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A Single Mode980 nm In Ga As/Ga As/Al Ga As Large Optical Cavity Quantum Well Laser with Low Vertical Divergence Angle
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作者 朱晓鹏 徐遵图 +2 位作者 张敬明 马骁宇 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期342-346,共5页
To achieve high optical power as well as low vertical divergence angle,a new kind of optim ized large opti- cal cavity (L OC) structure is applied to a ridge waveguide 980 nm In Ga As/ Ga As/ Al Ga As m ulti- quantum... To achieve high optical power as well as low vertical divergence angle,a new kind of optim ized large opti- cal cavity (L OC) structure is applied to a ridge waveguide 980 nm In Ga As/ Ga As/ Al Ga As m ulti- quantum well laser.The optical power density in the waveguide is successfully reduced.The maxim um output power is more than 40 0 m W with a slope efficiency of 0 .89W/ A and the far- field vertical divergence angle is lowered to 2 3°. 展开更多
关键词 semiconductor laser quantum well large optical cavity waveguide ridge waveguide
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Mode analysis and structure parameter optimization of a novel SiGe-OI rib optical waveguide 被引量:4
2
作者 冯松 高勇 +1 位作者 杨媛 冯玉春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期90-94,共5页
The mode of a novel SiGe-OI optical waveguide is analyzed, and its single-mode conditions are derived. The Ge content and structure parameters of SiGe-OI optical waveguides are respectively optimized. Under an operati... The mode of a novel SiGe-OI optical waveguide is analyzed, and its single-mode conditions are derived. The Ge content and structure parameters of SiGe-OI optical waveguides are respectively optimized. Under an operation wavelength of 1300 nm, the structures of SiGe-OI rib optical waveguides are built and analyzed with Optiwave software, and the optical field and transmission losses of the SiGe-OI rib optical waveguides are analyzed. The optimization results show that when the structure parameters H, h, W are respectively 500 nm, 250 nm, 500 nm and the Ge content is 5%, the total power loss of SiGe-OI rib waveguides is 0.3683 dB/cm considering the loss of radiation outside the waveguides and materials, which is less than the traditional value of 0.5 dB/cm. The analytical technique for SiGe-OI optical waveguides and structure parameters computed by this paper are proved to be accurate and computationally efficient compared with the beam propagation method (BPM) and the experimental results. 展开更多
