由RTD/MOSFET构成的压控振荡器的设计与实现

提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管(RTD)与MOSFET结合的新型压控振荡器(VCO),并利用了高级设计系统(ADS)软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真,利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO,实际调频范围在20～26 MHz之间。RTD与三端器件的连接方式不同可呈现不同的调制I-V特性,这种调制特性对基于RTD的振荡电路的频率也会产生影响。通过深入研究这种调制对振荡电路频率产生的影响,得到多种不同于常规方法的电压控制频率方式,其中一些具有很好的线性度。因此该电路的研究对于RTD在高频、高速振荡电路中的进一步应用具有重要意义。

基于RTDS的合并单元性能测试研究

随着智能电网建设的不断推进,电子式互感器等基于IEC 61850标准的数字化变电站设备开始广泛应用,作为电子式互感器重要部件的合并单元的性能需要试验验证。笔者介绍了基于IEC 61850标准的RTDS测试系统,模拟了几种典型故障工况及数据接收处理网络,对合并单元进行了一致性测试及模拟量采集精度测试,是对合并单元进行性能测试的一种新颖的测试方法。

由RTD/MOSFET构成的新型振荡电路

基于一种新型的振荡机制,利用共振隧穿二极管(RTD)固有的负阻和双稳特性,与MOSFET器件相结合,首次实现了工作频率约为25MHz的RTD/MOSFET高频振荡电路.文章首先从理论上深入分析了该电路的振荡机理,然后通过高级设计系统(ADS)软件仿真和实验验证了此振荡电路的正确性.该电路的实现有望解决传统的基于RTD的振荡电路的功率限制问题,如果进一步用高电子迁移率晶体管(HEMT)等高频、高速器件取代MOS-FET,可以在很大程度上提高这一电路的工作频率,并可实现RTD/HEMT的单片集成.因此该振荡电路在微波和射频领域具有广阔的应用前景.

电机伺服单元中功率MOSFET的驱动电路设计

本文分析了栅驱动电路对功率MOSFET开关性能的影响,并结合一电机伺服单元驱动电路的设计实例,说明了如何根据栅电荷曲线及抑制二极管反向恢复电流的要求选择合适的栅驱动电路阻抗的方法,也提出了一些设计中应注意的问题.

基于物理α指数MOSFET模型的SRAM存储体单元优化

存储体单元是静态随机存储器(SRAM)最基本、最重要的组成部分,它在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本与功耗等方面都起到了积极的作用。该文采用物理α指数MOSFET模型建立了与SRAM存储体单元相关的功耗,延迟的性能模型,并结合存储体单元面积模型以及可靠性分析,提出了一种存储体单元结构优化方法。实验结果表明采用此优化方法得出的存储体单元结构降低了功耗,访问时间以及面积,与仿真结果相比误差小于10%,实验仿真结果证明了性能模型和优化方法的有效性和正确性。

平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析

采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。

提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET

本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度、屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电荷。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%。上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的同步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。

双单元柔性直流背靠背输电系统自动角差控制方法

基于双单元柔性直流背靠背输电系统(back-to-back flexible DC transmission system,DC-BTB)两侧为同步交流电网的应用场景,提出一种根据DC-BTB两侧交流电网电压幅值和相角的变化自动调整DC-BTB有功功率的自动角差控制方法。针对双单元DC-BTB结构,提出单元间有功功率分配方法,研究自动角差控制下单元闭锁和交流故障的暂态特性。在实时数字仿真(real time digital simulation,RTDS)系统中搭建双单元DC-BTB模型进行仿真分析,结果表明自动角差控制稳态下功能投退冲击小,单元闭锁或交流故障穿越后能维持系统稳定运行。仿真结果验证了所提控制方法的有效性。

某型柴油机燃油喷射控制单元故障分析与改进设计

某型单缸柴油机在试验过程中,喷油器控制单元发生故障。采用理论分析和试验验证相结合的方法,对故障原因进行分析。结果表明:驱动电路的瞬态参数设计与MOSFET的工作要求不匹配是导致故障的根本原因。据此提出了改进设计方案并验证了其有效性。

基于RTD的新型全加器设计

单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)是基于共振隧穿二极管(RTD)电路的一个重要逻辑单元,非常适合阈值逻辑电路设计。由MOBILE可以构成阈值逻辑门(TG)和广义阈值逻辑门(GTG)等阈值逻辑电路。本文通过将三变量异或函数转化为较简单、理想的GTG输入输出函数形式,设计了由GTG构成的新型三变量异或门,并利用该三变量异或门设计了新型的全加器。通过HSPICE仿真和性能比较,该全加器不仅器件数量少,输出延时短,而且能达到较高的工作频率、更小的电路功耗与功耗-延迟积。

