快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱 (PL) ,细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S 型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理 ,结果发现退火有效地改善材料的发光特性 ,并且会造成S 型的转变温度降低 ,从而说明退火可以有效地减少局域态。