关键词 sige-oi rib optical waveguides mode analysis Ge content structure parameters
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基于Optiwave的脊形SiGe-OI光波导结构设计 被引量:8
3
作者 高勇 冯松 +1 位作者 杨媛 冯玉春 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1692-1696,共5页
利用有效折射率的数值解法,计算出了SiGe-OI脊形光波导的有效折射率.通过对SiGe-OI光波导结构参量的理论分析和计算,得到了SiGe-OI脊形光波导传输单模光波时内外脊高H,h及脊宽W的尺寸.通过Optiwave软件对SiGe-OI脊形光波导进行建模仿真... 利用有效折射率的数值解法,计算出了SiGe-OI脊形光波导的有效折射率.通过对SiGe-OI光波导结构参量的理论分析和计算,得到了SiGe-OI脊形光波导传输单模光波时内外脊高H,h及脊宽W的尺寸.通过Optiwave软件对SiGe-OI脊形光波导进行建模仿真,验证了理论分析和计算的正确性. 展开更多
关键词 SiGe—OI脊形光波导 有效折射率 结构参量
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基于AZ5214光致保护层的As2S3硫系脊型波导制备
4
作者 尚磊 邹林儿 +2 位作者 杨熙飞 李乐 沈云 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期220-227,共8页
实验研究发现AZ5214光刻胶在一定曝光剂量下显影后会留存一定厚度的底膜,该底膜可以在干法刻蚀过程中避免As-S薄膜与碱性显影液直接接触,减轻薄膜表面损伤,起到保护作用。基于此,采用该底膜作为保护层制备As2S3脊型波导,研究结果表明,在... 实验研究发现AZ5214光刻胶在一定曝光剂量下显影后会留存一定厚度的底膜,该底膜可以在干法刻蚀过程中避免As-S薄膜与碱性显影液直接接触,减轻薄膜表面损伤,起到保护作用。基于此,采用该底膜作为保护层制备As2S3脊型波导,研究结果表明,在AZ5214光刻胶匀胶厚度为2.1μm、紫外曝光剂量为200 mJ/cm2、显影时间为45 s的条件下会留存约为220 nm厚的光致保护层,该条件下保护层均匀性较好,且在刻蚀阶段可以完全去除。实验表明利用此保护层制备的As2S3脊型波导具有良好的形貌特征,波导脊宽约为3μm、脊高约为800 nm的As2S3脊型波导的传输损耗约为0.74 dB/cm@1 550 nm。 展开更多
关键词 集成光学 硫系玻璃 脊型波导 AZ5214光刻胶 光致保护层
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Optimization design for polymeric S-shaped ridge waveguide 被引量:1
5
作者 LU RongGuo LIAO JinKun TANG XiongGui LI HePing LIU YongZhi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2010年第17期1834-1839,共6页
The dispersion characteristics and transverse field distribution of the fundamental and higher order modes are analyzed for polymeric ridge multimode waveguide by a new technique which is based on the combination of t... The dispersion characteristics and transverse field distribution of the fundamental and higher order modes are analyzed for polymeric ridge multimode waveguide by a new technique which is based on the combination of the effective index method and the variational method. An algorithm is implemented to study the effect of the structure parameters and dimensions on the dispersion curves. The optical field distribution of the fundamental and higher order modes for TM modes are computed. The single mode conditions of polymeric ridge waveguide are obtained. The relationship between the curvature radius and the bending loss of S-shaped ridge waveguide are studied with wide-angle finite-difference beam propagation method and effective index method. The conclusion is: when the curvature radius is larger than 5000 μm, the bending loss will not decrease distinctly even if the curvature radius increases, and the light can propagate stably in the S-shaped ridge waveguide. 展开更多
