Ru籽晶层对CoCrPt-SiO_2垂直记录层形貌及结构的影响

采用磁控溅射方法,制备了以不同厚度Ru薄膜为籽晶层的CoCrPt-SiO2垂直磁记录薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)分析Ru薄膜的结构和形貌,并研究了其结构对CoCrPt-SiO2薄膜表面形貌、粗糙度及结构的影响。结果表明,CoCrPt-SiO2记录层的晶粒尺寸和粗糙度均随着Ru籽晶层厚度的增加而增加,薄而粗糙的籽晶层适合于高密度磁记录介质。对于CoCrPt-SiO2记录层晶粒的优化,厚度为70nm的Ru籽晶层有利于记录层薄膜晶粒的完全隔离,从而提高了磁记录性能。