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一种L~U波段RF MEMS单刀十掷开关的设计
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作者 湛永鑫 吴倩楠 +2 位作者 陈玉 郭宏磊 李孟委 《舰船电子工程》 2024年第1期224-229,共6页
论文提出了一种适用于1GHz~60GHz频段的RF MEMS单刀十掷开关。该开关采用三角形上电极结构,以减小悬臂梁等效弹性系数和闭合接触面积,达到低驱动电压、高隔离度的目的。通过渐进传输线结构,改善阶跃补偿引起的信号损耗问题。仿真结果显... 论文提出了一种适用于1GHz~60GHz频段的RF MEMS单刀十掷开关。该开关采用三角形上电极结构,以减小悬臂梁等效弹性系数和闭合接触面积,达到低驱动电压、高隔离度的目的。通过渐进传输线结构,改善阶跃补偿引起的信号损耗问题。仿真结果显示:该单刀十掷开关的驱动电压为13V,在1GHz~60GHz频段范围内,输入端两侧输出端口的插入损耗<2dB,其余八个端口插入损耗≤0.59dB,所有端口隔离度均>30dB。此开关可适用于无线通信系统、雷达系统和仪器测量系统等对射频性能要求高的领域内。 展开更多
关键词 宽频带 单刀十掷开关 rf mems开关 三角形上电极 渐进传输线
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减少静电漂移的高可靠RF MEMS开关研究
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作者 翟雷应 张钰瑶 +1 位作者 刘文进 南敬昌 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2023年第11期41-55,共15页
RF MEMS开关具有制作工艺简单、易于集成等优点。而目前由电介质膜电荷积累造成的静电漂移及频繁机械碰撞导致严重的可靠性问题阻碍了其嵌入终端射频系统稳定性的提高。因此结构上采用电介质悬空薄膜改善电荷积累问题,并对开关机械结构... RF MEMS开关具有制作工艺简单、易于集成等优点。而目前由电介质膜电荷积累造成的静电漂移及频繁机械碰撞导致严重的可靠性问题阻碍了其嵌入终端射频系统稳定性的提高。因此结构上采用电介质悬空薄膜改善电荷积累问题,并对开关机械结构限位实现开关的动态缓冲,降低高频次的机械碰撞损伤。同时依靠凸台触点结构,减少静电漂移。确立了电介质膜充电、开关寿命的理论模型并预测开关的寿命。结果表明,所设计开关寿命超过12900 h。相比已有RF MEMS开关,在两极板间距及金属梁-电介质膜间距分别相等的情况下,所提出的开关结构,寿命分别提高253倍和166倍,极大地改善静电漂移问题。在52.2 GHz工作频率下,隔离度为-41.31 dB,损耗为-0.25 dB,响应时间为50μs,为高性能、高可靠、长寿命射频开关提供了理论模型。 展开更多
关键词 rf mems开关 可靠性 介质充电 开关寿命 电荷注入 接触碰撞
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一种基于光刻胶牺牲层的RF MEMS开关制备方法
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作者 高旭东 史泽民 +1 位作者 吴倩楠 李孟委 《舰船电子工程》 2023年第3期209-213,共5页
论文针对RF MEMS开关上电极传统的牺牲层工艺存在工艺兼容性差、释放时热应力大等问题,提出了一种基于光刻胶牺牲层的MEMS开关制备方法。通过采用在氮气环境下进行固化处理的方法,解决了光刻胶作为牺牲层时容易出现的表面褶皱、破裂等问... 论文针对RF MEMS开关上电极传统的牺牲层工艺存在工艺兼容性差、释放时热应力大等问题,提出了一种基于光刻胶牺牲层的MEMS开关制备方法。通过采用在氮气环境下进行固化处理的方法,解决了光刻胶作为牺牲层时容易出现的表面褶皱、破裂等问题,同时提高了牺牲层表面的平整度;通过氧等离子体干法刻蚀释放工艺,获得了具有高平整度和低粗糙度的MEMS开关上电极结构。测试结果表明,基于光刻胶牺牲层工艺制备的RF MEMS开关在DC-20GHz频段内性能良好,隔离度均小于-30.0dB,插入损耗均大于-1.0dB。该RF MEMS开关具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 rf mems开关 上电极 牺牲层 干法释放
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低电压电容式RF MEMS开关设计研究
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作者 伍文昌 《电子技术与软件工程》 2023年第4期70-73,共4页
本文设计了一种低电压电容式RFMEMS开关,开关采用了两端固支梁结构,在梁与CPW共面波导地线的四个固定支撑位置使用了折叠结构,该结构可以减低下拉电压;通过在MEMS开关梁上开孔(直径9μm圆孔)来减小残余应力和杨氏模量和选择合适的开关... 本文设计了一种低电压电容式RFMEMS开关,开关采用了两端固支梁结构,在梁与CPW共面波导地线的四个固定支撑位置使用了折叠结构,该结构可以减低下拉电压;通过在MEMS开关梁上开孔(直径9μm圆孔)来减小残余应力和杨氏模量和选择合适的开关梁厚度,显著降低了MEMS开关梁的弹性系数和下拉电压。以上措施显著降低了电容式RFMEMS开关的下拉电压,在ANSYS仿真下拉电压约为6V,驱动电压约为8.4V,该MEMS开关依旧保持了较好的S参数,开关插入损耗大于-0.35dB(8-40GHz),回波损耗小于-22dB(8-40GHz),隔离度(down态S21)大于25dB(8-40GHz)。 展开更多
关键词 电容式rf mems开关 低驱动电压 mems器件
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一种基于RF MEMS开关的四端口电子校准件设计 被引量:1
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作者 曹钎龙 吴倩楠 +3 位作者 朱光州 陈玉 王俊强 李孟委 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第3期437-441,共5页