关键词 脊波导 聚合物 S形 优化设计 有限差分光束传播法 曲率半径 弯曲损耗 有效折射率
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感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用 被引量:9
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作者 张琨 岳远斌 +2 位作者 李彤 孙小强 张大明 《中国光学》 EI CAS 2012年第1期64-70,共7页
提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的... 提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的影响。介绍了倒脊形光波导的制备过程,采用改变单一工艺参数的方法,分析了刻蚀效果随时间、功率、压强、气体流量等参数的变化,对参数优化后刻蚀得到的凹槽和平板结构进行了表征。实验结果表明:在天线射频功率为300 W,偏置射频功率为30 W,气体压强为0.5 Pa,氧气流速为50 cm3/min的条件下,可获得侧壁陡直、底面平整的P(MMA-GMA)凹槽结构。 展开更多
关键词 聚合物光波导 倒脊形光波导 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
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新型结构超宽带LiNbO_3电光调制器的优化设计 被引量:6
7
作者 高致慧 甘庆云 万俊康 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期365-368,共4页
采用有限元软件对新型结构的铌酸锂电光调制器进行了优化设计分析表明,采用脊波导和T型电极相结合的方式,能在保持高的特征阻抗的同时有效的实现相速匹配和有效降低电极损耗,从而较好的提高器件性能,是一种比较有潜力的调制器利用优化结... 采用有限元软件对新型结构的铌酸锂电光调制器进行了优化设计分析表明,采用脊波导和T型电极相结合的方式,能在保持高的特征阻抗的同时有效的实现相速匹配和有效降低电极损耗,从而较好的提高器件性能,是一种比较有潜力的调制器利用优化结果,给出一种带宽达153GHz,半波电压为8.55V。 展开更多
关键词 LINBO3电光调制器 行波电极 脊波导 T型电极
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反常色散亚微米硫系玻璃脊形波导及其在光学相位共轭中的应用 被引量:2
8
作者 邹林儿 姚松超 +1 位作者 陈抱雪 矶守 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期47-52,共6页
基于有限元法仿真计算了脊高850nm、脊宽800~2 000nm、刻蚀深度200~600nm的亚微米结构尺寸As2S3硫系玻璃脊形波导的有效折射率和色散特性.结果显示在光通信波段内准TM模式下一定波导结构存在反常色散,且同一脊宽和脊高下零色散波长位... 基于有限元法仿真计算了脊高850nm、脊宽800~2 000nm、刻蚀深度200~600nm的亚微米结构尺寸As2S3硫系玻璃脊形波导的有效折射率和色散特性.结果显示在光通信波段内准TM模式下一定波导结构存在反常色散,且同一脊宽和脊高下零色散波长位置随刻蚀深度增加出现蓝移;同时合适结构的波导还存在两个零色散波长,如脊高850nm、脊宽1 000nm、刻蚀深度350nm的脊形波导,准TM模式下两个零色散波长为1 510nm和1 746nm,波长1 550nm处的色散值为-28.62ps2·km-1.在此基础上,利用此具有反常色散的脊形波导作为光学相位共轭介质,将其应用在220km远距离光纤链路的3×40Gb/s高比特率波分复用系统中进行仿真实验,结果显示该硫系玻璃脊形波导构建的光学相位共轭器有效地实现了四波混频效应,且对整个系统的色散进行了有效补偿. 展开更多
关键词 集成光学 光学相位共轭 脊形波导 色散 硫系玻璃
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新型大功率LD非注入区窗口结构研究 被引量:3
9
作者 张松 刘素娟 +6 位作者 崔碧峰 李建军 计伟 陈京湘 王晓玲 苏道军 李佳莼 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期26-29,共4页
提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构,通过腐蚀高掺杂欧姆接触层,在腔面附近引入电流非注入区,限制载流子注入腔面,减少载流子在腔面处的非辐射复合,提高了激光器腔面的光学灾变性损伤(COD)阈值。同时,引入脊型波导结构,降低了光... 提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构,通过腐蚀高掺杂欧姆接触层,在腔面附近引入电流非注入区,限制载流子注入腔面,减少载流子在腔面处的非辐射复合,提高了激光器腔面的光学灾变性损伤(COD)阈值。同时,引入脊型波导结构,降低了光束的水平发散角。采用该结构制作的器件在功率达到22W时仍未出现COD现象,而无腔面非注入区结构的器件输出功率达到18W时腔面发生COD。同时,采用该结构制作的器件在工作电流为12A时其光束的水平发散角约为10°,而常规电流非注入区结构的器件在相同的工作电流下其光束水平发散角约为15°。 展开更多
