一种新的解析提取RF SOI MOS变容管衬底模型参数的方法

本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型。提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型参数的方法。采用提出的模型,精确预见了RF SOI MOS变容管器件特性,测量和模型仿真结果,在20 GHz频率范围内得到很好的吻合。

一种简化衬底模型的SOI MOS变容管模型

提出一种适用于反型层RF SOI MOS变容管行为表征模型。在BSIMSOI的基础上,模型采用简化的衬底模型和外围射频寄生模型来表征变容管的射频寄生效应,同时采用T、π互转的方式提出参数提取算法。模型最终应用到华虹宏力SOI工艺提供的不同栅指,每栅指长度为1.6μm、宽度为5μm的MOS变容管器件,并且在15 GHz以下,模型与测量数据的CV、QV以及S参数有较好的拟合。在高频情况下,模型既保证了精度又解决了参数提取困难等问题。