笔者使用MESFET管芯,利用ADS软件对其进行了仿真优化,用小信号S参数法进行设计,并研制出一种线性功率放大器,该放大器采用Excelics公司low distortion Power FET EFC480C作为管芯,尺寸为15mm×20mm,在2.7GHz^3.1GHz频带内增益≥11d...笔者使用MESFET管芯,利用ADS软件对其进行了仿真优化,用小信号S参数法进行设计,并研制出一种线性功率放大器,该放大器采用Excelics公司low distortion Power FET EFC480C作为管芯,尺寸为15mm×20mm,在2.7GHz^3.1GHz频带内增益≥11d B,输出功率P(sat)≥30d Bm,功率起伏≤1d B;输入输出驻波比≤2,达到了较好的性能。不仅比管壳封装器件体积小,而且可以消除封装参数的有害影响。展开更多
文摘笔者使用MESFET管芯,利用ADS软件对其进行了仿真优化,用小信号S参数法进行设计,并研制出一种线性功率放大器,该放大器采用Excelics公司low distortion Power FET EFC480C作为管芯,尺寸为15mm×20mm,在2.7GHz^3.1GHz频带内增益≥11d B,输出功率P(sat)≥30d Bm,功率起伏≤1d B;输入输出驻波比≤2,达到了较好的性能。不仅比管壳封装器件体积小,而且可以消除封装参数的有害影响。