RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜

采用 RF反应溅射法在普通玻璃衬底上制备了具有良好 c轴取向性的透明多晶 Zn O薄膜 .由 X射线衍射技术 (XRD)分析了样品结构与沉积条件的关系 .溅射气体中 O2 分压比 R(PO2 /PAr)和衬底温度 Ts 对 Zn O薄膜的结构有显著和相似的影响 ,达到最佳点之前 ,这两个参数与Zn O薄膜质量是正相关的 ,随后薄膜质量随 R和 Ts 的增大而急剧下降 .在最佳沉积条件下得到的样品 XRD谱中只有 (0 0 2 )一个衍射峰 ,此衍射峰半高宽 (FWHM)仅为 0 .2 0°,由此计算得到晶粒大小为 4 2 .8nm.同时还发现所有薄膜中都有垂直于 c轴的压应变存在 ,并且随着衬底温度的升高而减小 .由薄膜折射率数据计算得到的薄膜堆积密度达到 97% ,在 30 0～ 10 0 0 nm波长范围内样品的平均透过率达到 92 % 。

RF反应溅射法制备NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结研究

采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5%的NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结.样品制备采用一系列的掩模,Al2O3层的制备采用RF反应溅射并原位热氧化方法,隧道结的面积为0.2mm×0.2mm.样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线说明了样品中隧道效应的存在,利用XPS分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的变化.

用于太阳电池吸收层CuInS_2薄膜的RF反应溅射制备及其表征

该文报道采用射频反应溅射技术,以铜银合金为靶材、H2S为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS2薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射X-射线谱、X-射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品的结构形貌和组成成分等特性进行了分析表征,研究了这些特性对沉积参数的依赖关系。通过对溅射功率、衬底温度和H2S流量等工艺参数的优化,获得了单一黄铜矿相结构且沿单一晶向(112)生长的高质量富铜薄膜,晶粒线度达400 nm,薄膜中成分的原子比[Cu+In]/[S]和[Cu]/[Cu+In]可分别接近于1和0.5,并对结果进行了简单讨论。该技术成本低廉、可靠性高,适合于高效太阳电池吸收层薄膜的高均匀度大面积沉积,具有规模化工业生产的推广价值。

沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

采用RF反应溅射法在Si(1 1 1 )、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜。用XRD分析了沉积条件 (衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类 )对样品结构的影响。发现 (1 )薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强 ,超过40 0℃后薄膜质量开始变差 ;(2 )工作气体中氧与氩气压比 (PO2 PAr)为 2 :3时 ,薄膜取向性最好 ;(3)薄膜晶粒尺寸 1 1～ 34nm ,相同沉积条件下 ,单晶硅衬底样品 (0 0 2 )衍射峰强度减弱 ,半高宽无明显变化。

沉积和退火温度对多晶ZnO薄膜结构特性的影响

采用RF反应溅射法在Si(111)衬底上制备出了沿C轴高度取向的多晶ZnO薄膜。通过对ZnO薄膜的X射线衍射(XRD)分析,研究了沉积温度及退火对多晶ZnO薄膜取向性、晶粒大小和应力的影响。结果表明,衬底温度和退火温度对多晶ZnO薄膜的晶体结构影响显著。适当的提高衬底温度或适当的增加退火温度都能有效地改善ZnO薄膜的结构特性,但增加退火温度更有优势。同时原子力显微镜观察表明,退火能有效地降低ZnO薄膜的表面粗糙程度。