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双极RF功率管的深阱结终端 被引量:1
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作者 周蓉 胡思福 +1 位作者 李肇基 张庆中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期396-400,共5页
给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传... 给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d 展开更多
关键词 双极rf功率管 深陆结终端 击穿电压 填充介质
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RF LDMOS功率器件研制
2
作者 陈蕾 王帅 +2 位作者 姜一波 李科 杜寰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期968-972,共5页
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移... 基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。 展开更多
关键词 射频LDMOS功率器件 击穿电压 栅极金属总线 截止频率 最大振荡频率
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RF LDMOS功率器件关键参数仿真
3
作者 陈慧蓉 顾爱军 徐政 《电子与封装》 2012年第8期33-35,48,共4页
在RF LDMOS功率器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是相互矛盾和相互制约的。文中研究了几个参数之间的关系和优化方案。现在RF LDMOS功率器件在向高工作电压... 在RF LDMOS功率器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是相互矛盾和相互制约的。文中研究了几个参数之间的关系和优化方案。现在RF LDMOS功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠性以及脉冲应用等方向发展。所研制器件采用沟背面源结构,采用场板技术降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压6V、频率520MHz、连续波的测试条件下,输出功率达到5.6W,增益大于12dB,效率大于55%。 展开更多
关键词 rf LDMOS 击穿电压 导通电阻 输出电容 输出功率
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单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验
4
作者 刘武平 周星 +1 位作者 韩鹏宇 邓小川 《电子与封装》 2014年第2期42-44,共3页
传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170 mA/mm、击穿电压120 V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5 GH... 传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170 mA/mm、击穿电压120 V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5 GHz和10 GHz的RF LDMOS器件。在50 V工作电压、1 090 MHz频点下栅宽345 mm单芯片器件的最大输出功率362 W,功率增益15.6 dB,漏极效率38.1%。 展开更多
关键词 rf LDMOS 槽型sinker 击穿电压 功率增益 漏极效率
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A rapid classification method of aluminum alloy based on laser-induced breakdown spectroscopy and random forest algorithm 被引量:6
5
作者 Liuyang ZHAN Xiaohong MA +4 位作者 Weiqi FANG Rui WANG Zesheng LIU Yang SONG Huafeng ZHAO 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期148-154,共7页
As an important non-ferrous metal structural material most used in industry and production,aluminum(Al) alloy shows its great value in the national economy and industrial manufacturing.How to classify Al alloy rapidly... As an important non-ferrous metal structural material most used in industry and production,aluminum(Al) alloy shows its great value in the national economy and industrial manufacturing.How to classify Al alloy rapidly and accurately is a significant, popular and meaningful task.Classification methods based on laser-induced breakdown