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Dynamic heating and thermal destruction conditions of quartz particles in polydisperse plasma flow of RF-ICP torch system
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作者 L MIAO Yu M GRISHIN 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期114-126,共13页
Numerical simulation of turbulent mixing process of polydisperse quartz particle(particle size distribution in the range of 0.1-0.4 mm)flow with Ar and Ar-H2 plasma generated by radio frequency inductively coupled pla... Numerical simulation of turbulent mixing process of polydisperse quartz particle(particle size distribution in the range of 0.1-0.4 mm)flow with Ar and Ar-H2 plasma generated by radio frequency inductively coupled plasma(RF-ICP)torch has been made.An approximate two-stage approach has been proposed to calculate the spatial-temporal distributions of temperature and resulting thermal stress in quartz particles during dynamic heating in polydisperse plasma flow.The influence of working gas compositions,particle size distributions,injection angle and flow rate of carrier gas on the thermal destruction conditions of quartz particles has been determined under different particle feed rates.It is found that all the solid quartz particles(0.1-0.4 mm)could be thermal destructed without overheating in RF-ICP torch system,when the hydrogen volume fraction in working gases is more than 1.5%-2%and particle feed rate is in a certain range.The values of the maximum and minimum feed rates have been determined under different hydrogen volume fractions.An optimal particle injection angle and flow rate of carrier gas is found around 50°-60°and 160-220 slpm,under which the value of maximum equivalent thermal stress in quartz particles is highest. 展开更多
关键词 rf-icp torch dynamic heating thermal destruction hydrogen volume fraction optimal injection conditions
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RF-ICP等离子体氮化304不锈钢过程中离子束流密度对氮化层的影响
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作者 李海玲 王庆 《真空》 CAS 2014年第1期44-47,共4页
研究了射频电感耦合等离子体RF-ICP低温氮化304奥氏体不锈钢过程中离子束流的重要作用。带有负偏压的不锈钢样片被插入到射频电感耦合等离子体反应器中。氮离子束流密度和等离子体成分分别用毫安表和一个等离子体光发射谱仪来实时监测。... 研究了射频电感耦合等离子体RF-ICP低温氮化304奥氏体不锈钢过程中离子束流的重要作用。带有负偏压的不锈钢样片被插入到射频电感耦合等离子体反应器中。氮离子束流密度和等离子体成分分别用毫安表和一个等离子体光发射谱仪来实时监测。XRD测试结果发现在不锈钢的表层出现了明显的多组分的氮化物微结构,这说明不锈钢成功地被氮化。系统地研究了离子流密度变化显著的影响不锈钢的氮化效果。随着离子束流密度的增加氮化物成分增加同时γ相奥氏体成分减少。同时也研究了氮离子流密度及等离子体发射谱线强度随操作压力、偏压的演变过程。通过实验数据分析提出了利用射频等离子体氮化304不锈钢的合理的氮化区。 展开更多
关键词 等离子体氮化 微结构 304不锈钢 RF—ICP 离子束流
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基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜
3
作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页
在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多
关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率
