掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺杂浓度为10^-8～10^-7mol·mol^-1 Ag时，在增感之前，掺杂位置越接近表面时，光电子衰减过程会变慢，即衰减时间增加；S＋Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快，说明了增感中心起深电子陷阱作用，当掺杂位置接近表面90％Ag时，光电子衰减时间突然减小，说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。

AgBrⅠ核壳乳剂的还原敏化与硫加金敏化的协同增感效应

使用微机控制的双注仪和二次乳化方法制备了一系列在AgBrⅠ核内进行不同程度还原增感的溴碘化银/溴化银核壳乳剂.对这些乳剂感光性能的研究表明:1)颗粒内部经还原敏化或Ag2掺杂的乳剂表现出明显的增感效应,颗粒内碘离子的存在并不影响Ag2的增感作用;2)在对乳剂进行了颗粒表面的硫加金增感以后,在一定的DMAB用量下,观察到显著的颗粒内部还原增感和表面硫加金增感的协同增感效应,使乳剂的感光度有了成倍的增长.以上协同增感效应的结果再次说明,颗粒内部的还原敏化中心与颗粒表面的硫加金敏化中心具有两种不同的增感机理,前者捕获空穴,后者捕获电子,两者都有利于提高潜影的形成效率.

S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响

利用微波吸收相敏检测技术 ,对AgBrI T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测 ,结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同 ;S +Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱到深电子陷阱的转变 .根据增感浓度与光电子衰减时间的对应关系 ,获得了S

溴化银乳剂中Ag_2掺杂的位置效应研究

使用微机控制的双注仪,在晶体生长过程的不同时刻,加入一定浓度的二甲基胺硼烷(DMAB),制得了一系列Ag2处于不同掺杂位置的立方体溴化银微晶乳剂.对这些乳剂感光性能的研究表明:1)Ag2掺杂乳剂与未掺杂乳剂相比,感光度有显著提高;2)Ag2掺杂乳剂可同时与常规的硫加金化学增感和光谱增感进行协同增感;3)Ag2掺杂接近微晶表面时乳剂感光度的增幅最大;4)在本实验条件下,掺杂乳剂的灰雾均保持在较低的水平.