-
题名空位缺陷对CdS电子结构和光学性质的影响
被引量:13
- 1
-
-
作者
李春霞
党随虎
韩培德
-
机构
长江师范学院物理学与电子工程学院
太原理工大学材料科学与工程学院
-
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期1406-1412,共7页
-
基金
重庆市教委科学技术研究(KJ081307
KJ091312)
长江师范学院重点学科基金(2003148)资助课题
-
文摘
采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,对空位缺陷体系的几何结构进行优化计算,发现空位引起周围原子的弛豫,晶格结构发生畸变。在此基础上研究了空位缺陷对闪锌矿结构CdS体系电子结构(能带结构、电子态密度)的影响,结果表明,S空位使得能带变窄,而Cd空位使带隙变宽,但二者仍为直接带隙半导体。对光学性质的研究发现,由于空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化,使得空位缺陷体系光学性质的变化主要集中在低能量区。
-
关键词
光学材料
s和cd空位
闪锌矿结构
cds晶体
电子结构
第一性原理
-
Keywords
optical materials
s and cd vacancy
Zinc blend structure
cds crystal
electronic structure
first principle
-
分类号
O641
[理学—物理化学]
O649
[理学—物理化学]
-