基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究

对基于RHBD技术CMOSD锁存器抗辐射加固电路设计技术进行了研究,并对其抗单粒子效应进行了模拟仿真.首先介绍了基于RHBD技术的双互锁存储单元(DICE)技术,然后给出了基于DICE结构的D锁存器的电路设计及其提取版图寄生参数后的功能仿真,并对其抗单粒子效应给出了模拟仿真,得出了此设计下的阈值LET,仿真结果表明:基于DICE结构的D锁存器具有抗单粒子效应的能力.