基于WIA-PA工业无线网络的硬件平台

基于当前正在研究的一种用于工业控制的新兴工业无线网络标准WIA-PA,介绍了WIA-PA网络的硬件平台设计,重点研究双处理机的强射频低功耗路由硬件设计,利用双处理器提高通信效率,解决了通信负荷大,内存不足的问题,并在此硬件测试平台上测试了WIA-PA网络,验证了平台的可行性。

一种符合多种协议要求的UHF RFID阅读器发射机

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种符合多种协议要求的UHF RFID阅读器发射机。该电路包含电平移位电路(DCS)、I/Q正交上混频器、全集成功率放大器。通过DCS控制混频器跨导管的偏置,实现SSB-ASK、PR-ASK和DSB-ASK三种调制,并在不同基带信号强度下实现30%~100%可变调制深度的DSB-ASK调制。仿真结果表明,在转换增益为-4dB时,上混频器的输出1dB压缩点(OP1dB)为7.11dBm,工作在AB类的功率放大器的OP1dB为26.64dBm,发射机输入DSB-ASK信号的t_(rai)为25μs。输出频谱满足三种协议要求。

WIA-PA工业无线网络中的路由节点设计

介绍了WIA-PA工业无线网络的中间路由节点设计。采用双处理机的强射频和低功耗技术,提高了路由节点的可靠性,延长了路由节点的生存时间,搭建了WIA-PA网络硬件测试平台。

SiGe HBT及高速电路的发展

详细讨论了SiGeHBT的直流交流特性、噪声特性,SiGeHBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGeHBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等。

用于IEEE802.11 b/g/n WLAN的高线性度功率放大器

基于2μm的In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器。为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级间匹配电路来提高射频功率放大器的线性输出功率。流片结果表明,在工作电压为3.3 V时,射频功率放大器的1 d B线性压缩输出功率(P1d B)可达27 d Bm,当误差向量幅度(EVM)为3%时,2.4 GHz64 QAM激励下,输出功率可达19.8 d Bm,满足标准规范要求。

应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计

设计一个基于SiGe BiCMOS工艺的共源共栅结构的两级功率放大器.第一级采用差分共源放大器,将输入匹配送来的信号进行预放大,同时抑制噪声.第二级主功放采用BiFET共源共栅结构,以提高线性度.基于JAZZ0.18μm SiGe BiCMOS工艺库,采用Cadence Spectre RF对功率放大器进行仿真.实验结果表明,在3.3V电源电压下,最高功率增益达到32dB,输出1dB压缩点处功率为29dBm,有较好地线性度,在2.3~2.7GHz频段内S11和S22均小于-10dB,匹配良好.最大功率附加效率为22.1%,可用于WIMAX无线通信的2.3~2.7GHz频段.

射频功放的非线性分析与线性化技术

分析了射频功率放大器的非线性特性,对常见的功率放大器线性化技术的原理和实现方法进行了系统的分析,比较了它们的优缺点,为选择射频功率放大器的线性化技术提供了重要的参考。

血清特种蛋白增高患者前清蛋白浓度变化及临床意义

目的探讨血清抗链球菌溶血素"O"(ASO)、C反应蛋白(CRP)、人免疫球蛋白E(IgE)及类风湿因子(RF)增高与前清蛋白(PA)浓度的变化,比较其与PA的相关性,分析其临床意义。方法选择血清ASO、CRP、IgE、RF增高者及健康体检者血清,分为健康对照组和实验组,用Beckman-counlter LX20全自动生化分析仪测定其PA,分析各组与PA的关系,比较各组间的差异。结果各实验组PA值与健康对照组相比均显著降低;实验组仅CRP,升高组中CRP与PA有相关性(r=-0.49,P<0.05)。30例ASO升高者中,PA下降者10例,占33.3%;30例CRP增高标本中,PA下降18例,占60%;30例IgE升高者中PA下降者14例,占46.7%;24例RF升高者中PA下降者16例,占53.3%。结论 ASO、CRP、IgE、RF增高患者血清PA均有下降。PA浓度与CRP含量呈负相关性,与ASO、IgE、RF无相关性。血清PA下降原因可能与其相关疾病及肝脏合成PA水平相关。

高频系统电子管功率放大电路的建模与仿真

根据四极电子管4CW10000B用户手册提供的电气参数和性能测试曲线,利用ADS软件建立仿真模型。结合华中科技大学研发的回旋加速器(CYCHU-10)高频(RF)系统的功率放大要求,利用电子管设计一个输出功率为10kW的功率放大器(PA),同时考虑到了无源网络匹配问题。对101 MHz RF系统中电子管功率放大器进行了仿真,仿真结果符合预期设计指标。

面向DSRC系统的5.8 GHz射频功率放大器设计

基于SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种适用于DSRC系统的5.8GHz射频功率放大器。该电路采用两级差分的共源共栅结构,在共栅管处采用自偏置方法,提高了电路在大信号情况下的工作性能,在输出级采用有源电感补偿方法,提高了功率放大器的线性度。版图后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,该放大器在5.8GHz中心频率处的输出1dB压缩点达到18dBm,功率增益为20.8dB,最大功率附加效率PAE为17.3%,输出3阶互调点达到28.86dBm。

