基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性

介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件———S型负阻振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁场的变化而变化;在基极注入电流一定时,出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻振荡特性,且集电极电流振荡随外加磁场而变化.对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论,结果表明,在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下,当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时,该磁敏三极管伏安特性曲线中的Vp+π偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻振荡特性.在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻振荡特性进行调制.