期刊文献+
共找到27篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
RAMTRON推出微控制器VRS51L3174
1
《电子世界》 2007年第8期2-2,共1页
Ramtron公司近日推出微控制器VRS51L3174,它带有8KB非易失性FRAM内存,可以简便的实现器件升级。
关键词 微控制器 ramtron公司 FRAM 非易失性 内存
下载PDF
Ramtron推出2Mb串口非易失性F—RAM存储器
2
《单片机与嵌入式系统应用》 2012年第3期87-87,共1页
Ramtron International Corporation(简称Ramtron)推出2Mb高性能串VIF—RAM器件FM25V20。该器件是Ramtron公司V系列F—RAM存储器中的一员,具有2.0~3.6V的宽工作电压范围。FM25V20具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限... Ramtron International Corporation(简称Ramtron)推出2Mb高性能串VIF—RAM器件FM25V20。该器件是Ramtron公司V系列F—RAM存储器中的一员,具有2.0~3.6V的宽工作电压范围。FM25V20具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数(1e14)及低功耗特性。 展开更多
关键词 RAM 存储器 非易失性 ramtron公司 串口 电压范围 快速访问 功耗特性
下载PDF
Ramtron最新产品规划
3
《电子产品世界》 2010年第7期26-26,共1页
作为铁电存储器(F-RAM)的积极倡导者,Ramtron公司一直致力于铁电存储器产品的开发。随着目标应用的不断拓展,其产品已不仅仅局限于标准存储器。Ramtron公司在09年10月宣布最新的无线存储器产品,并在今年5月份硅谷的嵌入式系统大会上... 作为铁电存储器(F-RAM)的积极倡导者,Ramtron公司一直致力于铁电存储器产品的开发。随着目标应用的不断拓展,其产品已不仅仅局限于标准存储器。Ramtron公司在09年10月宣布最新的无线存储器产品,并在今年5月份硅谷的嵌入式系统大会上展示了这一系列产品的最新进展。 展开更多
关键词 产品规划 ramtron公司 铁电存储器 嵌入式系统 硅谷
下载PDF
Ramtron处理器配套器件
4
《电子产品世界》 2004年第08B期28-30,共3页
关键词 ramtron公司 处理器 FM4005 功能
下载PDF
RAMTRON 2KB铁电存储器微控制器
5
《电子产品世界》 2007年第11期150-150,共1页
Ramtron公司推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到Versa8501产品中进行非易失性数据存储与处理系统,适合传感器、计量仪表、工业控制、医疗设备等应用。VRS51L3072将2KBF-RAM与完全... Ramtron公司推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到Versa8501产品中进行非易失性数据存储与处理系统,适合传感器、计量仪表、工业控制、医疗设备等应用。VRS51L3072将2KBF-RAM与完全集成的高性能系统级芯片相结合,特性包括40MIPS单周期8051内核、 展开更多
关键词 微控制器 铁电存储器 非易失性数据存储 ramtron公司 系统级芯片 8051内核 计量仪表 工业控制
下载PDF
Ramtron铁电存储器再添新品
6
《电子产品世界》 2003年第06B期95-95,共1页
关键词 ramtron公司 铁电存储器 FM3lx FM32x
下载PDF
Ramtron扩展F-RAM V产品系列新增汽车等级串口器件
7
《集成电路应用》 2011年第1期46-46,共1页
Ramtron公司宣布其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位、高性能非易失性F-RAM存储器,在2.0~3.6V的宽工作电压范围内工作。
关键词 器件 串口 汽车 扩展F ramtron公司 品系 非易失性 电压范围
下载PDF
Ramtron推出1Mb铁电存储器FM20L08
8
《电子测试(新电子)》 2005年第7期87-87,共1页
Ramtron公司目前推出11Mb铁电存储器产品FM20L08。此型号产品的操作电压为3V,采用32管脚TSOP封装。
关键词 铁电存储器 推出 ramtron公司 TSOP封装 操作电压 型号产品 管脚
下载PDF
Ramtron推出1兆位串行F-RAM存储器
9
《电子设计应用》 2008年第11期124-124,共1页
