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S参数法设计波导E面金属插片窄带滤波器 被引量:9
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作者 高晓惠 王家礼 孙璐 《无线电工程》 2003年第12期49-51,共3页
文章采用高精度的模式匹配法设计了一种窄带矩形波导E面金属插片滤波器。利用该方法设计的滤波器具有精度高,结构简单,制作方便,通带插入损耗小,阻带衰减大等优点。将使用模式匹配法的数值计算结果与实验结果相比较,两者吻合良好。
关键词 s参数法 模式匹配 矩形波导 E面金属插片 滤波器
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基于S参数传输法的石英晶体静电容测量 被引量:8
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作者 董政洁 刘桂礼 +1 位作者 王艳林 李东 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期892-897,共6页
介绍了使用S参数传输理论测量石英晶体静电容的方法。以π网络测量石英晶体电参数的硬件电路为测试平台,采用Agilent公司自动矢量网络分析仪E5070B测量标称频率为16.934 4 MHz的石英晶体的两端对S参数。由网络分析方法中二端口参数的转... 介绍了使用S参数传输理论测量石英晶体静电容的方法。以π网络测量石英晶体电参数的硬件电路为测试平台,采用Agilent公司自动矢量网络分析仪E5070B测量标称频率为16.934 4 MHz的石英晶体的两端对S参数。由网络分析方法中二端口参数的转换关系测量晶体的阻抗,以石英晶体两端对等效电路模型为基础,根据谐振频率附近30个频率点处的晶体阻抗可以精确测量静电容。测量结果证明,两端对S参数传输法可以精确稳定地测量石英晶体静电容,为石英晶体其他电参数的精确测量奠定良好基础。 展开更多
关键词 静电容 s参数传输 二端对等效电路 矢量网络分析
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一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计 被引量:2
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作者 刘海文 孙晓玮 +2 位作者 钱蓉 周旻 李征帆 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第2期159-161,共3页
利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测,结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc/Hz@100k... 利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测,结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc/Hz@100kHz,满足实际应用。 展开更多
关键词 负阻特性 微带结构 s参数法 微波VCO 变容管调谐
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一种使用MESFET管芯的功率放大器的设计
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作者 李俊生 唐健 王晓亮 《安徽电气工程职业技术学院学报》 2016年第1期119-122,共4页
笔者使用MESFET管芯,利用ADS软件对其进行了仿真优化,用小信号S参数法进行设计,并研制出一种线性功率放大器,该放大器采用Excelics公司low distortion Power FET EFC480C作为管芯,尺寸为15mm×20mm,在2.7GHz^3.1GHz频带内增益≥11d... 笔者使用MESFET管芯,利用ADS软件对其进行了仿真优化,用小信号S参数法进行设计,并研制出一种线性功率放大器,该放大器采用Excelics公司low distortion Power FET EFC480C作为管芯,尺寸为15mm×20mm,在2.7GHz^3.1GHz频带内增益≥11d B,输出功率P(sat)≥30d Bm,功率起伏≤1d B;输入输出驻波比≤2,达到了较好的性能。不仅比管壳封装器件体积小,而且可以消除封装参数的有害影响。 展开更多
关键词 功率放大器 s参数法 负载线 MEsFET管芯
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一种提取介质结构等效电磁参量的改进方法 被引量:3
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作者 胡振燕 周乐柱 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期435-442,共8页
基于对提取人工电磁材料等效结构电磁参量的传统S参数提取法的研究,提出一种新的既适用于异向介质也适用于传统介质简单明确的改进方法。改进方法具有3个优势:1)采用反正弦函数提取等效折射率n,无需使用附加限制条件n′′≥0和z′≥0便... 基于对提取人工电磁材料等效结构电磁参量的传统S参数提取法的研究,提出一种新的既适用于异向介质也适用于传统介质简单明确的改进方法。改进方法具有3个优势:1)采用反正弦函数提取等效折射率n,无需使用附加限制条件n′′≥0和z′≥0便可直接得出n的正负属性,避免了传统S参数提取法应用上述限制条件可能引起的误差;2)明确给出一种多值反正弦函数的取值方案,解决了传统S参数提取法中多值反三角函数的取值困扰问题;3)改进方法对厚度较小或厚度较大的介质结构都能适用,克服了传统S参数提取法仅适用于介质厚度足够小的限制。通过对均匀异向介质板、均匀传统介质板以及典型的SRR-Rods异向介质结构等效特性参量的提取,证实了此方法的正确性、有效性和优越性。 展开更多
