期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
退火过程中R_P缺陷模型及数值模拟
1
作者
励晔
夏建新
安娜
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1203-1207,共5页
根据一维动力学方程,提出了RP缺陷的演化模型,用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象.通过分析发现缺陷随退火时间呈指数变化,根据变化的时间常数与RP缺陷对间隙原子束缚能的大小有关的原理,提出RP缺陷对间...
根据一维动力学方程,提出了RP缺陷的演化模型,用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象.通过分析发现缺陷随退火时间呈指数变化,根据变化的时间常数与RP缺陷对间隙原子束缚能的大小有关的原理,提出RP缺陷对间隙原子的束缚能为2.41eV.将该模型模拟硼杂质随退火时间的分布时,得到缺陷的分布与硼原子的分布变化趋势一致,且变化的时间常数相近,这给出了退火中硼出现异常分布的一种新的解释.
展开更多
关键词
束缚能
析出
rp缺陷
离子注入
退火
下载PDF
职称材料
离子注入中硼在R_p缺陷的析出模型(英文)
2
作者
安娜
夏建新
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期15-18,26,共5页
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于...
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义。
展开更多
关键词
离子注入
析出模型
rp缺陷
硼
集成电路
增速扩散
下载PDF
职称材料
题名
退火过程中R_P缺陷模型及数值模拟
1
作者
励晔
夏建新
安娜
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1203-1207,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376022)~~
文摘
根据一维动力学方程,提出了RP缺陷的演化模型,用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象.通过分析发现缺陷随退火时间呈指数变化,根据变化的时间常数与RP缺陷对间隙原子束缚能的大小有关的原理,提出RP缺陷对间隙原子的束缚能为2.41eV.将该模型模拟硼杂质随退火时间的分布时,得到缺陷的分布与硼原子的分布变化趋势一致,且变化的时间常数相近,这给出了退火中硼出现异常分布的一种新的解释.
关键词
束缚能
析出
rp缺陷
离子注入
退火
Keywords
binding energy
segregation
R P defects
ion implant
annealing
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
离子注入中硼在R_p缺陷的析出模型(英文)
2
作者
安娜
夏建新
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期15-18,26,共5页
文摘
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义。
关键词
离子注入
析出模型
rp缺陷
硼
集成电路
增速扩散
Keywords
rp
defects
boron peak
segregation
TED
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火过程中R_P缺陷模型及数值模拟
励晔
夏建新
安娜
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
2
离子注入中硼在R_p缺陷的析出模型(英文)
安娜
夏建新
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部