Ramtron公司推出新型F—RAM系列中的首款产品FM25V10,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。FM25V10特点是快速访问、无延迟写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事。
关键词 存储器 1兆位 ramtron公司 串行 AM系列 快速访问 工业控制 低电压
下载PDF
Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器
10
《中国集成电路》 2012年第3期6-6,共1页
Ramtron International Corporation宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16kb器件的型号为FM25P16,是业界功耗最低的非易失性存储器,为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品... Ramtron International Corporation宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16kb器件的型号为FM25P16,是业界功耗最低的非易失性存储器,为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品,其能耗仅为EEPROM器件的千分之一,并具有快速读/写特性和几乎无限次的耐用性。(来自Ramtron公司) 展开更多
关键词 非易失性存储器 低功耗 世界 ramtron公司 EEPROM 耐用性 器件
下载PDF
Ramtron推出DFN封装FRAM,高度仅0.75mm
11
《集成电路应用》 2005年第1期85-85,共1页
Ramtron International公司宣布推出采用双扁平无铅(DFN)塑料封装的铁电随机存取内存(FRAM)产品。该公司现有的FRAM产品均采用薄形封装和小尺寸印刷电路板(PCB),型号分别为FM24CL16、FM25CL64和FM25L256。其中,FM24CL16的封装尺寸为3... Ramtron International公司宣布推出采用双扁平无铅(DFN)塑料封装的铁电随机存取内存(FRAM)产品。该公司现有的FRAM产品均采用薄形封装和小尺寸印刷电路板(PCB),型号分别为FM24CL16、FM25CL64和FM25L256。其中,FM24CL16的封装尺寸为3.0×6.4mm的封装,而FM25CL64和FM25L256则采用4.0×4.5mm封装。 展开更多
关键词 ramtron公司 DFN封装 FRAM 性能
下载PDF
Ramtron 2011年展望
12
作者 Lee Brown 《世界电子元器件》 2011年第1期42-42,共1页
Ramtron的目标是开发低功耗、高速度、高耐用的F-RAM半导体产品,可让客户在其系统中实现更多的功能,最终增强客户在其市场领域的竞争力。Ramtron公司预计2010年全球市场需求较2009年上升45%至54%,我们对于2011年实现更多增长持乐观态度。
关键词 ramtron公司 展望 市场需求 半导体产品 低功耗 高速度 竞争力 客户
下载PDF
Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件
13
《电子与电脑》 2009年第8期56-56,共1页
Ramtron发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工... Ramtron发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V~3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点.是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256Kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品。 展开更多
关键词 串口 器件 ramtron公司 EEPROM存储器 串行外设接口 SOIC封装 替代产品 低工作电压
下载PDF
Ramtron 1Mbit串行F-RAM满足汽车标准要求
14
《电子与电脑》 2010年第7期76-76,共1页