spectroscopy(LIBS) have been reported in recent years. Although LIBS is an advanced detection technology, it is necessary to combine it with some algorithm to reach the goal of rapid and accurate classification. As an important machine learning method, the random forest(RF) algorithm plays a great role in pattern recognition and material classification. This paper introduces a rapid classification method of Al alloy based on LIBS and the RF algorithm. The results show that the best accuracy that can be reached using this method to classify Al alloy samples is 98.59%, the average of which is 98.45%. It also reveals through the relationship laws that the accuracy varies with the number of trees in the RF and the size of the training sample set in the RF. According to the laws, researchers can find out the optimized parameters in the RF algorithm in order to achieve,as expected, a good result. These results prove that LIBS with the RF algorithm can exactly classify Al alloy effectively, precisely and rapidly with high accuracy, which obviously has significant practical value. 展开更多
关键词 LASER-INDUCED breakdown spectroscopy(LIBS) RANDOM forest(rf) aluminum(Al)alloy classification
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Fault locating for traveling-wave accelerators based on transmission line theory
6
作者 Tong-Ning Hu Hai-Meng Wang +4 位作者 Yi-Feng Zeng Hong-Jie Xu Li Chen Guang-Yao Feng Yuan-Ji Pei 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期24-34,共11页
Radio-frequency(RF)breakdown analysis and location are critical for successful development of high-gradient traveling-wave(TW)accelerators,especially those expected to generate high-intensity,high-power beams.Compared... Radio-frequency(RF)breakdown analysis and location are critical for successful development of high-gradient traveling-wave(TW)accelerators,especially those expected to generate high-intensity,high-power beams.Compared with commonly used schemes involving dedicated devices or complicated techniques,a convenient approach for breakdown locating based on transmission line(TL)theory offers advantages in the typical constant-gradient TW-accelerating structure.To deliver such an approach,an equivalent TL model has been constructed to equate the TW-accelerating structure based on the fun-damental theory of the TL transient response in the time domain.An equivalence relationship between the TW-accelerating structure and the TL model has been established via analytical derivations associated with grid charts and verified by TL circuit simulations.Furthermore,to validate the proposed fault-locating method in practical applications,an elaborate analysis via such a method has been conducted for the