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ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究 被引量:3
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作者 张庆钊 谢常青 +3 位作者 刘明 李兵 朱效立 陈宝钦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期980-983,共4页
对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,... 对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生. 展开更多
关键词 等离子体 射频偏压 ICP 干法刻蚀
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ICP源MOSFET射频振荡器 被引量:5
5
作者 刘平 张悦英 王洋 《现代电子技术》 2005年第24期1-2,4,共3页
介绍了ICP(感应耦合等离子体)C类射频振荡器的设计和调试结果。低温等离子体的应用已经非常广泛。以感应耦合方式将射频能量送入中性气体中激发等离子体,已经成为重要的等离子体源类型之一。传统的功率射频发生器大多使用电子管,体积大... 介绍了ICP(感应耦合等离子体)C类射频振荡器的设计和调试结果。低温等离子体的应用已经非常广泛。以感应耦合方式将射频能量送入中性气体中激发等离子体,已经成为重要的等离子体源类型之一。传统的功率射频发生器大多使用电子管,体积大,也比较笨重。在射频发生器和等离子体装置之间需要设置射频传输线和匹配箱。以M O SFET代替传统的电子管作为有源器件组成的振荡器,体积很小,可以与等离子体源直接连接,省去了射频传输线和传输线终端的匹配箱。振荡器的频率为13.56 MH z,输出功率为200 W。试验结果达到了设计要求。 展开更多
关键词 ICP MOSFET 射频振荡器 等离子体
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综合核心处理机的设计与实现 被引量:1
6
作者 段求辉 《电讯技术》 北大核心 2013年第11期1512-1517,共6页
针对机载传感器系统的数字计算应用,分析了综合核心处理机(ICP)的架构特征及其设计时的考量因素,完成了软硬件架构及总线互连设计。在保证ICP硬件通用化、架构开放性及功能可重构的前提下,通过合理地设计模块内部电路、软件层次、网络... 针对机载传感器系统的数字计算应用,分析了综合核心处理机(ICP)的架构特征及其设计时的考量因素,完成了软硬件架构及总线互连设计。在保证ICP硬件通用化、架构开放性及功能可重构的前提下,通过合理地设计模块内部电路、软件层次、网络拓扑及传输机制,有效降低了通信代价,从而提高系统的运算性能。这些方法和技术已被证明是可行的,并在实际的工程中成功应用。 展开更多
关键词 航电系统 机载射频传感器 综合核心处理机 硬件架构 软件架构 光纤通道
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电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射沉积ZrN薄膜的结构和性能研究
7
作者 刘峰 孟月东 +2 位作者 任兆杏 沈克明 舒兴胜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期526-530,共5页
利用电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射技术,在Si(111)片表面制备了ZrN薄膜。研究发现,随着ICP功率的增大,基片的电流密度增大,薄膜的致密度增大,粗糙度降低。XRD结果表明:当ICP功率在0 W^300 W之间,薄膜为单一的ZrN结构,硬度随着... 利用电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射技术,在Si(111)片表面制备了ZrN薄膜。研究发现,随着ICP功率的增大,基片的电流密度增大,薄膜的致密度增大,粗糙度降低。XRD结果表明:当ICP功率在0 W^300 W之间,薄膜为单一的ZrN结构,硬度随着ICP功率的增大而增大,在ICP=300 W时达到最大值32 GPa,应力保持在-8 GPa左右;当ICP功率在400 W^500 W,薄膜为ZrN和ZrNx复合结构。硬度和应力分别降低到20 GPa和-3 GPa。薄膜的这些性能的变化是由于ICP功率变化引起结构变化造成的。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体 磁控溅射 ZRN 微结构 纳米硬度
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电容耦合的抑制对感应耦合放电等离子体的影响
8
作者 辛煜 宁兆元 +1 位作者 狄小莲 虞一青 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期439-443,共5页
感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源。研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非常重要。本文中,在平板型ICP源的感应线圈和介质窗口之间,使用了对称、均匀、呈辐射状的法拉第屏蔽板。... 感应耦合等离子体(ICP)是微电子工业刻蚀高精度沟槽结构的首选高密度等离子体源。研究ICP的电特性与等离子体电学参量的变化显得非常重要。本文中,在平板型ICP源的感应线圈和介质窗口之间,使用了对称、均匀、呈辐射状的法拉第屏蔽板。结果表明,屏蔽板的使用不仅极大地降低了干扰等离子体参量测量的等离子体射频电位,而且也降低了线圈中的放电电流和等离子体中的轴向微分磁场信号强度,但Ar等离子体的发射光谱表明,法拉第屏蔽的采用对等离子体功率吸收的影响不大。对测量信号中出现的高次谐波行为也做了定性的讨论。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 等离子体射频电位 法拉第屏蔽 电容耦合
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ICP仪器中大功率射频固态功率放大板的设计
9
