RF-HFCVD生长高质量纳米金刚石薄膜

采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在该条件下金刚石成核密度达 10 11cm-2 ,经 1h生长即获得连续薄膜 ,其平均晶粒尺寸为 2 5nm ,表面粗糙度仅为 5 5 ,在近红外区域 (80 0nm处 )的光透过率达 90 % .

立方氮化硼(c-BN)薄膜生长特性研究

用射频等离子体增强热丝化学气相沉积 (RF- HFCVD)技术在 Si,Ni衬底表面合成了 c- BN膜 .实验结果表明 ,热丝温度、衬底温度等工艺参量及衬底材料的结构特性是影响 c- BN薄膜生长的主要因素 .

石英衬底上生长的高光学质量的纳米金刚石薄膜

采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜 .用扫描电子显微镜 (SEM)和台阶仪观测薄膜的表面形貌和粗糙度 ,x射线衍射 (XRD)和Raman光谱表征膜层的结构 ,并用紫外 可见 近红外光谱仪测量其光透过率 .实验结果表明 ,衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性、表面粗糙度及光透过率均有很大程度的影响 ,其最佳值分别为 70 0℃ ,2× 133Pa和 2 0 0W .在该最佳参量下经 1h的生长即获得连续、平滑的纳米金刚石膜 ,其平均晶粒尺寸为约 2 5nm ,表面平均粗糙度仅为 5 5nm ,在近红外区的光透过率高达 90 %