recoverable RF-breakdown phenomena observed at an existing prototype of a TW-accelerating-structure-based beam injector constructed at the Huazhong University of Science and Technology.In addition,further considerations and discussion for extending the applications of the proposed method have been given.This breakdown-locating approach involving the transient response in the framework of TL theory can be a conceivable supple-ment to existing methods,facilitating solution to construction problems at an affordable cost. 展开更多
关键词 Traveling-wave structure rf breakdown Fault locating Transmission line
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基于表面成分检测的铝合金精准分类方法研究
7
作者 张育刚 《宇航计测技术》 CSCD 2023年第4期31-40,共10页
铝合金凭借其优良特性广泛应用于工业制造,产生了大量废旧铝合金,而新生产铝合金会消耗大量能源且对环境造成污染,因此回收再利用废旧铝合金有重要意义,须找到对铝合金进行分类回收的高效分类方法。基于表面成分检测技术-激光诱导击穿... 铝合金凭借其优良特性广泛应用于工业制造,产生了大量废旧铝合金,而新生产铝合金会消耗大量能源且对环境造成污染,因此回收再利用废旧铝合金有重要意义,须找到对铝合金进行分类回收的高效分类方法。基于表面成分检测技术-激光诱导击穿光谱技术(LIBS),先采集铝合金表面成分的光谱信息,再结合ELMAN神经网络、人工神经网络(ANN)以及随机森林(RF)模型分别对全谱数据和特征谱线数据进行了铝合金系列分类和牌号分类。研究表明:LIBS结合RF模型,能够更加快速准确的对6个系列11个牌号的铝合金进行分类,该结果为废旧铝合金系列及牌号的快速分类提供了参考方法。 展开更多
关键词 铝合金 激光诱导击穿光谱 随机森林 人工神经网络 ELMAN神经网络
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抑制表面场增强提高相对论返波管功率容量 被引量:3
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作者 张余川 孙钧 +5 位作者 邵浩 张晓微 白现臣 曹亦兵 刘彦升 陈昌华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期94-97,共4页
相对论返波管(RBWO)高频结构表面微凸起结构导致的表面场致电子发射会加速或加剧射频击穿过程,引起RBWO功率容量下降。为提高现有RBWO的功率容量,给出了RBWO高频结构表面场增强的抑制方法,对一种X波段RBWO表面进行了精密工艺处理后,将... 相对论返波管(RBWO)高频结构表面微凸起结构导致的表面场致电子发射会加速或加剧射频击穿过程,引起RBWO功率容量下降。为提高现有RBWO的功率容量,给出了RBWO高频结构表面场增强的抑制方法,对一种X波段RBWO表面进行了精密工艺处理后,将表面粗糙度降低至未经表面精密处理时的1/40以下,有效降低了高频结构表面场增强因子,减小了结构表面场致发射电子的能力。进一步开展的高功率微波实验研究表明,抑制表面场增强后X波段RBWO的功率容量提高了25%。 展开更多
关键词 相对论返波管 表面场增强 射频击穿 功率容量
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一种提高相对论返波管功率容量的方法 被引量:3
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作者 张晓微 肖仁珍 +2 位作者 陈昌华 张黎军 张立刚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期3069-3072,共4页
对相对论返波管实验中射频击穿现象进行了分析和数值模拟研究,发现谐振反射器和慢波结构的局部场增强诱导了场致电子发射,引起了金属表面的射频击穿,通过研究分析,提出采用分布反馈式谐振反射器,并采用梯形倒角非均匀慢波结构替换正弦... 对相对论返波管实验中射频击穿现象进行了分析和数值模拟研究,发现谐振反射器和慢波结构的局部场增强诱导了场致电子发射,引起了金属表面的射频击穿,通过研究分析,提出采用分布反馈式谐振反射器,并采用梯形倒角非均匀慢波结构替换正弦慢波结构的方法来抑制射频击穿。数值模拟研究表明,在微波功率2GW时,改进后的反射器最大场强由1.4MV/cm降低为570kV/cm,慢波结构表面最大电场由1.1MV/cm降低到780kV/cm。改进后的结构在二极管电压765kV时获得了微波功率2.2GW、脉宽45ns的实验结果,微波功率和脉宽得到显著提升。 展开更多
关键词 相对论返波管 射频击穿 功率容量 谐振反射器 慢波结构
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S波段长脉冲相对论返波振荡器实验研究 被引量:2
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作者 靳振兴 张军 +6 位作者 杨建华 钟辉煌 钱宝良 舒挺 张建德 周生岳 许流荣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2648-2652,共5页