作者 金星 戚鹏程 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期250-255,共6页
本研究提出了一种在电感耦合等离子体(ICP)质谱/光谱仪中,安装在离子源光炬前端,单板最高功率可达2 000W的射频功率放大板的设计制作方法。该放大板采用最新射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)管Freescale MRFE6VP61K25H为末级放大器... 本研究提出了一种在电感耦合等离子体(ICP)质谱/光谱仪中,安装在离子源光炬前端,单板最高功率可达2 000W的射频功率放大板的设计制作方法。该放大板采用最新射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)管Freescale MRFE6VP61K25H为末级放大器。MRFE6VP61K25H单管放大能力可达1 250W,改进后单板通过2个LDMOS管组成推挽并行式的E类放大器,可轻松达到ICP光源要求的1 600W设计功率。该放大器的成品体积为所用装备的25%,制造成本也仅为目前同类产品的50%,达到了体积小、造价低、功率大的设计效果。此设计可为进一步研制便携式ICP质谱/光谱仪等提供良好的硬件基础。 展开更多
关键词 大功率 单板 放大器
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ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制 被引量:4
10
作者 王玮 蔡勇 +2 位作者 张宝顺 黄伟 李海鸥 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期219-224,共6页
深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°~83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为Ga... 深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°~83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体 刻蚀 氮化镓 侧壁倾角 射频功率
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等离子体光谱光源技术的研究进展 被引量:4
11
作者 辛仁轩 《中国无机分析化学》 CAS 2019年第1期17-26,共10页
光谱光源是光谱仪器和光谱技术的核心,等离子体光源是原子发射光谱技术的活跃领域之一,电感耦合等离子体(ICP)已成功地应用于原子发射光谱和无机质谱仪器。由于ICP光源采用氩气作为工作气体,耗量较大,降低氩气用量成为近些年来原子光谱... 光谱光源是光谱仪器和光谱技术的核心,等离子体光源是原子发射光谱技术的活跃领域之一,电感耦合等离子体(ICP)已成功地应用于原子发射光谱和无机质谱仪器。由于ICP光源采用氩气作为工作气体,耗量较大,降低氩气用量成为近些年来原子光谱技术研究和改进的重要目标。为此目的,已研究过各种低耗氩ICP光源,非氩气ICP光源,微波等离子体光源,射频电容耦合等离子体光源等。综述了近年这些等离子体发射光源的结构,分析性能及特点,以及它们所用工作气体情况。并归纳总结出,评价各种等离子体发射光谱光源应包括:等离子体温度(激发温度,气体温度),电子密度,工作气体种类及用量,元素检出限,光源的稳健性及经济方面等。 展开更多
关键词 等离子体光源 ICP-AES 高功率微波等离子体光源(MWP) 射频电容耦合等离子体(rf-CCP)
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10cm×30cm矩形射频离子束源的研制 被引量:3
12
作者 苏志伟 陈庆川 韩大凯 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期734-737,共4页
本文介绍了射频(Radiofrequency,RF)感应耦合等离子体(Inductivecoupleplasma,ICP)离子束源的设计研究。该射频离子束源可工作于Ar,在使用四栅引出系统时,可获得100—1000eV的离子束。当射频功率为900W,在Ar为工作气体时,束流可达到600m... 本文介绍了射频(Radiofrequency,RF)感应耦合等离子体(Inductivecoupleplasma,ICP)离子束源的设计研究。该射频离子束源可工作于Ar,在使用四栅引出系统时,可获得100—1000eV的离子束。当射频功率为900W,在Ar为工作气体时,束流可达到600mA。在束流为120mA时,距源26cm处,在主轴方向27cm的范围内不均匀性小于±6%。该离子束源可作为大面积离子束刻蚀、离子束抛光等的离子束源。 展开更多
关键词 射频离子束源 电感耦合等离子体 离子束刻蚀 离子束抛光
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不同有机溶剂介质对电感耦合等离子体质谱法射频源的匹配特性
13
作者 程君琪 李青 汪正 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1066-1069,共4页
以27.12MHz的自激式全固态射频源为研究对象,选取不同含量的乙醇、二甲苯和煤油为有机介质,用配备该射频源的电感耦合等离子体质谱仪考察有机介质中Al、Ba、Ce、Cu、La、Pb、Tm、Y、Zn等金属元素的信号强度、短期稳定性等参数,研究有机... 以27.12MHz的自激式全固态射频源为研究对象,选取不同含量的乙醇、二甲苯和煤油为有机介质,用配备该射频源的电感耦合等离子体质谱仪考察有机介质中Al、Ba、Ce、Cu、La、Pb、Tm、Y、Zn等金属元素的信号强度、短期稳定性等参数,研究有机介质下射频源的匹配特性。结果表明,方法能够实现乙醇、50%(体积分数)二甲苯溶液和20%(体积分数)煤油溶液作溶剂时的直接进样,表明该射频源在上述有机介质中匹配良好,可使等离子体稳定不淬灭。 展开更多
关键词 有机介质 电感耦合等离子体质谱法 射频源
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高频感应等离子体流动模型与微型电推进器流场特性分析 被引量:1
