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由RTD/MOSFET构成的压控振荡器的设计与实现 被引量:3
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作者 牛萍娟 王伟 +4 位作者 郭维廉 刘宏伟 杨广华 于欣 代晓光 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期487-492,共6页
提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管(RTD)与MOSFET结合的新型压控振荡器(VCO),并利用了高级设计系统(ADS)软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真,利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO,实际调频范围在20~26 MHz之间。RTD与三端器... 提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管(RTD)与MOSFET结合的新型压控振荡器(VCO),并利用了高级设计系统(ADS)软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真,利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO,实际调频范围在20~26 MHz之间。RTD与三端器件的连接方式不同可呈现不同的调制I-V特性,这种调制特性对基于RTD的振荡电路的频率也会产生影响。通过深入研究这种调制对振荡电路频率产生的影响,得到多种不同于常规方法的电压控制频率方式,其中一些具有很好的线性度。因此该电路的研究对于RTD在高频、高速振荡电路中的进一步应用具有重要意义。 展开更多
关键词 压控振荡器 共振隧穿二极管 rtd/mosfet单元 高级设计系统
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由RTD/MOSFET构成的新型振荡电路 被引量:1
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作者 王伟 牛萍娟 +2 位作者 郭维廉 于欣 张世林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期289-293,共5页
基于一种新型的振荡机制,利用共振隧穿二极管(RTD)固有的负阻和双稳特性,与MOSFET器件相结合,首次实现了工作频率约为25MHz的RTD/MOSFET高频振荡电路.文章首先从理论上深入分析了该电路的振荡机理,然后通过高级设计系统(ADS)软件仿真和... 基于一种新型的振荡机制,利用共振隧穿二极管(RTD)固有的负阻和双稳特性,与MOSFET器件相结合,首次实现了工作频率约为25MHz的RTD/MOSFET高频振荡电路.文章首先从理论上深入分析了该电路的振荡机理,然后通过高级设计系统(ADS)软件仿真和实验验证了此振荡电路的正确性.该电路的实现有望解决传统的基于RTD的振荡电路的功率限制问题,如果进一步用高电子迁移率晶体管(HEMT)等高频、高速器件取代MOS-FET,可以在很大程度上提高这一电路的工作频率,并可实现RTD/HEMT的单片集成.因此该振荡电路在微波和射频领域具有广阔的应用前景. 展开更多
关键词 rtd/mosfet串联单元 振荡器 ADS电路仿真
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基于电-热-结构耦合分析的SiC MOSFET可靠性研究
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作者 黄天琪 刘永前 《电气技术》 2024年第8期27-34,共8页
作为应用前景广阔的功率器件,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的可靠性分析至关重要。基于结构几何、材料特性和边界条件的建模方法可以显著缩短失效分析周期。考虑器件电阻随温度变化的特性,构建电-热-结构耦合的有限元模型,... 作为应用前景广阔的功率器件,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的可靠性分析至关重要。基于结构几何、材料特性和边界条件的建模方法可以显著缩短失效分析周期。考虑器件电阻随温度变化的特性,构建电-热-结构耦合的有限元模型,针对健康状态及不同失效模式进行温度和应力研究。结果表明,功率循环过程中键合线与芯片连接处受到的热应力最大,焊料层与芯片接触面的边缘位置次之;键合线失效对器件寿命影响最大,且焊料层中心空洞产生的应力大于边缘空洞产生的应力。仿真结果可为提升器件可靠性提供重要参考。 展开更多
关键词 SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet) 有限元模型 电-热-结构耦合 键合线失效 焊料层失效
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用于精确预测SiC MOSFET开关特性的分析模型 被引量:26
4
作者 梁美 郑琼林 +1 位作者 李艳 巴腾飞 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期148-158,共11页
为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响,提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型。该模型考虑了寄生电感、SiC MOSFET非线性结电容及非线性跨导系数等参数。详细介绍了建立分析模型的原理,并... 为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响,提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型。该模型考虑了寄生电感、SiC MOSFET非线性结电容及非线性跨导系数等参数。详细介绍了建立分析模型的原理,并给出了分析模型中各关键参数的提取方法。对比了基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果,对比电压电流波形匹配度较高,证明了此分析模型的正确性。对比了分析模型的开关损耗与基于实验计算的开关损耗,对比结果显示两者存在偏差,而分析表明基于实验计算开关损耗的方法为不准确方法。最后基于所提出的分析模型分析了不同寄生参数对开关特性的影响,并为优化高频电路设计提出了建议。 展开更多