针对射频多端口器件微波测试需求,基于SOLT校准原理设计了一种工作频率在DC~12 GHz范围内、基于RF MEMS开关的四端口电子校准件。数值仿真结果表明,在短路状态下,器件的回波损耗小于0.15 dB;在直通状态下,器件的插入损耗小于0.5 dB,端... 针对射频多端口器件微波测试需求,基于SOLT校准原理设计了一种工作频率在DC~12 GHz范围内、基于RF MEMS开关的四端口电子校准件。数值仿真结果表明,在短路状态下,器件的回波损耗小于0.15 dB;在直通状态下,器件的插入损耗小于0.5 dB,端口之间的隔离度大于20 dB;在开路状态下,器件的回波损耗小于0.3 dB,端口之间的隔离度大于25 dB;同时采用微表面加工工艺,利用磁控溅射工艺对负载电阻进行了制备,其测试结果约为50Ω,符合设计要求。设计的基于RF MEMS开关的四端口校准件,具有射频性能好、体积小、易于集成等优点,能够满足X波段微波多端口器件在片测试的应用需求。 展开更多
关键词 rf mems 插入损耗 回波损耗 隔离度 微波校准
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低驱动电压RF MEMS悬臂梁开关的对比研究 被引量:2
6
作者 欧书俊 张国俊 +2 位作者 王姝娅 戴丽萍 钟志亲 《电子产品世界》 2020年第7期81-84,共4页
本文针对一字型悬臂梁RF MEMS开关,提出了两种降低驱动电压RF MEMS开关的方法,分别为:增大局部驱动面积和降低弹性系数。根据这两种方法设计了4种形状的悬臂梁开关,分别为增大局部驱动面积的十字型梁,降低弹性系数的三叉戟型、蟹钳型和... 本文针对一字型悬臂梁RF MEMS开关,提出了两种降低驱动电压RF MEMS开关的方法,分别为:增大局部驱动面积和降低弹性系数。根据这两种方法设计了4种形状的悬臂梁开关,分别为增大局部驱动面积的十字型梁,降低弹性系数的三叉戟型、蟹钳型和折叠型梁。在梁的长度、厚度和初始间隙等参数一致的情况下,通过CMOSOL软件建模仿真得到了这4种悬臂梁的驱动电压,分别为7.2 V、5.6 V、3.8 V和3.6 V。相比于驱动电压为9 V的一字型悬臂梁,优化后的这4款开关可以降低驱动电压。并且低弹性系数方面,比增大局部驱动面积的开关效率要高。 展开更多
关键词 rf mems 悬臂梁 驱动电压 弹性系数
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NUMERICAL ANALYSIS OF THEORETICAL MODEL OF THE RF MEMS SWITCHES 被引量:5
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作者 张立宪 余同希 赵亚溥 《Acta Mechanica Sinica》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第2期178-184,共7页
An improved electromechanical model of the RF MEMS(radio frequency microelec- tromechanical systems)switches is introduced,in which the effects of intrinsic residual stress from fabrication processes,axial stress due ... An improved electromechanical model of the RF MEMS(radio frequency microelec- tromechanical systems)switches is introduced,in which the effects of intrinsic residual stress from fabrication processes,axial stress due to stretching of beam,and fringing field are taken into account. Four dimensionless numbers are derived from the governing equation of the developed model.A semi- analytical method is developed to calculate the behavior of the RF MEMS switches.Subsequently the influence of the material and geometry parameters on the behavior of the structure is analyzed and compared,and the corresponding analysis with the dimensionless numbers is conducted too.The quantitative relationship between the presented parameters and the critical pull-in voltage is obtained, and the relative importance of those parameters is given. 展开更多
关键词 rf mems axial stretching residual stress fringing field critical pull-in voltage
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基于柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性研究
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作者 隋东辰 陈立军 韩磊 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期853-858,共6页
