49S晶体在线激光打标系统的设计与实现

分析了企业对49S石英晶体振荡器激光打标的需求,介绍了一种新型的微机控制的自动在线打标系统,该系统将标准打标机头与自动供料系统结合,组成晶体在线全自动激光打标系统。文中详细阐述了该系统自动上料平台的工作原理及机械结构设计、单片机控制系统原理及控制程序设计。给出了软件流程图。

管状微纳米Ag_2S晶体的水热法制备方法研究

在低温水热条件下,以不同硫源和银片为反应物,制备出了微纳米级Ag2S晶体,其中以硫粉为硫源、乙醇为溶剂时制备出了少见的拥有中空管状形貌的Ag2S微纳米材料,并用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分别对产物Ag2S晶体的结构和形貌进行了表征和分析。

49S压电晶体协振器在线激光打标系统的设计与实现

分析了企业对49S石英晶体振荡器激光打标的需求,介绍了一种新型的微机控制的自动在线打标系统,该系统将标准打标机头与自动供料系统结合,组成晶体在线全自动激光打标系统。详细阐述了该系统自动上料平台的工作原理及机械结构设计、单片机控制系统原理及控制程序设计。给出了软件流程图。

Fe^(3+)、Fe^(2+)对C_3S晶体稳定性的影响

用分析纯试剂配制了C_3S的含Fe^(3+)或Fe^(2+)的两个系列固溶体样品。电子探针分析表明,Fe^(3+)或Fe^(2+)均优先溶解于C_2S中。固溶体分解实验表明,Fe^(3+)和Fe^(2+)进入C_3S晶格均能明显促进其分解;含Fe^(3+)以及少量Fe^(2+)的C_3S固溶体比含纯粹Fe^(2+)的固溶体更容易分解。并比较Fe^(3+)和Fe^(2+)对C_3S晶体化性能的影响。

49S/SMD晶体自动成型设备的设计与实现

针对目前国内大多企业在49S/SMD晶体生产上只能采取手工操作的现状,研制了49S/SMD晶体自动成型设备,实现了生产自动化,使产品统一、规范,提高了生产效率及合格品率。设备集机械制造、气动控制、光电检测、计算机控制等先进技术为一体,整体结构设计紧凑、性能先进、可靠性高。文章就设备的机械结构、工作原理、电控系统设计进行了详细阐述。

掺杂比对Hg_(1-x)Cd_xGa_2S_4晶体频率转换的影响

在相位匹配和可接受掺杂比理论的基础上,针对Cd掺杂的不同相Hg1-xCdxGa2S4晶体,研究了掺杂比对频率转换的影响.依据相应的Sellmeier方程得到了倍频和Nd3+∶YAG与Ho3+∶YLF激光器泵浦光学参量振荡的相位匹配调谐曲线,并给出了不同掺杂下的可接受掺杂比.结果表明:掺杂晶体可实现1～5μm范围内非临界相位匹配的倍频和1～13μm的参量光产生;随着掺杂比的增大,可接受掺杂比近似线性减小,并随着波长改变展现出不同变化趋势.

中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展

AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体是性能优异的中红外高功率非线性光学材料,在红外跟踪、制导、激光反卫星和激光医学等领域有重大应用前景。本文综合评述了AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)晶体的发展历程和研究进展,总结了本实验室已报道,以及最新研究进展,包括采用改进的两温区气相输运温度振荡法合成出单相多晶材料,在四温区立式炉中用改进的Bridgman法生长出AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)系列单晶体,晶体尺寸最大可达∅45mm×90mm。AgGaGenS2(n+1)晶体退火后在1μm附近透过率为65%~70%,AgGaGeS4晶体1μm吸收系数约为0.01cm^-1。600K时热膨胀仪测试AgGaGeS4晶体的热膨胀系数分别为αa=1.39×10^-5K^-1,αb=6.87×10^-6K^-1,αc=1.44×10^-5K^-1。AgGaGeS4表面损伤阈值为103MW·cm^-2,是文献报道值50MW·cm^-2的2倍,体损伤阈值为132MW·cm^-2。

铸钢中(Mn,Fe)S单晶体的发现与研究

用SEM505扫描电子显微镜观察并发现了ZG25钢铸件皮下显微气孔壁上(Mn,Fe)S单晶体的自然形态。平衡态面心立方(Mn,Fe)S单晶体是由八个{111}晶面和六个{100}晶面组成的十四面体。(Mn,Fe)S单晶体自然形态是Oh—m3m类立方晶系对称图形新发现的典型实例。填补了晶体学单晶十四面体晶形的空白。