基于自动建模的射频功率放大器的互连可靠性研究

通过编程实现电路的自动建模及仿真,得到互连线的几何尺寸、电流密度及环境温度与AFD的关系,进而分析互连线的可靠性。从结果可知,温度升高、电流增大、尺寸减小等因素都会降低功率放大器互连线的可靠性。实际中,为了保证功率放大器的可靠性设计,在选择合适尺寸的晶体管和工作状态时,还需综合权衡输出功率、增益、效率等各方面指标。

面向DSRC的5.8GHz射频功率放大器仿真设计

基于winHBT工艺,利用ADS软件实现了用于DSRC系统5.8GHzRFPA的仿真设计,电路采用自适应线性化偏置电路,为核心电路提供了补偿电流和补偿电压。根据二端口网络S参数和Loadpull技术完成了功率放大器的匹配网络设计。最后在Cadence环境下完成了功放的版图设计。

一种基于CPLD的脉冲功放过脉宽、过占空比检测方法

介绍了一种基于CPLD的脉冲功放过脉宽、过占空比检测方法。该方法能够实时精确地获取功放脉冲调制信号或射频检波信号的脉宽和周期数据,得到过脉宽、过占空比保护信号。相比传统检测方法,具有精度高、实时性强、执行效率高、抗干扰能力强、环境适应性好、扩展能力强等优点。

RRU关键技术及创新

认为远端射频模块(RRU)包含收发信机(TRX)、功放、射频(RF)算法、滤波器、天线五大专有关键技术方向。其中TRX主要聚焦高集成、低功耗、大带宽技术;功放及算法主要聚焦高效率低成本技术;滤波器主要聚焦小型化、轻量化技术;天线主要聚焦于天面简化、5G低频大规模多输入多输出(MIMO)、5G高频技术。同时详细说明了近十年来这些技术的发展趋势及创新。

基于GaAs HBT工艺的高增益宽带Doherty功率放大器设计

在传统Doherty功率放大器的基础上,采用砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款可应用于5G通信N79频段(4.4~5 GHz)的高回退效率MMIC Doherty功率放大器(DPA)。通过在Doherty电路中采用共射-共基结构,并在共射-共基结构中加入共基极接地电容,大幅提升了DPA的增益和输出功率。使用集总元件参与匹配,减小了芯片的面积。仿真结果表明,在目标频段内,增益大于28 dB,饱和输出功率约为38 dBm,饱和附加效率(PAE)为63%,7 dB回退处的效率达到43%。

一种2.4GHz SiGe全集成射频前端电路

基于0.18μm SiGe工艺设计了一款2.4 GHz全集成射频前端电路.该射频前端包含了四个单刀开关、一个功率放大器(PA)和一个低噪声放大器(LNA).基于联合设计的思路,该电路只有一个输入管脚和一个输出管脚,低噪声放大器的阻抗匹配网络与功率放大器阻抗匹配网络一同在片上完成.该芯片工作电压为3.3 V,在接收模式时,该射频前端的增益为13.5 dB,噪声系数为2.8 dB,静态工作电流为5.1 mA;在发射模式时,该射频前端的功率增益为25.4 dB,饱和功率为24.3 dBm,最大PAE为30.8%,输出20 dBm功率时频谱满足802.15.4协议要求.该射频前端无需片外元器件即可实现50Ω的输入输出匹配.

基于星座图和卷积神经网络的射频指纹识别

基于无线设备物理层的射频指纹识别是保障通信安全的有效途径。传统射频特征提取方法容易受到信道的信噪比变化的干扰,难以适应动态信噪比下的通信场景。因此,本文提出了一种基于卷积神经网络的射频指纹识别方法,实现了动态信噪比下的射频指纹识别,显著改善了低信噪比下的识别准确率。本文通过搭建实验系统对4台不同功放设备进行识别,实验结果表明,在信噪比为0.5~14.5 dB范围内,该方法的综合识别率达89.4%。

0.1～2.0 GHz 10W GaN单片行波放大器

报道了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的0.1~2.0 GHz超宽带功率放大器芯片。芯片采用非均匀分布式拓扑结构进行设计。在管芯栅极端设计稳定结构来提高电路的整体稳定性,在漏极端采用阻抗渐变的方式进行电路匹配,从而提高电路的效率。芯片漏压30 V、连续波条件下,在0.1~2.0 GHz频率范围内,线性增益大于18 d B,功率增益大于13 d B;在0.1~1.5 GHz频率范围内饱和输出功率大于10 W,功率附加效率大于55%,最高效率达到78%。芯片面积2.4 mm×1.9 mm。

低透气性煤层松动爆破增透机理数值模拟研究

运用RFPA2D-Flow固气耦合系统模拟了松动爆破抽放低透气性煤层内瓦斯的过程,解释了爆破松动是增加低透气性煤层透气性的有效途径,本文对松动爆破前后抽放过程中煤层内瓦斯压力和瓦斯渗流场的变化规律进行了数值模拟对比,为进一步理解瓦斯抽放、松动爆破增透机理等提供理论基础和科学依据。