关键词 电流非注入区 脊型波导 光学灾变性损伤 发散角
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Ge_xSi_(1-x)/Si脊形光波导的最佳结构 被引量:1
10
作者 李宝军 刘恩科 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期34-38,共5页
根据光集成技术对脊形光波导的要求 ,通过系统的分析和优化设计得出了GexSi1 -x/Si脊形光波导的最佳结构参数。对波长为 1 .3μm的光波 ,其数值孔径在光波导的输入、输出端均和单模光纤的相匹配 ,其最佳Ge组分为 0 .0 3和 0 .0 4。符合... 根据光集成技术对脊形光波导的要求 ,通过系统的分析和优化设计得出了GexSi1 -x/Si脊形光波导的最佳结构参数。对波长为 1 .3μm的光波 ,其数值孔径在光波导的输入、输出端均和单模光纤的相匹配 ,其最佳Ge组分为 0 .0 3和 0 .0 4。符合大截面且和单模光纤芯径相当的脊高分别为 4~ 1 0 μm和 4.0~ 5 .9μm ,脊宽分别为 8.8~ 1 0 .0 μm和 5 .9~ 1 0 .0 μm。 展开更多
关键词 集成光学 光波导 脊形光波导 最佳结构
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Fabrication of Windowed Very-Small-Aperture Laser Diodes
11
作者 康香宁 徐云 +2 位作者 宋国峰 叶晓军 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1145-1148,共4页
A windowed very small aperture laser (VSAL) source for use in high resolution near field optical data storage is fabricated.The windowed regions are introduced to avoid shorting the pn junction with metal coating a... A windowed very small aperture laser (VSAL) source for use in high resolution near field optical data storage is fabricated.The windowed regions are introduced to avoid shorting the pn junction with metal coating and suppress the COD effect.It facilitates producing VSAL by simplified technology and improves the laser performance.A VSAL with 400nm small aperture is demonstrated by focused ion beam (FIB) and the output power is 0 3mW at 31mA. 展开更多
关键词 very small aperture laser optical near field ridge waveguide focused ion beam
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一种非矩形截面对浅刻蚀SOI脊形波导侧向泄漏损耗的影响
12
作者 张明 陶京 +1 位作者 周寒青 王昌辉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期105-112,共8页
为了进一步探索用绝缘体上晶体硅制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,提出并研究了一种非矩形截面浅刻蚀绝缘体上晶体硅脊形波导.用光的干涉理论建立该波导的周期性损耗模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的... 为了进一步探索用绝缘体上晶体硅制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,提出并研究了一种非矩形截面浅刻蚀绝缘体上晶体硅脊形波导.用光的干涉理论建立该波导的周期性损耗模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的频域有限元法仿真观察该特殊波导类TM0模的侧向泄漏损耗周期的变化与最大损耗点的偏移现象.周期大小的仿真结果与理论计算符合度较高,其平均相对误差仅0.56%.此外,发现该类波导在某些沟槽宽度下可以通过改变截面来实现对类TM0模损耗从最大到最小的调节,而在另外一些沟槽宽度下,类TM0模损耗对截面变化不敏感.研究结果可以简化波导加工并提高制作容差,为该类型波导的设计与制作提供参考. 展开更多
关键词 导波光学 浅刻蚀脊形波导 绝缘体上晶体硅 泄漏波 光损耗
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双层(BiAl)YIG磁光薄膜特性与脊形波导制作
13
作者 欧阳嘉 张颖 阿华辉 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1995年第3期66-68,共3页
