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射频反应溅射SiO_2薄膜的研究 被引量:2
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作者 张旭苹 陈国平 《真空电子技术》 北大核心 1994年第3期3-6,共4页
研究反应气体(O_2)含量及基片温度对射频反应溅射SiO_2膜光学性能及沉积速率的影响,并给出了膜层俄歇能谱分析结果。
关键词 射频反应溅射 薄膜 二氧化硅
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