从物理机制上定性地分析了导致脉冲缩短的主要原因,给出了长脉冲重复频率运行下的相对论返波振荡器(RBWO)设计原则。结合传统谐振式返波振荡器的基本设计理论,设计和模拟优化了工作在S波段的长脉冲RBWO,并利用本实验室现有长脉冲脉冲功... 从物理机制上定性地分析了导致脉冲缩短的主要原因,给出了长脉冲重复频率运行下的相对论返波振荡器(RBWO)设计原则。结合传统谐振式返波振荡器的基本设计理论,设计和模拟优化了工作在S波段的长脉冲RBWO,并利用本实验室现有长脉冲脉冲功率驱动源开展了S波段长脉冲RBWO的实验研究。实验结果表明:在单次运行条件下,微波输出功率达到约2 GW、脉宽约90 ns;在10 Hz重复频率运行条件下,输出微波功率达到约1 GW、脉宽约100 ns。器件产生的微波频率为3.6 GHz,输出模式为TM01模,效率约20%。对实验结果分析表明,器件截止颈和第一个慢波结构结合处的爆炸发射是导致脉冲缩短的主要原因之一。 展开更多
关键词 长脉冲 相对论返波振荡器 重复频率 射频场 击穿
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射频磁控溅射SiO_2薄膜的制备与性能研究 被引量:11
11
作者 金桂 周继承 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期12-15,共4页
采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜。研究了制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、折射率和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随氧分压的增加先急剧减小,稍有增加后再缓慢减小,而随溅射功率的增加几乎呈线... 采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜。研究了制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、折射率和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随氧分压的增加先急剧减小,稍有增加后再缓慢减小,而随溅射功率的增加几乎呈线性增长;薄膜表面均匀,平均粗糙度分别为1.740 nm(100 W)和2.914 nm(300 W),有随溅射功率的增加而增加的趋势;薄膜的折射率随着溅射气氛中氧气含量的增加而增加,最后稳定于1.46不变;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先缓慢增加,然后缓慢减小,通过800℃/100 s的快速热处理,薄膜的电击穿场强明显升高。 展开更多
关键词 磁控射频反应溅射 电击穿场强 沉积速率 表面形貌
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高频H型放电离子源的场特性 被引量:3
12
作者 唐平瀛 丁伯南 戴晶怡 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期932-936,共5页
 从Maxwell方程组出发,推导了高频H型放电离子源放电空间的场分布,并采用Mafia软件进行了三维实体建模,计算了高频离子源放电击穿前和稳定工作后的电磁场分布,得到了高频离子源放电空间电磁场分布的直观图像。通过比较击穿前高频电场...  从Maxwell方程组出发,推导了高频H型放电离子源放电空间的场分布,并采用Mafia软件进行了三维实体建模,计算了高频离子源放电击穿前和稳定工作后的电磁场分布,得到了高频离子源放电空间电磁场分布的直观图像。通过比较击穿前高频电场的轴向和环向分量,得出了轴向电场在高频离子源击穿中起主要作用的结论,并进而推导出了高频离子源的击穿判据,得出了气体击穿时离子源击穿电压和放电管内气压的关系,与实验结果符合较好。 展开更多
关键词 高频离子源 击穿判据 场分布
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射频激励平板CO_2激光器放电机理的理论研究 被引量:1
13
作者 李贵安 宋建平 +2 位作者 张相臣 唐令西 李貅 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期16-17,共2页
本文以气体放电理论为基础 ,利用简化模型推导出射频激励平板CO2 激光器气体放电击穿电压的数学关系式 ,指出影响激光气体放电击穿的几个物理参量。通过对激光气体放电进行数值模拟 ,得出放电等离子体电压 -电流密度特性曲线 ,讨论了影... 本文以气体放电理论为基础 ,利用简化模型推导出射频激励平板CO2 激光器气体放电击穿电压的数学关系式 ,指出影响激光气体放电击穿的几个物理参量。通过对激光气体放电进行数值模拟 ,得出放电等离子体电压 -电流密度特性曲线 ,讨论了影响该曲线的物理因素 ,描述了放电等离子体的物理结构模型。把理论结论与相关实验测试结果比较 。 展开更多
关键词 射频激励 放电机理 CO2激光器 射频放电 放电击穿 电压特性 放电模型 二氧化碳
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新型的功率器件——射频LDMOS 被引量:13
14
作者 黄江 王卫华 《微波学报》 CSCD 北大核心 2006年第3期48-51,共4页
射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMO... 射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。 展开更多
关键词 射频功率器件 横向扩散金属氧化物半导体 热稳定性 击穿电压
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硅靶低温射频磁控溅射沉积氧化硅薄膜的电击穿场强 被引量:1
15
作者 金桂 黄小益 蒋纯志 《真空与低温》 2009年第3期174-177,184,共5页
