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射频反应溅射SiO_2薄膜的研究
被引量:
2
1
作者
张旭苹
陈国平
《真空电子技术》
北大核心
1994年第3期3-6,共4页
研究反应气体(O_2)含量及基片温度对射频反应溅射SiO_2膜光学性能及沉积速率的影响,并给出了膜层俄歇能谱分析结果。
关键词
射频反应溅射
薄膜
二氧化硅
下载PDF
职称材料
题名
射频反应溅射SiO_2薄膜的研究
被引量:
2
1
作者
张旭苹
陈国平
机构
东南大学电子工程系
出处
《真空电子技术》
北大核心
1994年第3期3-6,共4页
文摘
研究反应气体(O_2)含量及基片温度对射频反应溅射SiO_2膜光学性能及沉积速率的影响,并给出了膜层俄歇能谱分析结果。
关键词
射频反应溅射
薄膜
二氧化硅
Keywords
rf reactive sputtering
,
sio_2 film
,
auger spectroscopy
分类号
TN304.210 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
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1
射频反应溅射SiO_2薄膜的研究
张旭苹
陈国平
《真空电子技术》
北大核心
1994
2
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