本文针对衬底弯曲对柔性RF MEMS开关相位特性的影响,提出了一种基于LCP柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性模型,并从软件仿真和实验验证方面对不同曲率条件下开关的相位偏移进行了深入研究,揭示了柔性衬底弯曲对相位偏移量的影响... 本文针对衬底弯曲对柔性RF MEMS开关相位特性的影响,提出了一种基于LCP柔性衬底的双端固支梁RF MEMS开关相位特性模型,并从软件仿真和实验验证方面对不同曲率条件下开关的相位偏移进行了深入研究,揭示了柔性衬底弯曲对相位偏移量的影响规律。实验结果表明,当柔性衬底弯曲曲率从0增大到28.6 m^(-1)时,RF MEMS开关的相位偏移量绝对值不断增大,中心频率10 GHz处相位偏移由0°变化到-2.72°,8 GHz~12 GHz频率范围内实测值和仿真值误差小于9.5%,实测值和模型计算值误差小于10.9%,三者显现出良好的一致性。 展开更多
关键词 rf mems 双端固支梁 相位偏移量 衬底弯曲 相位特性
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A novel low-loss four-bit bandpass filter using RF MEMS switches 被引量:1
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作者 韩路路 王宇 +3 位作者 吴倩楠 张世义 王姗姗 李孟委 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第1期680-685,共6页
This paper details the design and simulation of a novel low-loss four-bit reconfigurable bandpass filter that integrates microelectromechanical system(MEMS)switches and comb resonators.A T-shaped reconfigurable resona... This paper details the design and simulation of a novel low-loss four-bit reconfigurable bandpass filter that integrates microelectromechanical system(MEMS)switches and comb resonators.A T-shaped reconfigurable resonator is reconfigured in a'one resonator,multiple MEMS switches'configuration and used to gate the load capacitances of comb resonators so that a multiple-frequency filtering function is realized within the 7-16 GHz frequency range.In addition,the insertion loss of the filter is less than 1.99 dB,the out-of-band rejection is more than 18.30 dB,and the group delay is less than 0.25 ns.On the other hand,the size of this novel filter is only 4.4 mm×2.5 mm×0.4 mm.Our results indicate that this MEMS reconfigurable filter,which can switch 16 central frequency bands through eight switches,achieves a low insertion loss compared to those of traditional MEMS filters.In addition,the advantages of small size are obtained while achieving high integration. 展开更多
关键词 four-bit rf microelectromechanical system(mems)switch reconfigurable filter comb resonator
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Sensitivity analysis of pull-in voltage for RF MEMS switch based on modified couple stress theory 被引量:1
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作者 Junhua ZHU Renhuai LIU 《Applied Mathematics and Mechanics(English Edition)》 SCIE EI CSCD 2015年第12期1555-1568,共14页
An approximate analytical model for calculating the pull-in voltage of a stepped cantilever-type radio frequency (RF) micro electro-mechanical system (MEMS) switch is developed based on the Euler-Bernoulli beam an... An approximate analytical model for calculating the pull-in voltage of a stepped cantilever-type radio frequency (RF) micro electro-mechanical system (MEMS) switch is developed based on the Euler-Bernoulli beam and a modified couple