RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制

对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.

共振隧穿三极管(RTT)———共振隧穿器件讲座(10)

在简述共振隧穿三极管(RTT)的特点、定义、分类的基础上,全面、系统地介绍了各种结构RTT的材料结构、器件结构、工作原理、制造工艺及器件性能参数等,对某些RTT还给出了其应用前景。由于RTT的器件结构种类繁多,其工作原理也存在差异。为了便于介绍,在栅型RTT中以Schottky栅RTT为重点,在复合型RTT中以发射极中含DBS的RTBT和RTD/HEMT型RTT为重点进行了较为详细的阐述。总之,栅型RTT结构比较简单,但增益和驱动能力较小;复合型RTT结构较复杂,但增益和驱动能力较大,而且易于和HBT或HEMT电路兼容。