多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取

多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器中的应用充分显示了它的性能优点。对多晶硅TFT进行模型分析和参数提取是理解多晶硅TFT工作原理和指导制备的有效途径。归纳并讨论了多晶硅薄膜晶体管RPI模型直流参数的提取策略。此参数提取步骤简单,并能准确地提取所有工作区的基本直流参数,如阈值电压、漏源区串联寄生电阻、有效沟道长度、迁移率等。参数提取的方法将为RPI模型的电路仿真提供有益的参考。最后,提出了改进RPI模型参数提取策略的方向,包括提高泄漏电流参数、迁移率参数的准确度等。

基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取

非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level=61 RPI模型,分离参数后线性提取了如阈值电压、场效应迁移特征电压、迁移率幂律参数、源漏电阻及饱和电压调制等特征参数。利用溶胶凝胶法制备了氢化铟锌氧化物(HIZO)作为有源层的薄膜晶体管,将实际测量曲线与仿真曲线进行研究比较,误差分析表明该方法能很好地拟合薄膜晶体管电学性能。

蒸汽发生器传热管一、二次侧耦合换热及管外过冷沸腾数值研究

采用两流体欧拉数学模型,结合气相和液相之间的界面传热、传质和动量交换封闭模型以及RPI壁面沸腾模型,利用ANSYS CFX 12.0对蒸汽发生器局部传热管束二次侧的过冷沸腾进行数值研究。数值研究结果与单管内过冷沸腾实验数据对比验证符合良好。结果表明,采用壁面沸腾模型能准确预测沸腾起始点的位置,同时梅花孔板的存在对二次侧流动换热特性影响显著。

花瓣形燃料元件棒束通道内过冷流动沸腾特性数值研究

花瓣形燃料元件具有换热性能强和无需定位格架等优点,能进一步提高反应堆的功率密度和经济性。为此,本文利用欧拉两流体模型,同时结合RPI壁面沸腾模型,对2×2花瓣形燃料元件棒束通道内过冷流动沸腾特性开展数值研究。通过圆管过冷沸腾实验数据验证了模型的准确性。开展了流速和热流密度参数对花瓣形燃料元件棒束通道内流动、换热及空泡份额分布影响的数值研究。结果表明,通道内冷却剂的流动速度分布不均匀;横向流动沿主流方向存在波动;空泡份额在燃料元件的内凹弧与外凸弧处表现出较大差异;同时,由于流场和换热形式的不同,导致燃料元件的周向壁面温度呈现不均匀分布,横向流动的存在影响着壁面热流分配情况。

内置涡流发生器的管内过冷沸腾与强化换热的模拟

采用欧拉双流体模型结合RPI沸腾模型对高压管内过冷沸腾进行三维非稳态模拟,考察了涡流发生器对管内过冷沸腾的影响,模拟了高压下光管内的过冷沸腾、层流下内置涡流发生器的换热管内的流动和湍流下内置涡流发生器的换热管内的过冷沸腾。结果表明,内置涡流发生器的换热管在层流状态下换热能力明显提升,过冷沸腾时管内换热能力有一定提升,且壁面附近的气泡由于扰流作用被大量卷入锥形片内,降低了壁面附近产生气膜的可能性,延迟了过冷沸腾起始点的位置。