stress theory, and is validated by comparison with the finite element results. The sensitivity functions of the pull-in voltage to the designed parameters are derived based on the proposed model. The sensitivity investigation shows that the pull-in voltage sensitivities increase/decrease nonlinearly with the increases in the designed parameters. For the stepped cantilever beam, there exists a nonzero optimal dimensionless length ratio, where the pull-in voltage is insensitive. The optimal value of the dimensionless length ratio only depends on the dimensionless width ratio, and can be obtained by solving a nonlinear equation. The determination of the designed parameters is discussed, and some recommendations are made for the RF MEMS switch optimization. 展开更多
关键词 stepped cantilever beam pull-in voltage modified couple stress theory radio frequency rf micro electro-mechanical system mems switch analytical solution sensitivity analysis
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新型RF-MEMS可重构分形天线 被引量:6
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作者 罗阳 朱守正 王小玲 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期869-873,共5页
设计了一种新型的集成RF-MEMS开关的混合分形可重构天线,该天线为加载了1阶Koch曲线的1阶Sierpinski三角垫片结构。仿真结果表明:所设计的天线在MEMS开关全闭合和全断开的状态下分别具有多个不同的工作频带。详细地分析了天线的重构特性... 设计了一种新型的集成RF-MEMS开关的混合分形可重构天线,该天线为加载了1阶Koch曲线的1阶Sierpinski三角垫片结构。仿真结果表明:所设计的天线在MEMS开关全闭合和全断开的状态下分别具有多个不同的工作频带。详细地分析了天线的重构特性,按照仿真模型在高阻硅片上运用微电子工艺制作出了天线样品。对样品进行了测试,最后比较和分析了测试结果。 展开更多
关键词 分形 rfmems 重构天线
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一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器
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作者 孙俊峰 姜理利 +4 位作者 刘水平 郁元卫 朱健 黎明 陈章余 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第4期353-358,共6页
设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触... 设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。 展开更多
关键词 数控衰减器 晶圆级封装 rf mems mems开关
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RF-MEMS开关的应用技术浅析 被引量:2
13
作者 姜海玲 《电子世界》 2012年第7期124-126,共3页
概述RF-MEMS开关的应用现状,针对RF-MEMS开关封装后射频性能恶化的问题,分析了封装的必要性,强调了单片级封装对功能化模块的集成优势;针对RF-MEMS开关的使用寿命不能满足系统应用的问题,比较不同的切换方式下的使用寿命,介绍冷切换与... 概述RF-MEMS开关的应用现状,针对RF-MEMS开关封装后射频性能恶化的问题,分析了封装的必要性,强调了单片级封装对功能化模块的集成优势;针对RF-MEMS开关的使用寿命不能满足系统应用的问题,比较不同的切换方式下的使用寿命,介绍冷切换与射频信号通断的时间关系,给出了一种延长开关使用寿命的解决方案。进一步推动RF-MEMS开关在系统方面的应用。 展开更多
关键词 rfmems开关 封装 冷切换 热切换 使用寿命
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新型可重构RF-MEMS天线的设计
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作者 余文革 巫正中 +1 位作者 杨廷鸿 付诗禄 《后勤工程学院学报》 2008年第3期78-81,共4页
设计了一种新型的可重构双C型RF—MEMS贴片天线,它由T型桥膜结构的电容式MEMS开关实时地控制天线结构,使之能够发生双频谐振。采用背腔结构的硅基底,使硅衬底的相对有效介电常数从9.18下降到1.51,这有利于减小表面波的损耗,通过... 设计了一种新型的可重构双C型RF—MEMS贴片天线,它由T型桥膜结构的电容式MEMS开关实时地控制天线结构,使之能够发生双频谐振。采用背腔结构的硅基底,使硅衬底的相对有效介电常数从9.18下降到1.51,这有利于减小表面波的损耗,通过优化设计有效地实现了天线的小型化。理论计算得到在开关断开和连通状态下,天线的谐振频率分别为11.14GHz和5.56GHz。将理论结果与HFSS软件仿真的结果进行比较,发现它们吻合得比较好,说明了可重构天线的设计具有可行性。 展开更多