关键词 人工电磁材料 左手介质(异向介质) 等效电磁参量提取 s参数提取
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人工介质电磁参数随空间变化的特性研究 被引量:2
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作者 陈沛林 丁君 《现代电子技术》 2011年第15期179-182,共4页
人工介质的本构参数描述了它的电磁特性。为了设计人工介质,需要了解其本构参数的变化规律。首先通过Maxwell方程分析了具有负电磁参数的人工介质的产生机理,然后在此机理下,通过S参数提取方法计算并分析了导体杆位置、结构大小和空间... 人工介质的本构参数描述了它的电磁特性。为了设计人工介质,需要了解其本构参数的变化规律。首先通过Maxwell方程分析了具有负电磁参数的人工介质的产生机理,然后在此机理下,通过S参数提取方法计算并分析了导体杆位置、结构大小和空间间距的变化对其本构参数的影响。通过HFSS仿真得到了比较精准的特性曲线。仿真结果解释了人工介质本构参数随结构特性的变化规律。 展开更多
关键词 MAXWELL HFss 负电磁参数 s参数提取
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基于方形单开口环超材料的有源频率选择表面设计 被引量:1
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作者 邓彪 唐涛 佘影 《成都信息工程大学学报》 2018年第1期39-43,共5页
设计了一种基于方形单开口环超材料的有源频率选择表面,由尺寸为7 mm×7 mm×0.25 mm的方形单开口环超材料单元体按10×10的周期排列构成,超材料单元体的介质基板采用FR4材料,在表面敷上方形单开口环铜片,能够在1~10 GHz(L... 设计了一种基于方形单开口环超材料的有源频率选择表面,由尺寸为7 mm×7 mm×0.25 mm的方形单开口环超材料单元体按10×10的周期排列构成,超材料单元体的介质基板采用FR4材料,在表面敷上方形单开口环铜片,能够在1~10 GHz(L、S、C、X频段)内保持介电常数、磁导率和折射率同时为负数。阐述了S参数反演法的推导过程,同时通过S参数反演法,证明该结构体是符合超材料性能的。在单元结构体之间加载可变贴片电容,通过改变加载在有源器件两端的电压大小,实现有源频率选择表面的谐振频率可调性。 展开更多
关键词 超材料 有源频率选择表面 s参数反演 可变贴片电容
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一种7-13GHz小单元双负结构的设计与仿真分析
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作者 邱健宝 赵惠玲 张贞 《机电一体化》 2009年第8期50-51,55,共3页
设计了一种在7-13 GHz宽频带小单元双负结构,它具有双负频带达6 GHz、相对带宽达60%、每单位尺寸损耗小于0.75 dB的特点。仿真表明,此单元结构的等效介电常数与等效磁导率在频带内为负值,表现出双负特性。进一步分析得知,该结构双负频... 设计了一种在7-13 GHz宽频带小单元双负结构,它具有双负频带达6 GHz、相对带宽达60%、每单位尺寸损耗小于0.75 dB的特点。仿真表明,此单元结构的等效介电常数与等效磁导率在频带内为负值,表现出双负特性。进一步分析得知,该结构双负频带与结构中谐振单元数量有关,从而在不改变单个单元尺寸的情况下,通过增减谐振单元数量就可以得到不同的双负频带。 展开更多
关键词 宽频带 s参数提取 小单元双负结构 谐振单元
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融合量测重构的RGAN-UKF智能电网状态估计模型 被引量:2
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作者 李海英 裴康鑫 《电力系统及其自动化学报》 CSCD 北大核心 2022年第9期73-80,共8页
针对电力系统量测数据不完整导致状态估计失效进而危害智能电网安全经济运行的问题,本文提出一种融合量测重构的残差生成对抗网络-无迹卡尔曼滤波状态估计方法,以进行电力系统状态估计。首先,分析模型重构量测的基本工作原理,以重构不... 针对电力系统量测数据不完整导致状态估计失效进而危害智能电网安全经济运行的问题,本文提出一种融合量测重构的残差生成对抗网络-无迹卡尔曼滤波状态估计方法,以进行电力系统状态估计。首先,分析模型重构量测的基本工作原理,以重构不完整量测数据;然后,结合Holt’s双参数平滑法与无迹卡尔曼滤波方法,构造了融合重构量测的动态估计方法;最后,在IEEE 30节点系统进行仿真,验证了所提方法的可行性和有效性。 展开更多
关键词 智能电网 量测重构 状态估计 Holt’s参数平滑 无迹卡尔曼滤波
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一种芯片集成Ku波段MESFET压控振荡器的设计 被引量:1
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作者 刘海文 孙晓玮 +3 位作者 盛怀茂 钱蓉 李征帆 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期57-60,共4页
利用微波晶体管的负阻特性,基于AgilentADS软件,设计出一种Ku波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(简称VCO)。对VCO进行实测,结果表明,VCO的中心频率为14.14GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,满足实际应用。
关键词 负阻特性 微带结构 s参数法 VCO 变容管调谐
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