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退火过程中R_P缺陷模型及数值模拟
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作者 励晔 夏建新 安娜 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1203-1207,共5页
根据一维动力学方程,提出了RP缺陷的演化模型,用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象.通过分析发现缺陷随退火时间呈指数变化,根据变化的时间常数与RP缺陷对间隙原子束缚能的大小有关的原理,提出RP缺陷对间... 根据一维动力学方程,提出了RP缺陷的演化模型,用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象.通过分析发现缺陷随退火时间呈指数变化,根据变化的时间常数与RP缺陷对间隙原子束缚能的大小有关的原理,提出RP缺陷对间隙原子的束缚能为2.41eV.将该模型模拟硼杂质随退火时间的分布时,得到缺陷的分布与硼原子的分布变化趋势一致,且变化的时间常数相近,这给出了退火中硼出现异常分布的一种新的解释. 展开更多
关键词 束缚能 析出 rp缺陷 离子注入 退火
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离子注入中硼在R_p缺陷的析出模型(英文)
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作者 安娜 夏建新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期15-18,26,共5页
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于... 建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义。 展开更多
关键词 离子注入 析出模型 rp缺陷 集成电路 增速扩散
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