在液相外延过程中,保持生长温度下变,熔料组分不变。改变基片旋转速率,在钇镓石榴石(GGG)基片上连续生长了两层薄膜。其中一层Bi的含量比另一层稍高,导致两层膜折射率之差△n<10-2,铁磁共振波谱发现每层膜各有一主共... 在液相外延过程中,保持生长温度下变,熔料组分不变。改变基片旋转速率,在钇镓石榴石(GGG)基片上连续生长了两层薄膜。其中一层Bi的含量比另一层稍高,导致两层膜折射率之差△n<10-2,铁磁共振波谱发现每层膜各有一主共振峰,且共振线宽较小,磁光特性测量表明,Bi3-可同时增强法拉第旋转用和光吸收,Al3-则同时减弱法拉第旋转角和光吸收。利用离子束刻蚀的方法,在双层(BiAl)YIG磁光薄膜上制作了宽度为30μm的脊形波导。 展开更多
关键词 薄膜 脊型波导 磁光特性 波导光学
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压力作用于LiNbO_3脊形波导的模场分析
14
作者 吕垚 戴基智 +2 位作者 吴兵兵 郭峰 代志勇 《光学仪器》 2010年第1期23-27,共5页
为了实现基于光弹效应的光波导压力和加速度传感器,需要了解光弹波导中的模场变化。根据晶体的光弹效应理论,分析了在压力作用下M-Z结构LiNbO_3脊形波导中折射率的改变,采用三维FD-BPM法对光弹波导中的导模场进行仿真,并运用光波导的电... 为了实现基于光弹效应的光波导压力和加速度传感器,需要了解光弹波导中的模场变化。根据晶体的光弹效应理论,分析了在压力作用下M-Z结构LiNbO_3脊形波导中折射率的改变,采用三维FD-BPM法对光弹波导中的导模场进行仿真,并运用光波导的电磁理论对仿真结果进行分析。由仿真及分析结果得出:在压力的作用下,波导的折射率增加,波导中导模光场增大,并且波导对光波能量的约束作用增强。 展开更多
关键词 集成光学 压力 光弹效应 脊形波导 模场分布
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脊波导结构LiNbO_3调制器的分析与设计 被引量:3
15
作者 徐小云 陈树强 刘元安 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1999年第6期26-31,共6页
本文利用保角变换法对脊波导结构调制器进行了分析,特别针对在制做脊波导时的非理想矩形的情况,对它造成的偏差进行了计算,在此基础上得出了脊型共面波导结构调制器的等效折射率,特性阻抗,调制带宽和驱动电压等特性。在速度匹配,... 本文利用保角变换法对脊波导结构调制器进行了分析,特别针对在制做脊波导时的非理想矩形的情况,对它造成的偏差进行了计算,在此基础上得出了脊型共面波导结构调制器的等效折射率,特性阻抗,调制带宽和驱动电压等特性。在速度匹配,阻抗匹配,半波电压以及制做的困难程度等折中考虑下对调制器的各项参数进行了优化。结果表明了这新型结构在保持较大特性阻抗的同时,有效的降低等效折射率,大大地提高了调制带宽,迎合了更高速光纤通信的要求。 展开更多
关键词 共面波导 脊波导 光波导 调制器 保角变换 设计
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高掺铒硅基氧化钽脊形光波导 被引量:1
16
作者 陈朝夕 温浩康 +5 位作者 于浩 李彬 胡军 郭天娥 马小玲 华平壤 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第8期191-196,共6页
首次提出了采用Er-Ta共溅、高温退火的方法,在硅基二氧化硅表面制备高掺铒氧化钽(Er:Ta_2O_5)薄膜。利用棱镜耦合仪分析了铒掺杂浓度对Er:Ta_2O_5薄膜的折射率的影响,结果表明:Er:Ta_2O_5薄膜的折射率随着Er掺杂浓度的增加而略微降低,... 首次提出了采用Er-Ta共溅、高温退火的方法,在硅基二氧化硅表面制备高掺铒氧化钽(Er:Ta_2O_5)薄膜。利用棱镜耦合仪分析了铒掺杂浓度对Er:Ta_2O_5薄膜的折射率的影响,结果表明:Er:Ta_2O_5薄膜的折射率随着Er掺杂浓度的增加而略微降低,且所制备的薄膜没有明显的各向异性。在此基础上,成功制备出Er掺杂浓度分别为0、2.5、5、7.5 mol%的硅基Er:Ta_2O_5脊形波导,波导在1 550 nm波段可实现单模传输,通过截断法得到波导在1 600 nm波长处的传输损耗分别为0.6、1.1、2.5、5.0 d B/cm。在所制备的Er:Ta_2O_5薄膜中,尽管没有发现Er_2O_3结晶析出,但薄膜中的Er3+会影响Ta_2O_5晶体的结晶程度,进而增加波导的传输损耗。最终文中制备的掺杂浓度为2.5 mol%的硅基Er:Ta_2O_5脊形波导通过980 nm激光泵浦,在1 531 nm信号波长下达到了3.1 d B/cm的净增益。 展开更多
关键词 集成光学 铒掺杂 氧化钽薄膜 脊形波导
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硅基狭缝脊形波导的几何尺寸对光场分布的影响
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作者 刘若男 李志华 +4 位作者 李彬 唐波 张鹏 余金中 吴次南 《电子科技》 2018年第4期55-59,共5页
文中采用时域有限差分模拟的方法,研究了狭缝脊形波导中狭缝的宽度、狭缝两侧波导的宽度以及狭缝的深度对狭缝脊形波导光场分布的影响。在狭缝脊型波导中,随着狭缝宽度的增加,其归一化光功率先增大后减小;同样,光功率随着狭缝两侧波导... 文中采用时域有限差分模拟的方法,研究了狭缝脊形波导中狭缝的宽度、狭缝两侧波导的宽度以及狭缝的深度对狭缝脊形波导光场分布的影响。在狭缝脊型波导中,随着狭缝宽度的增加,其归一化光功率先增大后减小;同样,光功率随着狭缝两侧波导的增加也呈现出先增加后减小的现象;随着狭缝刻蚀深度的增加,归一化光功率是逐渐增大的。通过比较狭缝中归一化光功率的值,将其影响量化,进一步找到最合适狭缝脊形波导的几何尺寸。实验结果表明,当狭缝的宽度为40 nm,两侧波导的宽度为220 nm,狭缝刻蚀深度为220 nm时,归一化光功率达到最大值为13.54%。该仿真结果有助于优化狭缝脊形波导与调制器制造和集成。 展开更多
