CO在Sm/Rh(100)模型表面上的吸附与反应

应用 AES,LEED,XPS和 TDS研究了 Rh( 1 0 0 )上 Sm膜和 Sm/ Rh表面合金以及 CO在这两类模型表面的吸附与反应 .室温下 Sm在 Rh( 1 0 0 )上的生长遵从 SK模式 ,Sm膜经 90 0 K高温退火后可形成有序表面合金 .在室温制备的 Sm膜 / Rh( 1 0 0 )表面上 ,室温下 CO在 Sm上的吸附改变了表面结构 ,生成 Sm Ox 和表面碳 .随着 Sm覆盖度的增加 ,低温脱附峰 ( α-CO)面积迅速下降 ,且峰温向高温方向位移 ;表明 Sm的空间位阻和电子效应同时起作用 .在 Sm/ Rh合金表面上 ,CO在约 5 90 K出现新的脱附峰 ,可归属为受 Sm电正性修饰的 Rh原子上的

O在Rh(100)表面吸附的密度泛函理论研究

采用第一性原理的密度泛函理论计算了O原子在Rh(100)表面的吸附,得到了电子特性及各种结构参数,并给出了不同覆盖度下O原子在Rh(100)表面上3个位置吸附后的能量.结果表明,O原子在Rh(100)表面可以发生稳定的吸附,最高吸附能为2.53eV.同时,通过对O原子的态密度进行分析,得到如下结论:O原子在Rh(100)面上的吸附主要是由于O的2p轨道与基底金属的4d轨道相互作用的结果.

SmO_x/Rh(100)模型表面的制备与性质

应用Auger电子能谱（AES）,X射线光电子能谱（XPS）和程序升温热脱附谱（TDS）研究了SmOx/Rh（100）模型表面的制备及CO在该表面的吸附.Sm和氧的强亲合作用引起了Sm在表面的强烈偏析.氧化表面的高温热处理,导致 SmOx在 Rh（100）表面的进一步聚集.与 120K吸附在清洁 Rh（100）表面的CO的热脱附谱相比较,吸附在 SmOx/Rh（100）表面的 CO的热脱附谱中在 176,331和 600 K出现了新的脱附峰.其中位于 176 K的脱附峰可归属于吸附在 SmOx岛上的 CO的脱附,而位于 331,600 K的脱附峰的出现与表面Sm原子的氧化程度有关,可分别归属为吸附在富氧和贫氧SmOx岛周边界面Rh原子上的CO的脱附.