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作者 李亦非 付宸聪 +2 位作者 刘伟 蔡国飙 王伟宗 《气体物理》 2021年第2期9-18,共10页
微型射频离子推力器具有结构简单、工作寿命长、推力动态范围大、性能调节响应灵敏等特点,是国际微电推进领域的研究热点之一.射频离子推力器电离室内的感性耦合放电等离子体特性和推力器的性能密切相关.为此,文章建立了低气压、小尺寸... 微型射频离子推力器具有结构简单、工作寿命长、推力动态范围大、性能调节响应灵敏等特点,是国际微电推进领域的研究热点之一.射频离子推力器电离室内的感性耦合放电等离子体特性和推力器的性能密切相关.为此,文章建立了低气压、小尺寸微型射频离子推力器电离室内感性耦合等离子体流体模型,开展了电磁场、流场、化学反应浓度场的多物理场耦合仿真分析,并研究了等离子体放电特征参数随推进剂工质气压、放电吸收功率、射频频率以及线圈匝数等因素的变化规律.结果表明,推进剂工质气压、放电吸收功率是调节微型射频离子推力器性能的主要因素,该研究为综合调控微型射频离子推力器的工作性能奠定了良好的基础. 展开更多
关键词 微型射频离子推力器 感性耦合放电 流体模型 多物理场耦合 放电参数
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基于磁控溅射和ICP刻蚀的RB-SiC表面平坦化工艺 被引量:1
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作者 赵杨勇 刘卫国 惠迎雪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期1-7,共7页
采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层,通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌的影响规律,以获取最佳的薄膜沉积参数.射频功率120 W、工作气压1.2Pa和Ar流量40sccm条件下获得了最佳质... 采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层,通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌的影响规律,以获取最佳的薄膜沉积参数.射频功率120 W、工作气压1.2Pa和Ar流量40sccm条件下获得了最佳质量的平坦化样品,利用电感耦合等离子体对平坦化膜层进行刻蚀抛光,通过Lambda950分光光度计测试不同工艺阶段样品表面的反射率.结果表明,相比于未处理的RB-SiC初始样品,经过平坦化和等离子体刻蚀的样品表面粗糙度标准差值由1.819nm减小至0.919nm,样品表面反射率相应地提高了2%.由此说明射频磁控溅射平坦化沉积与电感耦合等离子体刻蚀的组合工艺可实现RB-SiC表面的高质量加工. 展开更多
关键词 光学制造 超光滑表面 射频磁控溅射 RB-SIC Si平坦化层 正交试验 ICP刻蚀 表面粗糙度
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Balmer H_α,H_β and H_γ Spectral Lines Intensities in High-Power RF Hydrogen Plasmas 被引量:1
16
作者 王松柏 雷光玖 +1 位作者 刘东平 杨思泽 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期219-222,共4页
Hα(Balmer-alpha), Hβ (Balmer-beta) and Hγ (Balmer-gamma) spectral line inten- sities in atomic hydrogen plasma are investigated by using a high-power RF source. The intensities of the Hα, Hβ and Hγ spectra... Hα(Balmer-alpha), Hβ (Balmer-beta) and Hγ (Balmer-gamma) spectral line inten- sities in atomic hydrogen plasma are investigated by using a high-power RF source. The intensities of the Hα, Hβ and Hγ spectral lines are detected by increasing the input power (0-6 kW) of ICPs (inductively coupled plasmas). With the increase of net input power, the intensity of Hα im- proves rapidly (0-2 kW), and then reaches its dynamic equilibrium; the intensities of Hβ can be divided into three processes: obvious increase (0-2 kW), rapid increase (2-4 kW), almost constant (4-6 kW); while the intensities of Hγ increase very slowly. The energy levels of the excited hydro- gen atoms and the splitting energy levels produced by an obvious Stark effect play an important role in the results. 展开更多
关键词 Keywords: high-power RF (radio frequency) source ICPs (inductively coupled plasmas) and spectral lines intensity Boltzmann distribution law Stark effect transitionprobability
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Microstructure and Mechanical Properties of CrN Films Deposited by Inductively Coupled Plasma Enhanced Radio Frequency Magnetron Sputtering