采用磁控射频溅射法制备了氧化硅(SiO)x薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的主要成分是氧化硅(SiO)x;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增加后减小,在400 W左右时最大;薄膜的电击穿概... 采用磁控射频溅射法制备了氧化硅(SiO)x薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的主要成分是氧化硅(SiO)x;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增加后减小,在400 W左右时最大;薄膜的电击穿概率与衬底的选择有关,在单面抛光的单晶硅片与在不锈钢衬底上制备的氧化硅相比电击穿场强高且概率集中。 展开更多
关键词 磁控射频反应溅射 表面形貌 电击穿场强
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射频电容静电放电响应研究
16
作者 邓世雄 付丽欣 《军械工程学院学报》 2016年第6期24-28,共5页
为了准确掌握射频电容在人体模型静电放电作用下的输出特性和抗静电能力,对不同材料和容值的射频电容进行人体模型静电放电注入试验.试验结果表明:小容值电容对静电具有衰减作用,但当电容发生击穿时,阻隔作用显著下降;介质材料和厚度不... 为了准确掌握射频电容在人体模型静电放电作用下的输出特性和抗静电能力,对不同材料和容值的射频电容进行人体模型静电放电注入试验.试验结果表明:小容值电容对静电具有衰减作用,但当电容发生击穿时,阻隔作用显著下降;介质材料和厚度不同的电容抗静电能力存在较大差别.该研究结果对微波混合集成电路设计时电容的选型以及电路设计具有一定的工程指导意义. 展开更多
关键词 射频 电容 静电放电 击穿 混合集成电路
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射频磁控反应溅射氧化硅薄膜微结构和电击穿场强研究
17
作者 金桂 蒋纯志 邓海明 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2009年第3期20-22,26,共4页
采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058 nm下降至0.785 ... 采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的主要成分为氧化硅(SiOx);退火前后,薄膜的表面粗糙度由原来的1.058 nm下降至0.785 nm,峰与谷之间的高度差由原来的7.414 nm降低至5.046 nm;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先增大后减小,通过800℃/100 s的快速热退火,在各种射频功率下制备的薄膜电击穿场强都有明显升高,薄膜的绝缘性能显著增强。 展开更多
关键词 射频磁控反应溅射 表面形貌 电击穿场强
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利用真空电子器件产生THz技术的发展
18
作者 傅杨颖 《空间电子技术》 2012年第4期35-40,共6页
THz波技术在生物医学、材料科学、天文学、军事通信等各方面都具有广泛的应用前景。文章介绍了几种能够产生THz的真空电子器件的工作机理及其在发展过程中遇到的瓶颈问题,得出了利用真空电子器件产生THz波的各种优势,介绍了国内外各种... THz波技术在生物医学、材料科学、天文学、军事通信等各方面都具有广泛的应用前景。文章介绍了几种能够产生THz的真空电子器件的工作机理及其在发展过程中遇到的瓶颈问题,得出了利用真空电子器件产生THz波的各种优势,介绍了国内外各种太赫兹真空电子器件研究的技术水平及应用现状,同时对真空电子器件产生THz波技术进行了展望。 展开更多
关键词 THZ 真空电子器件 射频击穿 综述
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等离子体对相对论返波管工作影响的粒子模拟 被引量:1
19
作者 袁玉章 张军 +1 位作者 白珍 钟辉煌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期46-50,共5页
金属高频结构的射频击穿是引起功率下降和脉冲缩短的重要原因,是限制高功率微波(HPM)向更高功率、更长脉冲发展的重要因素。射频击穿的物理过程极其复杂,并且开展射频击穿研究对实验条件等要求高,因此粒子模拟是研究射频击穿的重要手段... 金属高频结构的射频击穿是引起功率下降和脉冲缩短的重要原因,是限制高功率微波(HPM)向更高功率、更长脉冲发展的重要因素。射频击穿的物理过程极其复杂,并且开展射频击穿研究对实验条件等要求高,因此粒子模拟是研究射频击穿的重要手段。通过在慢波结构表面设置爆炸发射电子和离子的方式模拟等离子体对一个X波段的相对论返波振荡器(RBWO)和一个Ka波段的RBWO工作的影响。粒子模拟结果表明,对于分段式慢波结构,后段慢波结构产生等离子体会对电子束的调制造成影响,进而影响器件正常工作,引起微波功率下降。当等离子体由质量较轻的正离子和电子组成时,会对束波作用造成更大的影响,引起较大的输出功率下降。相同密度的射频击穿等离子体对Ka波段RBWO工作的影响大于对X波段RBWO的影响。 展开更多
关键词 高功率微波 相对论返波管 射频击穿 粒子模拟
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波导真空侧射频击穿导致陶瓷窗破裂 被引量:4
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作者 俞家文 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期432-434,共3页
出示真空侧波导内部打火导致陶瓷窗破裂的一些证据 ,支持关于陶瓷窗破裂是由于真空波导内靠近陶瓷窗附近(或在其上 )强射频击穿引起的观点 ,最后简要分析之。
关键词 陶瓷窗 托卡马克装置 低杂波系统 真空波导 窗口破裂
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