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基于ATE与结构分析的RRAM芯片测试技术研究
1
作者
奚留华
徐昊
+2 位作者
张凯虹
武乾文
王一伟
《电子与封装》
2024年第7期36-42,共7页
为了测试阻变存储器(RRAM)芯片,基于RRAM芯片的基本结构、接口定义、功能,分析并总结了其性能、工作模式和芯片时序。通过公式计算与实测技术相结合的方法,测定了RRAM芯片的容量。结果表明,基于结构分析的公式计算可依据RRAM存储单元的...
为了测试阻变存储器(RRAM)芯片,基于RRAM芯片的基本结构、接口定义、功能,分析并总结了其性能、工作模式和芯片时序。通过公式计算与实测技术相结合的方法,测定了RRAM芯片的容量。结果表明,基于结构分析的公式计算可依据RRAM存储单元的间距推导出RRAM芯片的容量。利用自动测试系统对RRAM芯片进行功能验证。同时,设计了1款RRAM芯片耐久性测试装置,全面评估了RRAM芯片的擦写性能。
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关键词
rram芯片
ATE
测试算法
结构分析
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职称材料
题名
基于ATE与结构分析的RRAM芯片测试技术研究
1
作者
奚留华
徐昊
张凯虹
武乾文
王一伟
机构
无锡中微腾芯电子有限公司
出处
《电子与封装》
2024年第7期36-42,共7页
文摘
为了测试阻变存储器(RRAM)芯片,基于RRAM芯片的基本结构、接口定义、功能,分析并总结了其性能、工作模式和芯片时序。通过公式计算与实测技术相结合的方法,测定了RRAM芯片的容量。结果表明,基于结构分析的公式计算可依据RRAM存储单元的间距推导出RRAM芯片的容量。利用自动测试系统对RRAM芯片进行功能验证。同时,设计了1款RRAM芯片耐久性测试装置,全面评估了RRAM芯片的擦写性能。
关键词
rram芯片
ATE
测试算法
结构分析
Keywords
rram
chip
ATE
testing algorithm
structural analysis
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于ATE与结构分析的RRAM芯片测试技术研究
奚留华
徐昊
张凯虹
武乾文
王一伟
《电子与封装》
2024
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