17
作者 刘峰 孟月东 +1 位作者 任兆杏 舒兴胜 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第3期340-343,共4页
CrN films have been synthesized on Si(100) wafer by inductively coupled plasma (ICP)-enhanced radio frequency (RF) magnetron sputtering. The effects of ICP power on microstructure, crystal orientation, nanohardn... CrN films have been synthesized on Si(100) wafer by inductively coupled plasma (ICP)-enhanced radio frequency (RF) magnetron sputtering. The effects of ICP power on microstructure, crystal orientation, nanohardness and stress of the CrN films have been investigated. With the increase of ICP power, the current density at substrate increases and the films exhibit denser structure, while the DC self-bias of target and the deposition rate of films decrease. The films change from crystal structure to amorphous structure with the increase of ICP power. The measured nanohardness and the compressive stress of films reach the topmost at ICP power of 150 W and 200 W, respectively. The mechanical properties of films show strong dependence on the crystalline structure and the density influenced by the ICP power. 展开更多
关键词 inductively coupled plasma (ICP) RF magnetron sputtering CRN MICROSTRUCTURE nanohardness STRESS
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Plasma characteristics of direct current enhanced cylindrical inductively coupled plasma source
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作者 Yue HUA Jian SONG +1 位作者 Zeyu HAO Chunsheng REN 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第6期44-51,共8页
Experimental results of a direct current enhanced inductively coupled plasma(DCE-ICP) source which consists of a typical cylindrical ICP source and a plate-to-grid DC electrode are reported.With the use of this new ... Experimental results of a direct current enhanced inductively coupled plasma(DCE-ICP) source which consists of a typical cylindrical ICP source and a plate-to-grid DC electrode are reported.With the use of this new source,the plasma characteristic parameters,namely,electron density,electron temperature and plasma uniformity,are measured by Langmuir floating double probe.It is found that DC discharge enhances the electron density and decreases the electron temperature,dramatically.Moreover,the plasma uniformity is obviously improved with the operation of DC and radio frequency(RF) hybrid discharge.Furthermore,the nonlinear enhancement effect of electron density with DC?+?RF hybrid discharge is confirmed.The presented observation indicates that the DCE-ICP source provides an effective method to obtain high-density uniform plasma,which is desirable for practical industrial applications. 展开更多
关键词 CYLINDRICAL ICP DC+RF hybrid discharge nonlinear enhancement effect
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