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LSI逻辑推出90纳米工艺RapidChip平台ASICs
1
《电子测试（新电子）》 2005年第8期106-106,共1页
LSI逻辑近日宣布计划采用公司G90（90纳米）工艺生产下一代RapidChip平台ASIC系列产品。新的硅片将提供90纳米工艺极大的集成度及性能优势，并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。该系列产... LSI逻辑近日宣布计划采用公司G90（90纳米）工艺生产下一代RapidChip平台ASIC系列产品。新的硅片将提供90纳米工艺极大的集成度及性能优势，并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。该系列产品提供不同配置的门数、内存资源、I／O、PLL及高速SerDes（Serializer／Deseriahzer）， 展开更多
关键词 LSI逻辑公司 90纳米工艺 rapidchip平台 集成电路 内存资源
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LSI逻辑公司扩大处理器在Rapidchip ASIC开发平台设计的应用范围
2
《电子与电脑》 2004年第10期147-147,共1页
关键词 LSI逻辑公司 处理器 rapidchip ASIC开发平台 ARM7TMDI-S处理器核 AMBA参考设计
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LSI逻辑公司扩大处理器在Rapidchip ASIC开发平台的应用
3
《今日电子》 2004年第10期74-74,共1页
关键词 LSI逻辑公司 扩大处理器 rapidchip ASIC开发平台 ARM7TMDI-S处理器核
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可配置硅片技术将定制芯片的面市时间缩短了50%
4
作者 David Suchmann 《今日电子》 2003年第5期2-2,共1页
关键词 可配置硅片 定制芯片 面市时间 rapidchip
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