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反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用
1
作者
余山
章定康
黄敞
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第4期74-78,共5页
本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。
关键词
多晶硅
集成电路
工艺
离子刻蚀
下载PDF
职称材料
HBr反应离子刻蚀微米硅深槽
2
作者
刘家璐
张廷庆
+1 位作者
王清平
叶兴耀
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期76-78,共3页
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以...
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析．
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关键词
反应离子刻蚀
硅深槽
溴化氢
集成电路工艺
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职称材料
题名
反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用
1
作者
余山
章定康
黄敞
机构
陕西微电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第4期74-78,共5页
文摘
本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。
关键词
多晶硅
集成电路
工艺
离子刻蚀
Keywords
rie
,
folysilicon
,
ic process
分类号
TN430.598 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
HBr反应离子刻蚀微米硅深槽
2
作者
刘家璐
张廷庆
王清平
叶兴耀
机构
西安电子科技大学微电子所
电子工业部第
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期76-78,共3页
文摘
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析．
关键词
反应离子刻蚀
硅深槽
溴化氢
集成电路工艺
Keywords
reactive ion etching (
rie
) sil
ic
on trench HBr
ic process
分类号
TN405.983 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用
余山
章定康
黄敞
《微电子学》
CAS
CSCD
1992
0
下载PDF
职称材料
2
HBr反应离子刻蚀微米硅深槽
刘家璐
张廷庆
王清平
叶兴耀
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
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职称材料
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