关键词 脊形波导 光场分布 光功率 狭缝 时域有限差分 尺寸
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基于S型Y分支波导的石墨烯M-Z电光调制器设计 被引量:3
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作者 周勇 陆荣国 +3 位作者 吕江泊 沈黎明 林瑞 刘永 《半导体光电》 CAS 北大核心 2021年第2期179-184,共6页
利用COMSOL软件设计了一种基于S型Y分支SOI脊波导的石墨烯M-Z电光调制器,并对Y分支波导曲率半径、相位臂长度、芯层间距和输入输出直波导长度等结构参数对调制器的影响进行了分析。在此基础上对电光调制器的性能指标进行了计算和优化,... 利用COMSOL软件设计了一种基于S型Y分支SOI脊波导的石墨烯M-Z电光调制器,并对Y分支波导曲率半径、相位臂长度、芯层间距和输入输出直波导长度等结构参数对调制器的影响进行了分析。在此基础上对电光调制器的性能指标进行了计算和优化,最终设计出了3dB带宽为143GHz、消光比为15.05dB的硅基石墨烯M-Z电光调制器。 展开更多
关键词 石墨烯 M-Z电光调制器 S型Y分支波导 绝缘体上硅脊形波导
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渐变耦合脊波导晶体管探测器光响应分析
19
作者 谢红云 郭敏 +5 位作者 马佳俊 高杰 陈亮 马佩 刘先程 张万荣 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期8-14,共7页
为提高InP基光探测器的吸收效率和工作速度,设计了一种渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管探测器。采用有效折射率法和光束传播法,分析渐变耦合脊波导的光传输模式,优化后波导宽度和波导长度分别为2.6μm和250μm,可实现单模... 为提高InP基光探测器的吸收效率和工作速度,设计了一种渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管探测器。采用有效折射率法和光束传播法,分析渐变耦合脊波导的光传输模式,优化后波导宽度和波导长度分别为2.6μm和250μm,可实现单模传输和高的光吸收效率.由于渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管光传输方向与载流子运动方向垂直,分别优化光敏晶体管的吸收效率和速度,器件输出光电流和特征频率均得到改善.渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管的响应度为33.83 A/W,饱和输出光电流为90 mA,最高特征频率达到87 GHz,其饱和输出电流和特征频率相比于台面单载流子传输异质结光敏晶体管分别提高了20%和24%.但渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管吸收体积大,获得饱和电流时的光功率也比较大,因此渐变耦合脊波导单载流子传输异质结光敏晶体管的响应度略小于台面的单载流子传输异质结光敏晶体管的响应度. 展开更多
关键词 异质结光敏晶体管 单载流子传输 光束传播法 响应度 光学特征频率
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低远场发散角976 nm基横模脊形半导体激光器
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作者 王振诺 仲莉 +5 位作者 张德帅 刘素平 潘智鹏 常津源 何天将 马骁宇 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期132-138,共7页
采用非对称大光腔外延结构设计制备出976 nm InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱脊形半导体激光器,通过对外延结构的设计优化,以实现器件低远场发散角、低功耗的基横模稳定输出。所制备基横模脊形半导体激光器的脊宽为5μm、腔长为1500μm,在2... 采用非对称大光腔外延结构设计制备出976 nm InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱脊形半导体激光器,通过对外延结构的设计优化,以实现器件低远场发散角、低功耗的基横模稳定输出。所制备基横模脊形半导体激光器的脊宽为5μm、腔长为1500μm,在25℃测试温度下,可获得422 mW最大连续输出功率,峰值波长为973.3 nm,光谱线宽(FWHM)为1.4 nm。当注入电流为500 mA时,垂直和水平远场发散角(FWHM)分别为24.15°和3.90°。在15~35℃测试温度范围内对脊形半导体激光器的水平远场发散角进行测试分析,发现随着测试温度的升高,器件远场分布变化较小,水平远场发散角基本维持在3.9°左右。 展开更多
关键词 激光器 976 nm半导体激光器 基横模脊形波导 低远场发散角 非对称大光腔结构
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