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RF集成电路工艺探讨
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作者 史又华 陆生礼 时龙兴 《电子器件》 CAS 2002年第2期187-192,共6页
射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间。本文介绍了当今RF设计的主流工艺 ,并分别对基于硅的深亚微米CMOS工艺在RF设计中的可行性和困难进行了研究 ,评述了其中存在的问题。
关键词 rf设计 半导体工艺 gaas si双极型 cmos
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