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RF集成电路工艺探讨
1
作者
史又华
陆生礼
时龙兴
《电子器件》
CAS
2002年第2期187-192,共6页
射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间。本文介绍了当今RF设计的主流工艺 ,并分别对基于硅的深亚微米CMOS工艺在RF设计中的可行性和困难进行了研究 ,评述了其中存在的问题。
关键词
rf
设计
半导体工艺
gaas
si
双极型
cmos
下载PDF
职称材料
题名
RF集成电路工艺探讨
1
作者
史又华
陆生礼
时龙兴
机构
东南大学
出处
《电子器件》
CAS
2002年第2期187-192,共6页
文摘
射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间。本文介绍了当今RF设计的主流工艺 ,并分别对基于硅的深亚微米CMOS工艺在RF设计中的可行性和困难进行了研究 ,评述了其中存在的问题。
关键词
rf
设计
半导体工艺
gaas
si
双极型
cmos
Keywords
rf design
,
semiconductor technology
,
gaas
,
si bipolar
,
cmos
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
RF集成电路工艺探讨
史又华
陆生礼
时龙兴
《电子器件》
CAS
2002
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