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高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器
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作者 郑鹏 王任凡 +2 位作者 岳爱文 李林 沈坤 《光通信研究》 北大核心 2001年第4期48-51,共4页
讨论了影响激光器高温特性的主要因素 ,提出了在 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器中采用倒台脊波导 ( RM- RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性 ,研制出了 RM- RWG结构的 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量... 讨论了影响激光器高温特性的主要因素 ,提出了在 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器中采用倒台脊波导 ( RM- RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性 ,研制出了 RM- RWG结构的 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器 ,其阈值电流为 6m A,特征温度达到 95 K( 2 5℃~ 85℃ ) 。 展开更多
关键词 半导体激光器 ALGAINAS 量子阱激光器 高温无致冷
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