基于连续旋转剪切方式的晶体剪脚机的设计

介绍了一种用于扁引脚元件的剪脚机。剪脚机采用了独特的动刀连续旋转、元件进给运动与剪切运动合一的不间断剪切设计方案,剪切效率高、管腿不变形、切口平整。

晶体自动摆盘机的设计与研究

介绍了一种新型的49S石英晶体振荡器生产设备-晶体自动摆料机。该设备用于自动高效地完成激光打标前的晶体元件整理及摆盘操作。设备整体结构设计紧凑、灵巧,控制系统以AT89C51单片机为核心,程序设计充分考虑了操作简便及智能功能。详细阐述了设备的工作原理、机械结构和电控系统。

全自动晶体浸锡机的研制

全自动晶体浸锡机可以自动完成49S晶体的上料、引脚剪短、挤扁、浸锡整套生产工序的工作。文章对设备的工作原理及结构设计做了详细阐述。

基于单片机控制的晶体打标自动摆料机的设计

介绍了一种新型的49S石英晶体振荡器生产设备——晶体自动摆盘机。该设备能自动高效地完成激光打标前的晶体元件整理及摆盘操作,改变了目前晶体生产行业成品打标工序只能手工摆料的现状。并对该设备的工作原理及结构设计进行了阐述。

元素硫在溶硫剂中扩散溶解行为的分子动力学模拟

溶硫解堵是高含硫气藏开发中处理硫沉积堵塞的常用方法。建立硫分子晶体形貌,采取分子动力学方法计算了溶硫主剂(二甲基二硫醚DMDS、CS_(2)、二甲亚砜DMSO、环己胺CHA)与硫晶体界面的吸附能,以及S8分子在扩散溶解过程中的径向分布函数、均方位移及扩散系数,研究了溶硫主剂的扩散溶硫行为。结果表明:晶体直接生长方法(AE)得到的S8分子晶体形貌接近实际沉积的元素硫颗粒,硫与溶硫主剂的吸附能在-612~-1 479 kJ·mol^(-1),产生较强的相互作用;溶硫主剂分子与硫分子构成的溶硫盒子中,溶硫主剂分子与S_(8)分子产生强烈的范德华力,促进扩散溶硫,其中CS_(2)与S_(8)分子间在距离0.26 nm处相互作用最强,产生物理溶硫;DMDS、DMSO、CHA在距离0.23 nm处产生氢键作用,化学与物理作用协同溶硫。

CO^(2+):CaAl_2S_4吸收光谱的理论解释

MgAl2S4,CaAl2S4,Co2+:MgAl2S4和Co2+:CaAl2S4晶体是典型的三重复合半导体材料,由化学输运反应的方法可以成功制备而得出,具有宽的能隙结构,因而在光电方面有着非常重要的应用而备受广泛的关注.采用Sugano-Tanabe强场近似理论,引入平均共价因子N,利用经典晶场能量矩阵公式,在D2d对称模型下计算出的结果较好符合了实验事实,从而纠正了S.K.Oh等人对Co2+:CaAl2S4吸收光谱的不合理解释.

高压下β-BaCu_2S_2电子结构和光学性质的第一性原理研究

本文采用密度泛函理论方法对β-BaCu_2S_2的电子结构和光学性质进行了理论计算和分析.优化后的晶格常数与实验值符合良好.通过能带分析表明该晶体是一种直接带隙半导体,得出的带隙值为0.562 e V,与其他理论计算方法得出的结果接近.对介电函数的计算表明β-BaCu_2S_2是一种各向异性材料,随着压强的增大,介电函数虚部向高能区域移动,且峰值变高.计算所得静折射率的平方近似于静介电常数,与理论公式符合良好.随着压强的增加,晶体的光学常数如吸收系数、反射率、折射率和能量损失函数曲线均向光子能量增大的方向移动.研究表明加压是改变β-BaCu_2S_2晶体电子结构、调制光学性质的有效手段.