关键词 分析模型 碳化硅mosfet 寄生参数 开关特性 开关损耗
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基于RTDS的电弧接地故障自定义建模及仿真分析 被引量:12
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作者 杨柳林 李德奎 +1 位作者 陈延明 阳育德 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2016年第16期137-142,共6页
电弧接地故障建模仿真对于电气设备的研制和电力系统安全运行的分析具有重要意义。基于实时数字仿真仪(RTDS)平台对电弧接地故障进行建模仿真。对Cassie电弧的连续系统数学模型进行数值逼近,将其转换成离散系统数值递推模型;在RTDS的CBu... 电弧接地故障建模仿真对于电气设备的研制和电力系统安全运行的分析具有重要意义。基于实时数字仿真仪(RTDS)平台对电弧接地故障进行建模仿真。对Cassie电弧的连续系统数学模型进行数值逼近,将其转换成离散系统数值递推模型;在RTDS的CBuilder开发环境中创建了可控的Cassie电弧元件模型。通过与Matlab标准模型的测试对比实验,以及电力系统的中性点不接地系统的单相电弧接地故障应用实验,验证了自建元件模型的正确性和有效性。所建电弧模型填补了RTDS仿真模型的空白,采用的建模方法具有普适性,为类似的研究提供参考借鉴。研究成果可以应用于电力系统实时电弧故障仿真以及继电保护设备的实时闭环混合仿真检测。 展开更多
关键词 rtdS CBuilder 电力系统 电弧接地故障 Cassie电弧 仿真 用户自定义元件模型
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IRF4115S型MOSFET电路板有限元热分析 被引量:3
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作者 柴树峰 张学玲 +1 位作者 李春卉 任保全 《军事交通学院学报》 2015年第7期91-95,共5页
在MOS管的并联电路板中,散热问题突出。将排列均匀的MOS管焊在铝基板上,解决MOS管的局部高温引起的热可靠性问题。利用ANSYS软件对焊有MOS管的铝基板进行有限元仿真热分析,得到整个铝基板的温度场分布、热应力和热变形情况,经验证该功... 在MOS管的并联电路板中,散热问题突出。将排列均匀的MOS管焊在铝基板上,解决MOS管的局部高温引起的热可靠性问题。利用ANSYS软件对焊有MOS管的铝基板进行有限元仿真热分析,得到整个铝基板的温度场分布、热应力和热变形情况,经验证该功率板的散热性能在允许范围内,电路板的设计合理可行。 展开更多
关键词 mosfet电路板 热变形分析 有限元法
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平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析
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作者 王伟 牛萍娟 +2 位作者 郭维廉 于欣 胡留长 《微纳电子技术》 CAS 2007年第1期6-10,共5页
采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电... 采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。 展开更多
关键词 平面型共振隧穿二极管 离子注入 rtd/BJT串联单元 高级设计系统
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应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究
8
作者 刘海华 段晓峰 徐秋霞 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第5期364-369,共6页
本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量... 本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量在沟道区的顶层造成了很大的压应变,而且在沟道和硅衬底中间形成一个应变过渡层。大角度会聚束电子衍射的动力学模拟结果与有限元计算结果符合很好。 展开更多
关键词 应变硅 场效应晶体管 有限元方法 大角度会聚束电子衍射
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RTD/HPT光控单-双稳转换逻辑单元 被引量:1
9
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期141-147,共7页
以光接收器件代替RTD MOBILE(RTD单-双稳转换逻辑单元)电路中的HEMT或HBT,可构成光控MOBILE电路。在比较了四种光控MOBILE结构的基础上,选择RTD/HPT光控结构,重点分析讨论了RTD/HPT光控MOBILE的工作原理,当光控MOBILE的输入光功率超过... 以光接收器件代替RTD MOBILE(RTD单-双稳转换逻辑单元)电路中的HEMT或HBT,可构成光控MOBILE电路。在比较了四种光控MOBILE结构的基础上,选择RTD/HPT光控结构,重点分析讨论了RTD/HPT光控MOBILE的工作原理,当光控MOBILE的输入光功率超过一个临界值时,MOBILE的输出电压便会从高电平跳变到低电平;由HPT光增益理论分析了提高HPT性能的措施以及HPT设计中应该注意的问题;介绍了以Si光三极管代替HPT,通过模拟实验,验证了RTD/HPT光控MOBILE的逻辑功能。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 异质结光晶体管 光控单-双稳转换逻辑单元 逻辑功能验证
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基于裸片封装的SiC MOSFET功率模块热分析 被引量:4
