基于外部气相沉积的S+C+L波段低色散斜率大有效面积非零色散位移光纤的设计与制备

针对现有光纤无法满足宽带光密集波分复用系统传输和S+C+L波段粗波分复用的要求,设计了一种具有中心凹陷的三角形芯+环形的折射率剖面,利用外部气相沉积工艺制备了一种非零色散位移光纤,并通过调整第一芯层的相对折射率和第二芯层与第一芯层的半径比,探究了其对光纤衰减、色散斜率和有效面积等参数的影响。研究发现,当第一芯层的相对折射率逐渐增大且第二芯层与第一芯层半径比逐渐减小时,零色散波长和有效面积逐渐减小。当第一芯层的相对折射率在0.52%~0.53%,芯层半径比在2.6~2.7时,光纤的有效面积接近70μm^(2),零色散波长在1420 nm附近,在1550 nm波段的色散系数大于8 ps·nm^(-1)·km^(-1),色散斜率为0.059 ps·nm^(-2)·km^(-1),可以较好地抑制传输过程中光非线性效应,满足长途干线网与城域网的使用要求。

覆盖S+C波段的宽光谱带宽InGaAlAs/InP量子阱结构

通过理论仿真和实际制备测试,分析比较了基于非对称量子阱结构(10 nm厚和6 nm厚的量子阱组合)的光放大芯片与对称量子阱结构(10 nm厚量子阱)的光放大芯片的性能。两种结构的理论模式增益同最终实测值符合较好。最终光谱测试结果显示,对称量子阱结构的光放大芯片存在基态增益饱和的现象,在大电流注入情况下,激态跃迁占据优势,从而造成光谱宽度急剧下降。而非对称量子阱结构的光放大芯片的光谱宽度随着注入电流的增加不断拓宽,在600 mA下实现199.7 nm光谱带宽,覆盖S+C波段。由此可见,非对称量子阱结构更有利于实现高功率、宽光谱的光放大芯片。

新型-S+C+L波段通信光纤

随着因特网的普及，人们对通信容量的需求在迅速增加。为了满足人们对通信容量不断增长的需求，一些新的通信技术和设备应运而生。密集波分复用技术的诞生大大提高了单根光纤的通信容量，现在已经成为人们提高光纤通信容量的重要手段。而采用该技术去提升光纤的通信容量需要从两方面着手一方面是增加光纤的波分复用的信道数目，另一方面是提高单个信道的传输速率。由于受光纤性能和光学设备性能的限制。

超宽带多波段混合掺杂光纤光源研究

为了满足分布式光纤光栅传感系统和超高速全光通信系统的需求,设计并实现了一种新型的铒铥混合掺杂的光纤超荧光超宽带光源。实验中用980和1 480nm激光二极管泵浦掺铒光纤,产生C+L波段的光;再利用C+L波段光的30%光泵掺铥光纤,产生S波段荧光,剩余70%的C+L波段光与S波段荧光通过耦合器耦合后输出,产生一个超宽带的S+C+L光源。该光源的总输出功率约为36mW(15.6dBm),带宽从1 460到1 610nm。对光源的带宽和功率等性能指标进行了测试,结果表明,可以满足分布式光纤光栅传感系统和全光通信系统应用的要求。

多波长超宽带铒铥混合掺杂光纤光源

设计并实现了一种多波长超宽带铒铥混合掺杂光纤光源，用一个980nm激光二极管（LD）泵浦掺铒光纤（EDF），输出C＋L波段光谱，用980nmLD、1400nmLD和C＋L波段光泵浦掺铥光纤（TDF），产生S波段光谱。用耦合器制作光纤反射器（FLM），形成双程后向结构提高转化效率。光谱仪测试S＋C＋L波段的总功率为34．18mW（15．34dBm），带宽为1460～1610nm，达到150nm。