K掺杂β-BaCu_2S_2电子结构和光学性质的第一性原理研究

为探究K掺杂对β-BaCu_2S_2晶体电子结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波理论方法,对不同K掺杂比例β-BaCu_2S_2的电子结构和光学性质进行理论计算和分析.计算结果表明:β-BaCu_2S_2是一种直接带隙半导体,带隙值为0.566 e V.由其能带结构可知,随着K掺杂比例的增加,β-BaCu_2S_2晶体的带隙变窄,导电性增强.此外,随着K掺杂物质的量比例的增加,晶体静态介电常数明显变大,说明此时有电子从价带跃迁到导带.K掺杂可以明显改变晶体的光学性质,随着K掺杂物质的量比例的增加,晶体吸收系数的吸收边发生红移.研究结果说明K掺杂可以改变晶体的电子结构,调制晶体的光学性质,这为β-BaCu_2S_2光电材料的实际应用提供了一定的理论指导.

Preparation and Crystal Structure of Hetero-metal Clusters [η~5-C_5H_4C(O)CH_2CH_2C(O)OCH_3]FeCoM(μ_3-S)(CO)_8 (M = Mo or W)

The hetero-metal clusters [■5-C5H4C（O）CH2CH2C（O）OCH3]FeCoM（■3-S）（CO）8 （M = Mo 1, M = W 2） were prepared by thermal reactions of FeCo2（CO）9(（3-S） with metal exchange reagent [■5-C5H4C（O）CH2CH2C（O）OCH3]M（CO）3Na （M = Mo or W） in THF. Cluster 1 reacted with 2,4-dinitrophenylhydrazine at room temperature to yield the cluster hydrazone derivative (（3-S）CoFeMo（CO）8[(5-C5H4C（NR）Me] [R = NHC6H3-2,4-（NO2）2] 3. All the compounds were characterized by elemental analyses, IR and NMR spectra. Cluster 1 was determined by single crystal X-ray diffraction. Crystal data: C18H11O11SCoFeMo, Mr = 646.05, triclinic, space group P, a = 8.148（2）, b = 10.685（3）, c = 13.410（4） ?, ( = 100.077（5）, ( = 102.452（5）, ( = 91.108（6）(, V = 1120.4（5） ?3, Z = 2, Dc = 1.915 g/cm3, F（000） = 636, ( = 2.071 mm(1, the final R = 0.0378 and wR = 0.0968 for 5074 observations with (I > 2（（I））.

Syntheses of Two Chiral Clusters [η~5-C_5H_4C(NR)CH_3]- RuNiM(CO)_5(μ_3-S) (R =NH-C_6H_3-2,4-(NO_2)_2,M=Mo,3;M=W,4) and the Single-crystal Structure of Cluster 3

The new chiral clusters [h5-C5H4C(NR)CH3]RuNiM(CO)5(m3-S) (R = NH-C6H3-2,4- (NO2)2, M = Mo, 3; M = W, 4) were synthesized and the structure of cluster 3 was determined by single-crystal X-ray analysis. Crystal data: C23H16O9N4MoNiRuS, Mr = 780.18, orthorhombic, space group Pbca with the following crystallographic parameters: a = 13.207(4), b = 16.036(5), c = 25.513(8) , Z = 8, V = 5403(3) 3, Dc = 1.918 g/cm3, m = 1.834 mm-1 and F(000) = 3072. The final R = 0.0512 and wR = 0.1132 for 2525 reflections with I > 2.00s(I).

美国光谱物理公司265型氩离子激光器电源改造

分析美国光谱物理公司265型氩离子激光器电源屡屡出现故障的原因,设计一种非常简单、性能好、工作稳定、维修成本低的电路,解决了这个技术难题。

高相干度中红外超连续谱光源的研究

选用全波段正常色散As_2S_3光子晶体光纤作为非线性介质来消除反常色散区中孤子分裂引起的调制不稳定性所造成的超连续谱相干特性的恶化问题.利用分步傅里叶法数值模拟超短激光脉冲在全波段正常色散As_2S_3光子晶体光纤中的非线性传输和中红外超连续谱的产生.分析脉宽、传输距离、入射峰值功率和初始啁啾对中红外超连续谱光源的带宽、相干特性和平坦度的影响.通过优化泵浦激光参数和光纤参量,在最佳负啁啾C_p=-4、脉宽为50 fs、中心波长为2 800 nm、入射峰值功率为100 W和光纤长度为20 cm时,获得3 dB带宽高达2 484 nm的中红外超连续谱,且具有良好相干度和平坦度.