10
作者 王浩南 曹玉峰 +4 位作者 赖耀康 胡彩霞 张宏宇 王梓丞 翟国富 《电器与能效管理技术》 2022年第8期39-43,共5页
SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点,被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中。针对固态功率控制器工况,选用裸片封装的SiC MOSFET,对功率模块的堆叠结构进行设计及热阻分析;对键合结构的选型与布局进行设计;对封装连接铜线、铜带的... SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点,被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中。针对固态功率控制器工况,选用裸片封装的SiC MOSFET,对功率模块的堆叠结构进行设计及热阻分析;对键合结构的选型与布局进行设计;对封装连接铜线、铜带的热影响进行分析。在封装设计基础上,通过有限元仿真对功率模块热性能进行评估。最后,搭建平台进行单路热测试。结果验证了仿真的准确性,以及封装设计的合理性。 展开更多
关键词 SiC mosfet 裸片封装 热路理论 固态功率控制器 有限元热仿真
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纳米级应变硅MOSFET的有限元与TCAD模拟研究
11
作者 张庆东 周东 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期40-43,共4页
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的... 基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最小误差仅为1.02×10-4。对新型的SiC源/漏结构的纳米NMOSFET的类似研究表明,栅长越短,应变对沟道的影响越显著。另一方面,采用TCAD工具Sentaurus通过工艺级仿真生成了栅长为50 nm的SiGe源/漏结构的PMOSFET模型,计算所得饱和驱动电流与实际制作的器件相差仅约20μA/μm。研究表明有限元法与TCAD两种模拟技术可有效地用于纳米级应变硅器件的设计与优化。 展开更多
关键词 应变硅 金属氧化物半导体场效应管 有限元分析 工艺与器件的计算机辅助设计
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基于RTD的新型全加器设计
12
作者 冯杰 姚茂群 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2018年第4期748-752,共5页
单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)是基于共振隧穿二极管(RTD)电路的一个重要逻辑单元,非常适合阈值逻辑电路设计。由MOBILE可以构成阈值逻辑门(TG)和广义阈值逻辑门(GTG)等阈值逻辑电路。本文通过将三变量异或函数转化为较简单、理想的GTG... 单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)是基于共振隧穿二极管(RTD)电路的一个重要逻辑单元,非常适合阈值逻辑电路设计。由MOBILE可以构成阈值逻辑门(TG)和广义阈值逻辑门(GTG)等阈值逻辑电路。本文通过将三变量异或函数转化为较简单、理想的GTG输入输出函数形式,设计了由GTG构成的新型三变量异或门,并利用该三变量异或门设计了新型的全加器。通过HSPICE仿真和性能比较,该全加器不仅器件数量少,输出延时短,而且能达到较高的工作频率、更小的电路功耗与功耗-延迟积。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管(rtd) 单双稳态转换逻辑单元(MOBILE) 阈值逻辑电路 三变量异或门 全加器
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Simulating Experiment and Circuit Simulation of RTD/HPT Photo-Controlled MOBILE
13
作者 齐海涛 张之圣 +3 位作者 郭维廉 钟明 梁惠来 张世林 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2004年第3期217-220,共4页
The MOBILE is a logic element realizing the monostable-bistable transition of a circuit that consists of two resonant tunneling transistors—the resonant tunneling diodes (RTDs) connected in series. It has several adv... The MOBILE is a logic element realizing the monostable-bistable transition of a circuit that consists of two resonant tunneling transistors—the resonant tunneling diodes (RTDs) connected in series. It has several advantages including multiple inputs and multiple functions. In this paper, by connecting a heterojunction phototransistor (HPT) with the MOBILE, a novel optoelectronic functional device can be got, which presents the function of both photocurrent switching and photocurrent latching. These behaviors have been demonstrated for the first time by simulating experiments and circuit simulations, with RTDs firstly manufactured in China. Research indicates that the novel photo-controlled MOBILE has the same logic functions as conventional electrical MOBILE except for with light as an input signal. 展开更多