Ramtron宣布其1Mbit、2.0V一3.6V串行F—RAM内存FM25V10一G,通过了AEC—Q100Grade3标准认证,这项严格的汽车等级认证是汽车电子设备委员会(Automotive Electronic Council,AES)针对集成电路而制定的应力测试认证。目前Ramtron公... Ramtron宣布其1Mbit、2.0V一3.6V串行F—RAM内存FM25V10一G,通过了AEC—Q100Grade3标准认证,这项严格的汽车等级认证是汽车电子设备委员会(Automotive Electronic Council,AES)针对集成电路而制定的应力测试认证。目前Ramtron公司符合AEC—Q100标准的内存产品已增加至15种,这些产品都经过专门设计以满足汽车市场的严苛要求。 展开更多
关键词 汽车标准 串行 ramtron公司 汽车电子设备 内存产品 标准认证 测试认证 集成电路
下载PDF
Ramtron举办VRS51L3074设计大赛
15
《电子与电脑》 2006年第9期133-133,共1页
Ramtron公司宣布在全球范围内举办VRS51 L3074设计大赛,向工程师推荐首款嵌入非易失性铁电存储器FRAM的8051系列微控制器。Ramtron将FRAM加入于其高速Versa8051系列产品中,以实现设计高速,高可靠性的非易失性数据存储和处理系统,而... Ramtron公司宣布在全球范围内举办VRS51 L3074设计大赛,向工程师推荐首款嵌入非易失性铁电存储器FRAM的8051系列微控制器。Ramtron将FRAM加入于其高速Versa8051系列产品中,以实现设计高速,高可靠性的非易失性数据存储和处理系统,而该系统只有嵌入了FRAM的增强型微控制器才能提供。 展开更多
关键词 设计大赛 非易失性数据存储 ramtron公司 8051系列 FRAM 微控制器 铁电存储器
下载PDF
Ramtron推出Versa Mix8051系列高集成度混合信号微控制器
16
作者 陈爱思 《电子与封装》 2006年第2期46-46,共1页
世界顶尖的非易失性铁电半导体产品供应商Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051系列(VMX51C1xxx)混合信号微控制器,这是一种针对嵌入式数据采集市场的单芯片解决方案,可用于工业、医疗、消费电子、仪表和汽车市场等各种不同的信号调... 世界顶尖的非易失性铁电半导体产品供应商Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051系列(VMX51C1xxx)混合信号微控制器,这是一种针对嵌入式数据采集市场的单芯片解决方案,可用于工业、医疗、消费电子、仪表和汽车市场等各种不同的信号调节、数据采集、处理和控制应用。Ramtron还同时提供Versa 8051系列(VRS51x1xxx/5xx),这是低成本、符合业界标准并以8051为基础的插入式MCU, 展开更多
关键词 VERSA Mix8051 微控制器 混合信号 高集成度 ramtron公司 数据采集 汽车市场 半导体产品
下载PDF
铁电存储器FM30C256在工业记录仪器中的应用
17
作者 郑剑翔 《福建电脑》 2003年第9期33-34,共2页
铁电存储器是新一代的非易失性存储器,FM30C256是RAMTRON公司新近推出的铁电存储器芯片,该器件在同一芯片内集成了32Kbyte存储器和实时时间等电路。特别适合作为工业记录记录仪器的数据采集记录。本文在简要介绍FM30C256芯片的基础上,... 铁电存储器是新一代的非易失性存储器,FM30C256是RAMTRON公司新近推出的铁电存储器芯片,该器件在同一芯片内集成了32Kbyte存储器和实时时间等电路。特别适合作为工业记录记录仪器的数据采集记录。本文在简要介绍FM30C256芯片的基础上,给出了用AVR单片机ATMEGA8和该存储器构成的记录器的例子。 展开更多
关键词 工业记录仪器 铁电存储器 FM30C256 非易失性存储器 ramtron公司
下载PDF
MCU更佳的应用伴侣——FM31系列
18
作者 曾平贵 《电子产品世界》 2006年第03X期96-97,共2页
关键词 MCU ramtron公司 铁电存储器 伴侣 应用 产品系列 电压检测 竞争力 RTC 低电压
下载PDF
新型铁电存储器件的原理及应用
19
《电子元器件应用》 2006年第3期28-30,32,共4页
关键词 铁电存储器 存储器件 ramtron公司 应用 原理 FRAM 存储技术 成功开发 产品
下载PDF
FM23MLD16系N:8位并行FRAM
20
《世界电子元器件》 2009年第8期41-41,共1页
Ramtron公司推出采用流线型密间距FBGA封装的8位FRAM存储器。FM23MLD16是8Mb、3V并行非易失性RAM,采用48引脚封装,具有快速存取性能,实现无限读,写周期和低功耗等特点。
关键词 FRAM 位并行 ramtron公司 非易失性RAM BGA封装 引脚封装 存取性能 存储器
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部