为兼容各种不同的AD/DA芯片且便于移植复用,所有数据处理以及寄存器配置都在FPGA的处理系统(PS)部分完成,在可编程逻辑(PL)部分完成与PS以及外设的数据交互与存储。该软件整体可视作一个软件封装IP。使用FPGA为主控芯片与AD/DA完成10 Gbit/s的线速率JESD204B链路通信,并以2 GSa/s的转换速率进行数据采集与发射,验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 射频电路 模数转换器 FPGA JESD204B接口 DDR3
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基于矩形波导阻抗变换器的设计与仿真
20
作者 黄勇 赵腾 王秀芳 《大学物理》 2024年第1期57-63,共7页
阻抗不匹配是微波射频电路设计中的一个重要问题,影响功率传输的大小,严重时可引起微波电路无法正常工作.为了消除反射,提高功率的传输效率,需要在微波组件间插入匹配网络,实现阻抗匹配.本文主要研究的是一种匹配纯电阻负载的阻抗匹配网... 阻抗不匹配是微波射频电路设计中的一个重要问题,影响功率传输的大小,严重时可引起微波电路无法正常工作.为了消除反射,提高功率的传输效率,需要在微波组件间插入匹配网络,实现阻抗匹配.本文主要研究的是一种匹配纯电阻负载的阻抗匹配网络,称之为阻抗变换器.本文拟对耦合度C在30 dB左右,方向性D≥20 dB,S 11<-20 dB,频带宽±0.2 GHz和中心频率为5.8 GHz的矩形波导定向耦合器,设计一个阶梯式阻抗变换器,使之与BJ70接口匹配.分别设计与研究了四分之一波长阻抗变换器、二项式阻抗变换器和切比雪夫阻抗变换器三种阻抗变换器,总结了三种类型的阻抗变换器的适用场合,通过对比可知四分之一波长阻抗变换器的综合指标最好,最适合于本文所设计的定向耦合器的匹配网络. 展开更多
关键词 阻抗变换器 矩形波导 微波射频电路 阻抗匹配
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