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氮肥对沈农265生长的影响 被引量:1
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作者 宋桂云 徐正进 +3 位作者 陈温福 贺梅 张喜娟 张文忠 《安徽农业科学》 CAS 北大核心 2006年第15期3750-3753,共4页
以超级稻品种沈农265和主栽品种辽粳294为试材,比较氮肥对2品种分蘖、株高、物质生产与分配的影响。结果表明:不同肥力下,2品种均在6月27日达到分蘖高峰,与辽粳294相比,沈农265达分蘖高峰时分蘖数少;株高受氮肥的影响较大,沈农265的穗... 以超级稻品种沈农265和主栽品种辽粳294为试材,比较氮肥对2品种分蘖、株高、物质生产与分配的影响。结果表明:不同肥力下,2品种均在6月27日达到分蘖高峰,与辽粳294相比,沈农265达分蘖高峰时分蘖数少;株高受氮肥的影响较大,沈农265的穗颈节间明显长于辽粳294,茎秆基部前者短于后者;叶鞘的物质输出率高于叶片,茎秆的物质输出率为负值。 展开更多
关键词 水稻 氮肥 分蘖 株高 物质输出 物质转移率
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Android RIL深入解析
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作者 高蕾 《通讯世界》 2017年第15期289-290,共2页
手机软件开发技术历经Symbian、WinCE、BREW、MTK、IOS、Android等平台,发展和进步可谓日新月异,Android经受住了市场考验,成为主流手机操作系统平台。市场对Android手机的需求量非常大,由于Android平台代码的开源,各大手机厂商纷纷加... 手机软件开发技术历经Symbian、WinCE、BREW、MTK、IOS、Android等平台,发展和进步可谓日新月异,Android经受住了市场考验,成为主流手机操作系统平台。市场对Android手机的需求量非常大,由于Android平台代码的开源,各大手机厂商纷纷加入了深度定制Android系统平台的队伍,通话是手机的必备功能,Android RIL作为通话功能的核心模块,其涉及的内容和范围顺理成章的成为定制过程中的重点和难点,本文将从RIL构架结构,RILJ和RILC三个方面对Android RIL进行深入解析。 展开更多
关键词 AndroidRIL RILJ rilc
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质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
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作者 马腾 崔江维 +5 位作者 郑齐文 魏莹 赵京昊 梁晓雯 余学峰 郭旗 《现代应用物理》 2017年第4期48-51,共4页
利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO_2界面产生的界面陷阱电荷... 利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO_2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命。 展开更多
关键词 辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽SOI
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