RF法用热固化衬垫焊剂的研制

造船行业为了提高大拼板的焊接效率，引进了日本的焊剂垫双丝单面埋弧自动焊工艺（简称ＲＦ法）。根据ＲＦ法焊接工艺，探讨了焊接规范、坡口角度、双丝间距、上支承压缩空气等因素对焊缝反面成形的影响，分析了表面焊剂、衬垫焊剂、下敷焊剂的作用和特点，研究了衬垫焊剂的渣系及各种化学组分以及焊剂添加剂对焊缝反面成形的影响，从而研制出适应ＲＦ法工艺焊接的衬垫焊剂（Ｂａｃｋｉｎｇｆｌｕｘ）。其性能达到了国内外同类产品的先进水平。

RF磁控溅射法在Si衬底上生长ZnO薄膜界面的XPS研究

采用 RF磁控溅射方法在 Si衬底上生长 Zn O薄膜 . XRD测量结果表明 ,Zn O薄膜为 c轴择优取向生长的 .对 Zn O薄膜进行了 XPS深度剖析及测试 .测试结果表明 ,在未达到界面时 Zn O均符合正化学计量比 ,是均匀的单相膜 ,表明该方法具有较好的成膜特性 .在界面处 ,Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、 Zn2 p3/2 与 Zn LMM峰积分面积比值的变化、 Si2 p峰的非对称性 ,均表明 Si与 Zn O的界面处有明显的成键作用 .在界面处 ,n型 Si反型为 p型 .

RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜

采用 RF反应溅射法在普通玻璃衬底上制备了具有良好 c轴取向性的透明多晶 Zn O薄膜 .由 X射线衍射技术 (XRD)分析了样品结构与沉积条件的关系 .溅射气体中 O2 分压比 R(PO2 /PAr)和衬底温度 Ts 对 Zn O薄膜的结构有显著和相似的影响 ,达到最佳点之前 ,这两个参数与Zn O薄膜质量是正相关的 ,随后薄膜质量随 R和 Ts 的增大而急剧下降 .在最佳沉积条件下得到的样品 XRD谱中只有 (0 0 2 )一个衍射峰 ,此衍射峰半高宽 (FWHM)仅为 0 .2 0°,由此计算得到晶粒大小为 4 2 .8nm.同时还发现所有薄膜中都有垂直于 c轴的压应变存在 ,并且随着衬底温度的升高而减小 .由薄膜折射率数据计算得到的薄膜堆积密度达到 97% ,在 30 0～ 10 0 0 nm波长范围内样品的平均透过率达到 92 % 。

RF溅射的Fe-N薄膜的磁导率研究

研究了用ＲＦ溅射法制备的Ｆｅ Ｎ薄膜经过 2 50℃磁场热处理后高频磁导率的变化情况。实验结果发现 ,在优化生长条件下生长的Ｆｅ Ｎ薄膜样品 ,在 1～ 1 0ＭＨｚ的频率范围内 ,易磁化方向的高频磁导率较小 ,但其难磁化方向的相对磁导率可以高达 1 50 0 ,并且基本恒定 ,说明这种Ｆｅ

岩石有限应变测量R_f/Φ法的一种改进方法

本文提出了利用 Rf/Φ法进行有限应变测量的一种改进方法。在最大主伸长方向未知的情况下 ,利用多元线性回归的方法 ,也可以求出应变椭圆的轴率 Rs等参数。利用本方法 ,对初始为椭圆 (球 )形标志体进行有限应变测量时不需要通过别的方法确定最大主伸长方向 ,不必假定初始椭圆为随机取向 ,因而大大提高了

多步磁控溅射法制备ZnO薄膜

实验采用射频磁控溅射法,通过多次短时沉积和热处理工艺,以玻璃为衬底在不同射频功率下制备了ZnO薄膜,探讨了射频功率对薄膜结构、光及电性能等方面的影响。结果表明,在低于300 W的功率下,采用多步法制备的薄膜表面平整致密,晶粒均匀,具有良好的c轴定向。且薄膜的可见光透过率在80%以上,电阻率达到1010Ω.cm。

氧化石墨修饰制备Sn/C复合材料及其嵌锂性质

兼顾Sn/C复合物循环稳定性的同时为了提高其容量,采用氧化石墨(GO)修饰间苯二酚-甲醛凝胶(RF)包覆SnCl4得到前驱化合物并进行水热处理制备改性Sn/C复合物。改性后Sn颗粒与碳基底之间结合更好。循环伏安曲线表明,改性的复合物中Li+在脱嵌时的不可逆变化减小;通过交流阻抗测试结果计算出Li+在改性后的复合物中有着更高的扩散系数;90次循环之后其容量仍能保持在270mAh/g以上,35次循环后的容量保持率接近100%。

考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集

采用PIC MCC方法研究了AVLIS工程中一维RF共振法离子引出和收集过程 ,重点研究离子在收集板上造成的溅射损失以及离子的收集效率 .模拟结果表明 ,RF共振法与平行板静电场法相比 ,引出时间较短 ,碰撞损失和溅射损失较低 ,收集率较高 ;增加引出电压 ,可以缩短引出时间 ,降低碰撞损失 ,但是增加了溅射损失 ,使得收集率降低 ;增大磁场强度 ,使碰撞损失降低 ,溅射损失增加 ,收集率降低 .

钨纳米线的制备与应用

综述了钨纳米线的最新研究进展,详细地介绍了数种钨纳米线的制备技术和这种新型纳米材料潜在的巨大应用价值,提出了目前报道的制备方法中存在的几个问题,并展望了未来的发展趋势。

反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究

在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V特性曲线。实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系。纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本上为纳米级的微晶,晶体结构为单斜结构(a=5.17、b=5.26、c=5.3、α=γ=90°,β=80.17°),在O2/Ar流量比为1∶4混合气氛下制备出了具有非晶结构的均质ZrO2薄膜;低的O2/Ar流量比下溅射得到的ZrO2薄膜样片,均方根粗糙度较低,表面平整度较好;在O2/Ar流量比为1∶4左右时,ZrO2薄膜的相对介电常数达到25。

湖北长阳半峡背斜岩层应变分析

利用核部Ｍ型小褶皱、层间小褶皱、方解石脉及劈理等地质标志体，对半峡背斜进行了系统的线应变测量；在此基础上，运用长短轴法，Ｆｒｇ法及Ｒｆ／Φ法对南津关组、分乡组鲕粒灰岩的鲕粒应变进行测量、统计与分析。应变分析结果表明：半峡背斜岩层发生过两次明显的变形。第一次在半峡背斜形成之前，岩层在成岩作用或构造作用下形成的变形。第二次是在半峡背斜形成过程中发生的变形，半峡背斜不同构造部位、不同岩性的应变值与褶皱弯滑作用形成的应变协调一致。

La_(0.6)Sr_(0.4)CoO_3薄膜的制备及NTC特性研究

为研制具有较低室温电阻值的NTC薄膜热敏电阻,以La0.6Sr0.4CoO3陶瓷为靶材,采用RF磁控溅射法,在Al2O3基片上沉积了La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)薄膜。研究了溅射过程中氩氧体积流量比对LSCO薄膜结晶性能和方阻的影响以及LSCO薄膜的阻温特性。结果表明:随着氩氧体积流量比的增加,LSCO薄膜的主晶相衍射峰强度及方阻均先增大后减小。LSCO薄膜具有显著的NTC特性,室温时的电阻温度系数α25为2.24×10–5;其lnR-T–1曲线具备良好的线形度,线性偏差仅为2.09%;另外,其室温时的电阻R25仅为18.75k?。