基于RF-IC卡智能门禁安全管理系统的开发

介绍了非接触式IC卡智能门禁安全管理系统中的读写器软、硬件设计与服务器端的软件设计。非接触式IC卡门禁管理系统是近年来数字技术与网络技术发展的结果 ,也是楼宇智能化的产物 ,具有操作方便、安全可靠、便于管理等特点。此系统适用的范围广泛 ,可适用于一般门锁控制 ,也适用于各种重要部门的门控系统。在门禁系统中IC卡就是钥匙 ,它具有身份识别作用 ,实现门禁安全管理系统中的用户管理。在通信方面 ,采用RS485网络与以太网相结合的方式 ,可以实现近距离。

硅基三维集成射频无源器件及电路研究进展

射频电賂在移动通信终端和雷达前端等电子系统中占据了较大比例的面积和体积,且现有射频集成方式无法实现无源电路的微型化、多功能化、一体化系统集成,成为系统小型化集成、性能提升的瓶颈,更制约了各种电子设备和通信系统的发展.基于硅通孔的三维集成技术可以实现硅基电路的多层堆叠,在实现高密度、高性能、微型化的射频系统方面具有巨大发展潜力和广阔应用前景.本文介绍了基于硅基三维集成技术实现的射频无源器件及电路的研究进展,主要包括无源电容、电感、天线、滤波器、功分器、耦合器、巴伦.最后,对各类射频无源器件及功能电路模块的发展现状和趋势进行了总结和展望.

智能取餐自动结算系统设计与实现

当前,各大食堂内大多是传统的排队就餐,食堂工作者将用户选择的食物装盘,结算方式虽然采用现阶段广泛应用的RFID射频技术,但仍然需要人工干预,比如由人工按键设置金额,再结算扣费。文章设计的系统省去人工设置金额环节,简化了结算方式,给出了系统工作流程和设计方案。系统设计采用模块化设计方法,由单片机联接称重模块、RFID射频读写模块和液晶显示屏来模拟整个取餐结算的过程:用户自助取餐,将餐盘放置在称重台上,再直接刷IC卡扣费结算。称重取餐结算稳定、快速、准确,过程仅需用户自助,有利于食堂完善结算体系,降低运营成本。系统在结算应用中存在一定推广价值。

加强多媒体教学设备安全运行管理的措施探讨

随着我国教育事业的发展,教育部开始大力实施教育信息化建设工程,各中小学及高校开始普及多媒体教学。多媒体教学彻底改变了传统的教学方式,以图像、动画及视频等为载体,代表着信息科技的发展;加强多媒体教学设备的安全运行管理则显得尤为重要,本文首先对一种基于非接触式IC卡的智能安全管理系统进行了研究,对具体的设计方法进行了分析,随后对多媒体教学设备的安全管理与维护进行了阐述,以期给相关人员参考。

基于Adaptive Lasso及RF算法的冰雪天气交通事故分析

为分析冰雪天气下高速公路交通事故频发致因,量化分析驾驶环境、驾驶员及车辆情况对事故的影响,根据Adaptive Lasso和随机森林(RF)混合算法建立预测模型。以10年约30万组冰雪环境下高速公路交通事故数据为例,训练改进预测模型验证其准确性。结果表明,混合算法的准确度和拟合程度都优于支持向量机(SVM)、分类回归树(CART)及RF等单独算法。交通事故与环境因素相关性最显著,坡路、弯道及交叉口处事故受冰雪环境影响较大;事故与驾驶员因素中部分因素显著相关,如驾驶员性别及安全带使用情况;本地驾驶员对驾驶能力及冰雪环境的估计错误更易导致交通事故。

一种优化的射频接收前端电路

介绍了一种直接混频的无线局域网802.11b接收机前端电路。在考虑输入寄生的前提下,对射频输入端的阻抗匹配和噪声性能进行了优化;提出了一种适合低电源电压工作的新混频器结构;整个接收前端电路采用直流耦合的方式,增加一个负反馈低通滤波器,以消除直流偏差,减少低频噪声。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,仿真结果显示,整个接收机的噪声系数为5.2 dB,输入三阶交调IIP3为-14.5 dBm。1.8 V电源电压下,功耗为100 mW左右。

低功耗CMOS低噪声放大器的设计

针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比。模拟结果表明,按照该方法基于0.18μm CMOS工艺设计的工作于1.58 GHz的低噪声放大器,在仅消耗1.9 mA电流的条件下,噪声指数小于1 dB。

ZigBee无线网络技术在抄表系统中的应用

简单分析了现有自动抄表技术存在的问题,介绍了ZigBee技术的特点和优势,将ZigBee技术应用于自动抄表系统,提出了无线网络抄表系统方案。该方案利用TI公司的低功耗单片机MSP430F147作为核心处理器,使用Chipcon公司的射频芯片CC2420实现了数据无线收发通信。论述了系统的构成和工作原理,阐明了系统的硬件电路和软件设计。实践表明,把低成本、低功耗的无线Zig-Bee技术应用于自动抄表系统,提高了系统应用的灵活性,同时也减少了抄表系统现场布线带来的各种问题。

