目的:研究重组人促红细胞生成素(recombinant human erythropoietin,r-huEPO)对颅脑创伤患者血清S-100β蛋白和IL-10的影响,评价其临床保护作用。方法:31例患者随机分为对照组与治疗组,其中治疗组于规定时间皮下注射r-huEPO,对照组不予r...目的:研究重组人促红细胞生成素(recombinant human erythropoietin,r-huEPO)对颅脑创伤患者血清S-100β蛋白和IL-10的影响,评价其临床保护作用。方法:31例患者随机分为对照组与治疗组,其中治疗组于规定时间皮下注射r-huEPO,对照组不予r-huEPO处理,其他治疗两组相同。两组均在伤后第1、4、7、10、14天静脉采血,利用ELISA法测定S-100β蛋白和IL-10含量,并与患者临床征象作比较。结果:治疗组患者颅内压及脑水肿较对照组减轻,且GCS评分升高;血清S-100β蛋白含量低于对照组,IL-10含量高于对照组,差异均有统计学意义(P<0.05)。结论:利用r-huEPO进行红细胞动员,可通过各种机制抑制颅脑创伤后继发的病理损害及其过度炎症反应,对颅脑创伤具有神经保护作用。展开更多
目的:研究SARS冠状病毒S蛋白诱导呼吸道上皮细胞合成释放IP-10(interferon-gamma induc-ible protein 10)的信号分子机制。方法:通过基因芯片检测SARS冠状病毒的S蛋白作用于人支气管上皮细胞16HBE后信号通路基因表达谱的变化;采纳RT-PCR...目的:研究SARS冠状病毒S蛋白诱导呼吸道上皮细胞合成释放IP-10(interferon-gamma induc-ible protein 10)的信号分子机制。方法:通过基因芯片检测SARS冠状病毒的S蛋白作用于人支气管上皮细胞16HBE后信号通路基因表达谱的变化;采纳RT-PCR、EMSA、Western blotting等方法进一步分析JAK-STAT通路中信号分子的磷酸化、IRF-1和IP-10基因表达的变化及其相应信号分子抑制剂对表达水平的影响。结果:S蛋白作用于人支气管上皮细胞16HBE诱导了JAK-STAT信号通路涉及的重要转录因子基因IRF-1的表达,该信号通路的转录因子STAT1在刺激后15 min发生磷酸化,2 h即可检出IP-10基因的表达,IP-10的表达可以完全被STAT1、JAK2抑制剂阻断。EMSA显示:支气管上皮细胞在S蛋白的作用下,其核蛋白能够特异性与ISRE和GASDNA基序相结合,而不能与NF-κB的DNA基序相结合。结论:SARS-CoV的S蛋白通过激活JAK-STAT信号转导通路诱导IP-10在宿主细胞的生成。提示病毒诱导的JAK-STAT信号通路激活在病毒感染相关的急性肺损伤发生中具有重要地位。展开更多
通过激光二极管速率方程模拟得出了优化芯片高频性能的基本途径,权衡直流特性和实际生产过程,对腔面反射率、腔长和量子阱结构进行了优化。建立激光二极管小信号等效电路模型,对芯片寄生网络进行了优化。测试了25-125℃下芯片的P-I特性...通过激光二极管速率方程模拟得出了优化芯片高频性能的基本途径,权衡直流特性和实际生产过程,对腔面反射率、腔长和量子阱结构进行了优化。建立激光二极管小信号等效电路模型,对芯片寄生网络进行了优化。测试了25-125℃下芯片的P-I特性,25℃时芯片的阈值电流仅为7.4 m A;芯片温度为25-45℃时,特征温度为102 K;芯片温度为105-125℃时,特征温度为57 K。在25和85℃时,激光二极管在直流偏置30 m A的3 d B频带响应分别为12.8和10.4 GHz。芯片被封装为光发射次模块(TOSA)后,-40,25和85℃下的眼图均满足10 Gbit/s光通信系统的应用要求。展开更多
文摘目的:研究重组人促红细胞生成素(recombinant human erythropoietin,r-huEPO)对颅脑创伤患者血清S-100β蛋白和IL-10的影响,评价其临床保护作用。方法:31例患者随机分为对照组与治疗组,其中治疗组于规定时间皮下注射r-huEPO,对照组不予r-huEPO处理,其他治疗两组相同。两组均在伤后第1、4、7、10、14天静脉采血,利用ELISA法测定S-100β蛋白和IL-10含量,并与患者临床征象作比较。结果:治疗组患者颅内压及脑水肿较对照组减轻,且GCS评分升高;血清S-100β蛋白含量低于对照组,IL-10含量高于对照组,差异均有统计学意义(P<0.05)。结论:利用r-huEPO进行红细胞动员,可通过各种机制抑制颅脑创伤后继发的病理损害及其过度炎症反应,对颅脑创伤具有神经保护作用。
文摘通过激光二极管速率方程模拟得出了优化芯片高频性能的基本途径,权衡直流特性和实际生产过程,对腔面反射率、腔长和量子阱结构进行了优化。建立激光二极管小信号等效电路模型,对芯片寄生网络进行了优化。测试了25-125℃下芯片的P-I特性,25℃时芯片的阈值电流仅为7.4 m A;芯片温度为25-45℃时,特征温度为102 K;芯片温度为105-125℃时,特征温度为57 K。在25和85℃时,激光二极管在直流偏置30 m A的3 d B频带响应分别为12.8和10.4 GHz。芯片被封装为光发射次模块(TOSA)后,-40,25和85℃下的眼图均满足10 Gbit/s光通信系统的应用要求。