一种新的梳状基区RF功率晶体管

给出一种新的 RF功率器件结构 -梳状基区结构 .在不增加本征集电结面积的情况下 ,该结构能显著改善 RF功率晶体管散热特性 ,增大器件的耗散功率和输出功率 ,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾 .模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 .采用该技术制作的试验样管 DCT375同传统结构器件相比 ,其热电特性得到显著的改善 .这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径 .

双极RF功率管的深阱结终端

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d

低电压RF功率放大器/驱动器的原理和应用

本文详细论述了ＭＡＸ２４３０ 集成ＲＦ 功率放大器的结构组成和工作原理。

高RF功率制备的ZnO:Li薄膜性能研究

实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较。结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%。该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV)。其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似。

CDMA基站RF功率放大器的工艺改进研究

介绍了CDMA基站RF功率放大器的基本组成以及预失真技术在放大器中的应用,通过重新分布连接器的位置,改变延迟线的长度从而消除相位偏差。对改善前后的测试数据进行对比,证明了提出改善工艺的方案是有效的,为提高基站RF功率放大器良品率奠定了基础。

基于PIC18F6622实现RF功率放大器全程回退特性

提出一种基于PIC18F6622工业级单片机的控制方法,通过将功率-栅压进行动态关联,实时调节栅压,实现了输出功率满量程范围内的高线性输出。实验结果表明,采用该方法的RF功率放大器线性好,效率高,对设计低成本的高线性功率放大器具有很好的指导作用。

RF功率MOSFET产品及其工艺开发

本文简述了RF功率MOSFET器件的应用,分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF功率MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线,设计了产品的制造工艺流程,分析了制造工艺的难点,并提出了解决方案。

RF功率放大器IC在移动电话中的应用

目前已进入“无线时代10年”的后半期,在移动电话中靠近天线部分巳使用单片IC,这正是技术人员和企业家所期盼的。

飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案重新定义晶体管性能

过去，RF功率的性能完全取决于线性效率。如今，开发者遇到更加复杂的挑战：需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题，飞思卡尔半导体（NYSE：FSL）日前推出新型硅片RFLDMOS功率晶体管AirfastRF功率解决方案，将性能和能效提升至新的高度。飞思卡尔通过新的产品系列解决了这种模式转变带来的问题，该产品系列基于一种更加全面的、完整的系统级RF功率技术方法。

飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案重新定义晶体管性能

过去，RF功率的性能完全取决于线性效率。如今，开发者遇到更加复杂的挑战：需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题，飞思卡尔半导体fNYSE：FSL）日前推出新型硅片RFLDMOS功率晶体管AirfastRF功率解决方案，将性能和能效提升至新的高度。

飞思卡尔面向中国TD-SCDMA无线网络推出RF功率系列产品 先进的LDMOS FET可提升基站放大器的性能并降低其成本及复杂性

在中国，时分同步码分多址存取（TD—SCDMA）无线网络被广泛应用，而这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。这些先进的器件是专为TD—SCDMA设计的飞思卡尔LDMOS功率晶体管系列中的最新产品，而TD—SCDMA在业界被广泛部署。

飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案重新定义晶体管性能

过去，RF功率的性能完全取决于线性效率。如今，开发者遇到更加复杂的挑战：需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题，飞思卡尔半导体（NYSE：FSL）日前推出新型硅片RFLDMOS功率晶体管Airfast RF功率解决方案，将性能和能效提升至新的高度。飞思卡尔通过新的产品系列解决了这种模式转变带来的问题，该产品系列基于一种更加全面、完整的系统级RF功率技术方法。

ADI推出宽动态范围RF功率检波器

全球领先的高性能信号处理应用半导体解决方案供应商Analog Devices，Ine．（ADll近日在北京推出两款拥有宽动态范围、一流精度和温度稳定性的RF功率检波器。以ADI领先的检波器专业技术为依托，ADL5903RF检波器对于要求精确测量与波形特性无关的信号功率的多种高频系统而言，堪称最佳解决方案。ADL5506RF检波器是一款用于测量多种无线终端设备中RF信号的完整子系统。两款检波器均采用小型封装，具有功耗低的特点，是空间或功率受限型设计的理想选择。

飞思卡尔新RF功率产品降低了面向多载波无线基站的放大器复杂性和运营成本 在1800 MHz和1900MHz无线频段中三个LDMOS晶体管实现出众的性能

2010年9月28日，德州奥斯汀——飞思卡尔半导体推出3款新型RFLDMOS功率晶体管，提供在无线基站收发器里使用Doheay多载波功率放大器（MCPA）要求的超高输出电平。

NI与NanoSemi合作开展先进的5G测试 NanoSemi开发的基于机器学习的全新线性化软件完善了NI RF功率放大器测试解决方案

新闻发布-2018年6月21日-NI（美国国家仪器公司，National Instruments，简称NI），以软件为中心的平台供应商，助力于加速自动化测试和自动化测量系统的开发进程和性能提升，今日宣布与NanoSemi公司合作开展先进的5G测试。

程控宽带RF功率分析仪使产品测试更高速——京瓷公司成为2800RF功率分析仪的第一个用户

吉时利仪器公司(纽约股票代码:KEI)正式发布2800RF功率分析仪,主要用于无线电话、RFIC功率放大器和相关RF器件的高速测试.

凭借第二代Airfast功放,飞思卡尔继续扩大RF领导地位 Airfast RF功率LDMOS器件打破了50%的Doherty效率瓶颈

RF功率行业的领导者飞思卡尔推出了第二代Airfast RF功率解决方案，为高级无线架构设备（包括GSM／UMTS、CDMA／W-CDMA、LTE和TD-LTE应用）提供了全新级别的性能。