低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计

设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制的物理理解,电路中采用了噪声消除技术,以减少Gilbert型混频器中开关管的闪烁噪声,并引入一个额外的电感与开关对共源节点的寄生电容谐振,改善整个电路的噪声系数和转换增益等关键性能指标。电路采用TSMC0.25μm RF CMOS工艺实现,SSB噪声系数为7dB,电压转换增益为10.4dB,输入1dB压缩点为-22dBm,且输入阻抗匹配良好,输入反射系数为-17.8dB。全差分电路在2.5V供电电压下的功耗为10mW,可满足GPS接收机射频前端对低噪声、高增益的要求。

一种基于二分搜索法的平面螺旋电感的快速优化技术

针对平面螺旋电感的物理模型和Jenei等提出的闭式电感公式 ,提出了一种基于二分搜索法在工艺参数和工作频率确定的条件下快速优化电感版图参数的技术 .实验证明Jenei公式的计算速度比Greenhouse方法提高了大约两个数量级并且能够提供相当的精度 .对Jenei公式进一步数学分析证明在工艺参数和工作频率确定的条件下可以用二分搜索法快速地找出满足电感值和其他约束条件的所有版图参数 ,并从中选出Q值最大的一组 .

基于MF-RC500的通用射频卡读写模块的设计

介绍基于MF-RC500芯片的通用射频卡读/写模块的设计和实现。该读/写模块具有和应用系统的多种通信接口方式,包括二线制通信模式;模块设计有用户高级读写指令,极大地简化了应用系统对射频卡的操作;应用系统和模块的通信基于二次握手的通信协议,保证了通信的稳定和可靠。

射频集成电路测试技术研究

射频集成电路(RFIC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件,由于其高频特点,准确评估RFIC的性能具有相当的难度。文章以射频低噪声放大器(LNA)为例,运用微波理论,分析了RFIC典型参数,如S参数、带宽、P1dB、OIP3以及噪声系数等的测试原理和测试方法,并对影响RFIC性能测试的主要因素进行了分析。最后,给出了一种LNA电路的测试结果。

SOI在射频电路中的应用

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。

RF模型综述

文章主要讨论了RF模型的现状和应用前景。首先说明了RF模型的一般要求,然后对其中的核心问题和目前关注的焦点进行了分析,如寄生元件尤其是栅电阻和衬底电阻网络的建模、非准静态效应的建模和高频噪声的建模等。同时,还简单介绍了目前通用的简单模型。最后,提出了改进RF模型的方向和策略。

MOSFET输出阻抗对混频器线性度影响分析

深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响 ,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型 ,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件 .基于 0 .2 5 μmCMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明 ,预测得到的线性度最优理论偏置值与验证结果之间的误差小于 10 % .

2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计

在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一。首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18μm CMOS工艺给出了工作在2.45GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性。

一种用于Bluetooth发接器的倍频式VCO

介绍了一种适用于 Bluetooth发接器的 ,可以单片集成的倍频式压控振荡器 ( VCO)。这种 VCO由两部分组成 ,主 VCO的振荡频率是所需本振频率的一半 ,然后采用“注入锁频”原理对主 VCO的振荡频率进行倍频以产生本振信号。主 VCO和倍频电路都使用了片上集成螺旋电感 ,调谐用的变容元件使用 PMOS晶体管实现。经过版图设计和后仿真 ,在 TSMC0 .35 μm数字 COMS工艺 ,3.3V电源电压下 ,该 VCO在 2 .4GHz中心频率附近可以达到的相位噪声指标为 -1 2 5 d Bc/Hz( 60 0 k Hz) ,在输出摆幅为 60 0 m Vp- p时 ,功耗为 2 2 m W。

“Ni-Zn铁氧体颗粒-光刻胶”覆盖的片上射频电感

本文报道了采用新型“纳米颗粒-光刻胶”混合旋涂技术制作的片上射频Ni-Zn铁氧体磁膜微电感。成相良好的Ni0.3Zn0.6Cu0.1Fe2O4铁氧体纳米颗粒在光刻胶中均匀混合,再将该混合物涂覆在螺旋电感线圈上,实现电感性能的提升。这种新型低温工艺避免了常规制作铁氧体器件方法带来的高温处理（〉600°C）对集成电路的破坏。与无磁膜覆盖样品对比,铁氧体覆盖电感的电感量在0.1～4GHz提升了14～27%。这是实现高性能、全兼容铁氧体集成片上RFIC电感的一种很有前景的途径。

面向RFIC的片上铁氧体磁膜电感

采用集成工艺制作了片上铁氧体磁膜(Ni0.4Zn0.4Cu0.2Fe2O4,Y2.8Bi0.2Fe5O12和Co7ZrO9)射频微电感.铁氧体薄膜采用溶胶凝胶法制作,高频特性较好,适于片上电感的应用.对电感样品进行了测试和等效电路分析,结果表明,与无磁膜结构相对比,铁氧体磁膜电感显著增强了电感性能,是一种实现小尺寸、高性能片上RFIC电感的很有前景的途径.