NEC电子推出8款汽车用功率MOSFET产品

NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通阻抗降到极低的产品：另外4款产品与现有的60V耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。

用于高效DC／DC变换器的沟槽MOSFET

面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDs(on)功率MOSFET能有新的进展.虽然近年来沟槽栅极结构和超高单元密度(ultra-high-cell-density)器件已经在性能方面取得了长足进步,但当前的器件技术仍然限制了功率MOSFET在高频工作时(如应用于同步DC-DC变换器时)的动态性能.

瑞萨电子推出七款采用8-Pin HSON封装之功率MOSFET产品

瑞萨电子公司宣布推出七款采用HSON封装之功率MOSFET,适用于汽车电子控制单元,例如引擎管理及电子帮浦马达控制等应用。

π-MOS VII MOSFET

Toshiba America Electronic Components推出新系列高电压π-MOSVII MOSFET。π—MOS VII MOSFET结合了先进的工艺技术与平面处理工艺，对电压和RDS（ON），额定功率的选择范围更宽。Toshiba公司开发的新产品阵容明确了市场对AC／DC和镇流器应用的需求，通过使用该公司第七代π—MOS工艺技术，实现高度的单元集成和优化的单元设计。π—MOSVII系列产品先推出的13个器件中包含7个500V MOSFET和6个600V MOSFET，目标应用为开关电源，如笔记本电脑和台式电脑、平板显示器的AC适配器以及用于照明的镇流器。

基于ATE的传输延迟测试方法优化

目前利用数模混合集成电路自动测试机(ATE)测试系统测试纳秒级传输延迟时,由于信号发生单元驱动能力限制,多采用程控外接仪器进行测试,大批量测试时无法满足生产需求。文中介绍数模混合集成ATE测试系统的工作架构和传输延迟时间的测试原理,分析了基于数模混合ATE测试系统的时间测量单元(TMU)的工作原理和采用程控外接仪器的时间测试方法,通过对两种测试方法的对比,总结了优化TMU测试方法取代程控外接仪器的必要性。以MOSFET为研究对象,研究导致传输延迟测量误差的原因,通过增强ATE的信号驱动能力优化了TMU测试方法。试验结果表明,优化后传输延迟测试方法与MOSFET器件规范中的典型值基本一致,并且提高了测试效率,满足了大批量测试的需求。

共振隧穿器件应用电路概述——共振隧穿器件讲座(2)

在“共振隧穿器件概述”的基础上,对共振隧穿器件应用电路作了全面概括的介绍。首先对共振隧穿器件应用电路的特点、分类和发展趋势作了简述;进一步对由RTDH/EMT构成的单-双稳转换逻辑单元(MOBILE)和以它为基础构成的RTD应用电路,包括柔性逻辑、静态随机存储(SRAM)、神经元、静态分频器等电路的结构、工作原理和逻辑功能等进行了介绍。关于RTD/HEMT构成的更为复杂的电路,如多值逻辑、AD转换器以及RTD光电集成电路等将在本讲座最后部分进行讲解。

新型静电泄放保护电路设计方法

提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,缩短了设计周期.利用该方法完成了一套基于0.5μmCMOS工艺、带ESD保护电路的输入输出单元库设计,该单元库通过了5kV的人体模型ESD测试.

英飞凌推出适用于LED和普通灯泡的车灯开关产品家族

英飞凌科技股份公司（Infineon）日前宣布推出新的五通道高侧智能功率开关产品家族，用于控制汽车内部和外部照明系统的标准灯泡和LED灯，从而为制造商提供灵活的解决方案，以跟上将普通灯泡替换为LED灯的趋势。BTS55XX SPOC（SPI功率控制器）系列将N通道MOSFET和具有控制逻辑和电路保护特性的电荷泵单元集成在单片系统级封装（SiP）设计中，这不仅改善了故障诊断能力，同时减少了器件数量，降低了照明系统电子控制单元（ECU）的设计成本和尺寸。

新单相位同步降压控制器

Intersil公司推出一款单位相位PWM同步降压控制器——ISL6269，该器件适用于移动图像处理单元（CPU），ISL6269集成了板载MOSFET驱动器，内部5V LDO，集成引导二极管和PWM音频频率滤波器，