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在室温衬底上用真空蒸发CuInSe_2薄膜的方法
1
作者
方宝贤
陈二永
+1 位作者
王东城
廖华
《云南师范大学学报(自然科学版)》
1993年第3期53-56,共4页
本文提出一个制造CuInSe_2薄膜的新途径,在室温衬底上在真空中加热蒸发铜铟与硒的元素,后在空气中热处理,制出的薄膜为黄铜矿结构及具有制造太阳电池需要的性能。有利于简化生产工艺,工业化、廉价地生产太阳电池。
关键词
真空蒸发
薄膜
太阳能电池
CIS薄膜
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职称材料
题名
在室温衬底上用真空蒸发CuInSe_2薄膜的方法
1
作者
方宝贤
陈二永
王东城
廖华
机构
波士顿学院空间研究所
云南师大太阳能研究所
出处
《云南师范大学学报(自然科学版)》
1993年第3期53-56,共4页
文摘
本文提出一个制造CuInSe_2薄膜的新途径,在室温衬底上在真空中加热蒸发铜铟与硒的元素,后在空气中热处理,制出的薄膜为黄铜矿结构及具有制造太阳电池需要的性能。有利于简化生产工艺,工业化、廉价地生产太阳电池。
关键词
真空蒸发
薄膜
太阳能电池
CIS薄膜
Keywords
room tempcrature substract vacuum evaporation cuinse_2 thin films chalcopyrite structure
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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作者
出处
发文年
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操作
1
在室温衬底上用真空蒸发CuInSe_2薄膜的方法
方宝贤
陈二永
王东城
廖华
《云南师范大学学报(自然科学版)》
1993
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