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ZnO单晶薄膜光电响应特性
被引量:
4
1
作者
李瑛
冯士维
+4 位作者
杨集
张跃宗
谢雪松
吕长志
卢毅成
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期96-99,共4页
对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积Si O2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积Si O2在ZnO表...
对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积Si O2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积Si O2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.
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关键词
单晶ZnO
MOCVD光电响应
AR膜
rf溅射损伤
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职称材料
题名
ZnO单晶薄膜光电响应特性
被引量:
4
1
作者
李瑛
冯士维
杨集
张跃宗
谢雪松
吕长志
卢毅成
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
Department of Computer and Electrical Engineering
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期96-99,共4页
基金
北京市优秀人才培养专项资金资助项目(批准号:67002013200302)~~
文摘
对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积Si O2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积Si O2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.
关键词
单晶ZnO
MOCVD光电响应
AR膜
rf溅射损伤
Keywords
ZnO single crystal film
MOCVD
photoresponse
AR coating
rf
sputter damage
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO单晶薄膜光电响应特性
李瑛
冯士维
杨集
张跃宗
谢雪松
吕长志
卢毅成
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
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