关键词 可重构天线 rfmems 电容式mems开关 HFSS软件 双C型贴片
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硅/玻璃键合技术在RF-MEMS开关制作中的应用 被引量:2
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作者 王培森 于映 +1 位作者 罗仲梓 彭慧耀 《微纳电子技术》 CAS 2007年第1期30-33,共4页
介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,... 介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考。 展开更多
关键词 硅/玻璃键合 电流特性 电荷分布 Al台阶 rfmems开关
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RF/微波无线系统中的MEMS技术 被引量:6
16
作者 云振新 《微纳电子技术》 CAS 2002年第2期6-11,共6页
着重论述了RF/微波MEMS元件及其制造技术、封装要求和设计,并在此基础上阐述RF/微波MEMS元件的应用电路和系统。
关键词 rf/微波mems元件 rf/微波无线系统 mems技术 微机电系统
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电容并联式射频MEMS开关的制作工艺探讨 被引量:1
17
作者 王珊珊 王平 《空间电子技术》 2011年第1期71-75,共5页
文章对MEMS电容并联式射频开关的制作工艺进行了探讨,该射频开关采用双端固定的空气桥结构。通过实验,研究了精细共面波导图形的光刻工艺;采用正胶作为牺牲层,探讨了牺牲层的制作工艺,并分析了牺牲层释放方法对立体结构的影响。
关键词 rfmems 开关 光刻 牺牲层
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铜基空气微同轴工艺技术 被引量:3
18
作者 史光华 王建 +5 位作者 徐达 郭诚 常青松 王真 周彪 张延青 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第8期597-603,共7页
铜基空气微同轴传输线是由悬空的中心内导体、将其包围的接地外导体和周期性介质支撑结构组成。与传统的平面微带器件相比,基于微同轴工艺研制的毫米波器件具有宽频带、高隔离度、低损耗、高功率容量等特点,同时又保留了平面微带器件集... 铜基空气微同轴传输线是由悬空的中心内导体、将其包围的接地外导体和周期性介质支撑结构组成。与传统的平面微带器件相比,基于微同轴工艺研制的毫米波器件具有宽频带、高隔离度、低损耗、高功率容量等特点,同时又保留了平面微带器件集成度高等优势。系统地研究了铜基空气微同轴结构及制备工艺,并利用该工艺制备了W波段微同轴传输线和功率合成器。样件测试结果显示,基于微同轴技术的射频器件在高频下表现出可以与波导结构制作的器件相比拟的插入损耗和合成效率,在110 GHz处实测的传输线插入损耗≤0.045 dB/mm,功率合成器的一级合成效率(即两路合成)大于92%。该测试结果证明了微同轴结构及工艺的有效性和可靠性。 展开更多
关键词 微同轴 高频低损耗 功率合成器 毫米波(MMW) 射频微电子机械系统(rf mems)
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用于PolyStrata技术的光刻工艺探索研究 被引量:1
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作者 汪郁东 赵广宏 +2 位作者 陈青松 金小锋 张姗 《遥测遥控》 2020年第6期57-62,共6页
在高集成的射频微机电系统RF MEMS(Radio Frequency Micro Electro Mechanical System)器件的发展趋势下,三维集成工艺的研究越来越多。基于PolyStrata技术的三维多层堆叠同轴器件以其无色散、低损耗、超宽带的优势脱颖而出,PolyStrata... 在高集成的射频微机电系统RF MEMS(Radio Frequency Micro Electro Mechanical System)器件的发展趋势下,三维集成工艺的研究越来越多。基于PolyStrata技术的三维多层堆叠同轴器件以其无色散、低损耗、超宽带的优势脱颖而出,PolyStrata技术使用紫外厚胶作为牺牲材料,对光刻胶粘附性、精度、工艺兼容及释放性能要求高,常规厚胶难以满足。探索A、B两种紫外光刻厚胶,对两者工艺参数及图形质量进行对比研究。结果表明,光刻胶A厚度均匀性为98.6%,图形偏差小于10μm;光刻胶B图形偏差小于5μm,但均匀性较差,约80.4%。 展开更多
关键词 rf mems PolyStrata 紫外光刻 厚胶
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5G 通信组件技术特点及军事通信领域应用 被引量:2
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作者 江明 仲维彬 《现代导航》 2020年第6期425-430,共6页
本文介绍了目前三种5G射频组件,并关注这些组件在军事通信领域中的应用。通过详细介绍RF MEMS开关、基于物联网的能量收集器、RFSAW滤波器三种组件的内部结构、技术特点以及它们支持增强系统应用的功能,同时根据其技术特点,对5G通信配... 本文介绍了目前三种5G射频组件,并关注这些组件在军事通信领域中的应用。通过详细介绍RF MEMS开关、基于物联网的能量收集器、RFSAW滤波器三种组件的内部结构、技术特点以及它们支持增强系统应用的功能,同时根据其技术特点,对5G通信配套组件在未来军事通信领域的应用进行了展望。 展开更多
关键词 5G 物联网 rf mems SAW 能量收集器
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