对HIRFL几个主要参数的稳定性要求

对ＨＩＲＦＬ（兰州重离子研究装置）的几个主要参数的稳定性对束流指标及运行效率的影响进行了分析，如高频的幅度稳定和相位稳定及主磁场的稳定等，并提出了合理的稳定度要求和需要采取的措施．

一种避免网络间数据碰撞的新型RFID阅读器设计

为解决航天器上无线射频识别(RFID)网络和其他网络共存时的干扰和碰撞问题,文章提出了一种避免碰撞的新型RFID阅读器的设计,分析和验证了新型RFID阅读器在RFID和紫蜂技术(ZigBee)网络共存时的有效性。新型的RFID阅读器具备竞争接入机制和网络协调能力,在网络共存和互联互通中,起到了一个协调器和中心控制节点的作用,降低了碰撞概率(在仿真分析中可从40%左右降到几乎为0),提高了网络吞吐量。新型RFID阅读器的使用和功效不限于这两种网络的共存情况,在RFID和其他网络的共存时,同样有效。

CF_4,CH_4制备氟化非晶碳薄膜工艺研究

以CF4和CH4为源气体,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同工艺条件下的氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜。发现薄膜的沉积速率和射频功率几乎成正比关系,薄膜中氟的存在是导致薄膜具有紫外吸收特性的根本原因;用傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析可知薄膜中有C-F基团的存在,使得薄膜的介电常数降低;合理控制沉积条件,可获得理想的电介质薄膜。

退火气氛对Al-F共掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响

用射频磁控溅射法制备了Al-F共掺杂ZnO(ZnO(Al,F))透明导电薄膜,研究了不同退火气氛对ZnO(Al,F)薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明:在真空和还原性气氛中退火后的薄膜透光率呈现'蓝移'趋势,在空气中退火处理后的薄膜透光率则表现为'红移';在真空中,400℃×60min的退火处理,使ZnO(Al,F)薄膜的电阻率降低至1.41×10^(-3)Ω·cm,透光率则上升到93%以上,有效提高了薄膜的光电特性;所有退火气氛下,薄膜均具有(002)单一择优取向的多晶六方纤锌矿结构;薄膜的晶粒尺寸为25～30nm。

1.25GHz高效率F类射频功率放大器

传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证后得知,功率放大器工作在1.25GHz时,该功率附加效率达到74.3%以上,输出功率为47.6dBm,带宽为240 MHz.

近似F-紧空间及其性质

建立了近似F-紧空间的概念,给出了近似F-紧性的8个等价条件以及近似F-紧性、几乎F-紧性和NS-闭性之间的关系。同时证明了:①近似F-紧性是正则闭遗传的和有限可和的;②近似F-紧性在不定正则(几乎连续且闭、连续且开等)的Zadeh型函数下保持不变;③对于近似F-紧性而言,Alexander子基引理和Tychonoff乘积定理成立。从而推广了一般拓扑学中的近似紧性和LF拓扑空间中的F-紧性概念。

传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配

等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1<n<2 )的一个解析表示式 ,它是 Si H4气压 / Si H4流速率比 (Pr/ fr)、电极间距 (D)、Pd和 n的函数 ,而且还受到衬底温度 (Ts)的限制。这表示 ,在 CPECVD工艺中不存在独立的 Pd/

高效率Class F功率放大器的设计

本文基于InGaP/GaAs HBT(HBT为异质结双极晶体管)工艺设计了一款高效率的Class F功率放大器。文中首先描述了F类功率放大器的特点和电路原理,然后对放大器的设计过程如匹配电路设计技术、谐波抑制对功率效率的影响,以及偏置电路的设计等问题做了详细的讨论。测试结果表明,设计的功率放大器在电源电压为5V,输出功率为37dBm时,效率达68%。

逆F高功率高效率饱和功率放大器

射频功率放大器应用范围比较广,关键指标为功率和效率,逆F类型功率放大器利用谐波阻抗控制,可以做到高功率,高效率。利用多工艺的联合仿真,使功率和效率做到仿真和测试的更好拟合,这将大大节省产品的开发。

