一种符合多种协议要求的UHF RFID阅读器发射机

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种符合多种协议要求的UHF RFID阅读器发射机。该电路包含电平移位电路(DCS)、I/Q正交上混频器、全集成功率放大器。通过DCS控制混频器跨导管的偏置,实现SSB-ASK、PR-ASK和DSB-ASK三种调制,并在不同基带信号强度下实现30%~100%可变调制深度的DSB-ASK调制。仿真结果表明,在转换增益为-4dB时,上混频器的输出1dB压缩点(OP1dB)为7.11dBm,工作在AB类的功率放大器的OP1dB为26.64dBm,发射机输入DSB-ASK信号的t_(rai)为25μs。输出频谱满足三种协议要求。

射频功率放大器芯片的基板联合仿真方法比较

工程上常用ADS进行射频功率放大器裸芯片电路级设计,然后将裸芯电路原理图或版图与设计好的基板进行联合仿真。常用的裸芯与基板联合仿真方法包括使用ADS+Momentum或ADS嵌套技术或ADS+HFSS等。由于射频电路的实际寄生很难准确模拟,在射频功率放大器芯片的设计研制过程中,工程师们常对应采用什么样的基板联合仿真方法感到困惑。本文以自主研制的工作频率2GHz的射频功率放大器芯片为例,从仿真器的算法理论、联合仿真的具体建模方法、建模复杂度、仿真时间、对比实测结果等几个方面对上述几种常用的基板联合仿真方法进行了比较探讨,尝试归纳总结出对实际射频功率放大器芯片工程设计有帮助的仿真经验。