关键词 photo-controlled MOBILE negative resistance device high-speed optoelectronic logic element rtd/HPT optoelectronic integration
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一种双面散热SiC MOSFET功率模块的设计与测试
14
作者 谭羽辰 任宇 +1 位作者 田世鹏 田明玉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第9期725-731,共7页
现有的SiC模块大多沿用传统的基于硅基模块的封装,难以支持SiC芯片在高温、高频下的应用。为了进一步发挥SiC芯片的性能,设计了一款双面散热半桥模块。模块内部由SiC MOSFET芯片与金属垫片构成,在实现双面散热的同时完全消除了键合线,... 现有的SiC模块大多沿用传统的基于硅基模块的封装,难以支持SiC芯片在高温、高频下的应用。为了进一步发挥SiC芯片的性能,设计了一款双面散热半桥模块。模块内部由SiC MOSFET芯片与金属垫片构成,在实现双面散热的同时完全消除了键合线,提高了可靠性,降低了寄生参数。首先,通过ANSYS Q3D EXTRACTOR软件提取模块的寄生参数,结果表明模块功率回路的寄生电感为5.45 nH。利用多物理场仿真软件COMSOL证实该双面散热结构相比传统的单面散热结构能够减少30%的芯片结温。随后展示了模块的制备工艺流程。最后,动、静态实验测试结果表明该模块具有良好的动态与静态特性。 展开更多
关键词 SiC mosfet 功率模块 双面散热结构 寄生电感 有限元仿真
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由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元
15
作者 陈乃金 郭维廉 +3 位作者 陈燕 王伟 张世林 毛陆虹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期158-161,198,共5页
使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省... 使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省大量器件。 展开更多
关键词 负阻单元 互补型金属氧化物半导体 逻辑电路 双极晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管
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水轮发电机测温元件应用研究 被引量:2
16
作者 温兴利 《东方电气评论》 2018年第4期41-43,60,共4页
本文简要介绍了铂热电阻测温基本原理,分析了水轮发电机测温元件工作工况的特殊性和常用铂热电阻结构特点及失效机理,提出了提高可靠性的定制对策。
关键词 水轮发电机 热电阻 测温元件 原理 应用
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测量器件特性偏差的完全分离型DMA_TEG的设计实现
17
作者 张宁 叶立 《中国集成电路》 2016年第1期76-79,共4页
在工艺研发的过程,常常需要分析工艺参数对于器件参数的影响,在器件模型提取的过程中也需要对器件参数做大量测量。这就需要精确、高效地测量器件参数。为此,本文设计了测量器件特性偏差用的DMA_TEG(Device Matrix Array Test Element G... 在工艺研发的过程,常常需要分析工艺参数对于器件参数的影响,在器件模型提取的过程中也需要对器件参数做大量测量。这就需要精确、高效地测量器件参数。为此,本文设计了测量器件特性偏差用的DMA_TEG(Device Matrix Array Test Element Group)结构,目标是提高测量的效率。所使用的结构已在HLMC 40LP工艺上实现。本文主要介绍DMA_TEG的设计思路,以及如何利用DMA_TEG系统研究影响器件特性的因素。 展开更多
关键词 DMA_TEG(Device MATRIX Array Test element Group) 器件测量 阈值电压分布 mosfet
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基于Simulink与COMSOL联合仿真的MOS场效晶体管瞬态特性分析
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作者 高兵 王帅 +3 位作者 钟永恒 孙雅森 张尚琛 周婕 《湖南电力》 2022年第5期1-7,共7页
功率器件是电力电子系统中的薄弱环节之一,其失效具有明显的多尺度特征,构建能够考虑功率器件多尺度特征的瞬态模型对器件状态监测与老化评估具有重要意义。以MOS场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET... 功率器件是电力电子系统中的薄弱环节之一,其失效具有明显的多尺度特征,构建能够考虑功率器件多尺度特征的瞬态模型对器件状态监测与老化评估具有重要意义。以MOS场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)为研究对象,构建了功率器件Simulink与COMSOL场路联合仿真模型,选取以导通电流和导通压降为模型交互信息,实现器件开关信息和宏观物理信息交互作用的器件瞬态特性分析。在此基础上,分析功率器件芯片处均温(壳温)、芯片上表面均温(结温)、导通压降、芯片电阻、焊料层最大位移。结果表明,所构建模型能够有效反映器件开关特性和宏观场间的交互,为器件数字孪生模型奠定基础。 展开更多
关键词 mosfet 开关电路 有限元模型 联合仿真 瞬态分析
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