网络信息RF-F分群管理模式研究

本研究立足于RFM分析模式这一经典的分群方法,结合Fisher有序聚类算法,并以R,F这两个时间和行为变量定义出网络信息个体被利用过程的9种状态,得到网络信息分群中的五个群组等级状态,最后结合人民网强国论坛的数据进行了实证研究。

高寒草甸土壤腐殖质组成及性质的研究

不同草甸植被下土壤有机质含量不同 ,同时腐殖质特性亦有较大差异。采用熊田法研究表明 ,不同类型的草甸土壤总腐殖质含量高低变化较大 ,总有机质含量变化在 7.0 0 %～ 12 .2 8%之间 ,游离胡敏酸 (fHa)比率为 5 1.67%～60 .10 %,游离富里酸 (fFa)比率为 80 .0 1%～ 86.46%;可提取腐殖质中胡敏酸所占比率为 47.99%～ 5 6.98%。此外腐殖质相对色度 (RF)、E4 。

一种优化的射频接收前端电路

介绍了一种直接混频的无线局域网802.11b接收机前端电路。在考虑输入寄生的前提下,对射频输入端的阻抗匹配和噪声性能进行了优化;提出了一种适合低电源电压工作的新混频器结构;整个接收前端电路采用直流耦合的方式,增加一个负反馈低通滤波器,以消除直流偏差,减少低频噪声。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,仿真结果显示,整个接收机的噪声系数为5.2 dB,输入三阶交调IIP3为-14.5 dBm。1.8 V电源电压下,功耗为100 mW左右。

PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究

采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a -C∶F ,研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系 ,测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数 ,并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分 ,发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关 。

PIN二极管在可重构天线中的作用的研究

为适应现代通信设备的需求,天线的研发趋向于小型化,多波段。在不影响天线功能的前提下设计一个解决多频,小型化的天线成为一个好的解决方案。本文中提出了使用RF PIN二极管作为转换开关,通过对直流电压信号的控制产生不同的阻抗值,从而调节天线的频率。该转换开关的功能是改变PIFA天线上两个被窄缝分割相对独立的辐射贴片间的耦合,并通过这种耦合来改变表面电流分布。所以,当开关开启时产生较大的表面电流分布,电流路径长度加长,从而产生较低的频率。而当开关闭合时,这就是开关对频率的调节作用。本文中的RF PIN二极管被用作转换开关,通过对直流电压的控制来达到不同的阻抗值,从而调节天线的频率。

Si过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响

研究了不锈钢基片上Si过渡层对F-DLC薄膜附着特性的影响.采用反应磁控溅射法,以Ar为源气体,在316L不锈钢基片制备了Si薄层,并在Si薄层上沉积了F-DLC薄膜,通过划痕实验测试了各个样品的膜/基结合强度.结果表明,引入Si过渡层可以明显增强氟化类金刚石薄膜和不锈钢基片之间的结合强度,在200 W下制备的Si过渡层上,F-DLC薄膜的结合强度最佳.根据薄膜表面形貌的扫描电镜观察、晶粒尺寸的分析以及薄膜键结构的红外光谱、拉曼光谱分析,F-DLC薄膜的结合强度与Si—C键等基团的形成、含量以及Si的键入方式有关.

基于悬置线双模谐振器谐波控制型滤波功放

为了实现高效率的射频滤波功率放大器(filtering power amplifier),将基于悬置线的截线加载谐振器(stub-loaded resonator)带通滤波器的输入阻抗直接匹配到射频功放管CGH40010F的最佳基波阻抗和谐波阻抗,实现射频功率放大器与滤波器的联合设计,使滤波器同时实现了滤波、阻抗匹配和谐波控制的功能,避免了额外的输出匹配结构,实现了结构紧凑、具有滤波功能的高效率谐波控制型射频功放.实测结果表明在中心频率2.45GHz处,其输出功率约为40dBm,最大电源附加效率(power added efficiency)为76.9%,同时具有良好的滤波特性.

一种高集成度TDD模式射频收发模块

文章介绍了一种高集成度TDD模式的射频收发模块,在移动通信的F频段(2015~2025 MHz),实现射频与数字基带互相转换,Tx功率达到2 W,接收NF小于2.1dB,收发EVM指标全面达到要求。